模电 第四章6(第五版)——康华光.ppt

1、4.7 放大电路的频率响应 电路中有电抗性元件，如隔直耦合电容、旁路电容；晶体管也存在极间电容Cbe、Ccb；电路中的分布参数等。 这些电抗元件的存在，导致放大电路即使在线性范围内也会产生不同的放大效果，必然影响到电路的频率响应。 频率响应：放大电路对不同频率的正弦信号的稳态响应。衡量放大器对不同频率信号的放大程度，是一重要特性。 4.7.1 单时常RC电路的频率响应 在分析频响时，设放大器只包含电容元件、且每一部分只有一RC常数起主导作用，那么，可用RC串联电路来模拟电路的频率响应。,1RC低通电路的频率响应（高频响应，低通滤波器） 影响放大电路高频响应的主要因素是极间电容和接线电容，可用R

2、C低通电路来模拟。,2RC高通电路的频率响应（低频响应，高通滤波器） 影响放大电路低频响应的主要因素是耦合电容和旁路电容，可用RC高通电路来模拟。,高频小信号建模,基区内的一个等效点，与b 点不同,晶体管存在结电容，在高频时不能忽略。,模型： 电路中各元素量纲不同故为混合型等效电路,发射结电容和电阻,基区体电阻，影响较大；发、集的可忽略,集电结电容和电阻,VCCS， 高频时İC İb ； İC 受be控制,小信号下使用；另有rce RL； rbc比Cbc作用小，可忽略简化模型,b,2）模型中参数的获得 实验求得；或通过低频H参数换算得到。 rbe = g m g m = 1 re = IE（m

3、A） 0026V 385IC （mS） Cbe= g m 2 fT rbb = rbe rbe Cbc = COe（共基输出电容，手册中有）,共射极放大电路的高频响应,列KCL方程,CM密勒电容 或理解为Cbc两端的电压很大：（1+ v）Vbe ，所以通过Cbc的电流亦很大，此现象即为密勒效应。密勒效应引起共射放大电路高频增益的下降。 由共基极接法时的高频小信号模型可知，在输入、输出之间没有反馈电容，不存在密勒效应，因此具有很宽的频带。,共射极放大电路的低频响应,1 Ce Re ， Re故可忽略；Ce折合到基极，折算后的电容为： Ce=（1+ ） Ce 简化等效电路；图中：C1=Ce / Cb

4、1 在输入、输出回路中分别有RC高通电路，即可分为三部分。, VL= o s= VLi V Vlo 令：fL1=1 2 C1（RS+ rbe） fL2=1 2 Cb2（RC+ RL）,有fL1 和fL2两个下限频率，取较大的作为放大电路的下限截止频率。（大于四倍以上）,4.7.4 多级放大电路的频率响应 采用两级阻容耦合放大电路，总的电压增益虽提高，但通频带变窄（比其中的任何一级都窄），而且级数越多， fL 越高，fH越低，这是多级放大电路的一个重要概念。,耦合电容和旁路电容的影响,BJT的结电容和引线电容的影响,2、fL1=1 2 Rs+(Rb 1/ Rb2 / rbe) Cb1=1. 3K

5、Hz fL2=1 2 (Rc + RL) Cb2=1. 6KHz 3 =Re / ( rbe +Rb1 / Rb2 / Rs) (1+) Ce=1mS fL3=1 2 3 =16Hz fL 16Hz,例：电路如图示。已知IC=1mA， =80，rbb=100 ，Cbc=5pF，fT=200MHz。求：1、VSm ； 2、fL ； 3、fH 。,解：1. Ri=Rb1 / Rb2 / rbe=2K rbe=200+ (1+)26(mV) Ic=2 . 3K VSm= Ri (Ri+Rs) ( RL rbe)= 15,fL 1. 1 (fL12 + fL22+ fL32 )1/2,例：电路如图示。已知IC=1mA， =80，rbb=100 ，Cbc=5pF，fT=200MHz。求：1、VSm ； 2、fL ； 3、fH 。,3、 g m385IC= 385mS Cbe= g m 2 fT 306pF CM= (1+ g m RL) Cbc= 4758 pF C= Cbe+ CM =