极管的基础知识

1、电子技术公开课,教师：陈梅,电子技术公开课,课 题： 半导体三级管的基本特征,目的要求： 1.掌握三极管的结构特点和类型。 2.掌握三极管的内部工作条件。 3.理解掌握三极管的外部工作条件。,教学重点： 三极管的结构特点和工作条件 教学难点 ： 三极管电流放大原理,电子技术公开课,1. P型半导体、N型半导体材料各有什么特点？,答案：P型半导体：空穴载流子多于电子载流子 N型半导体：电子载流子多于空穴载流子,2. 二极管具有什么特点？,答案：单向导电性,复习提问：,电子技术公开课,引言 半导体三极管又称为晶体管或双极型三极管，是组成各种电子电路的核心器件。,2.1 1.三级管的结构和类型 三极

2、管有:两个结 三个电极 三个区,电子技术公开课,三个电极,电子技术公开课,基极,发射极,集电极,NPN型,PNP型,电子技术公开课,三个区,电子技术公开课,基区,集电区,发射区,电子技术公开课,两个结,电子技术公开课,发射结,集电结,电子技术公开课,工 艺 特 点,工艺特点小结：,不是俩PN结的简单组合 是三极管具有电流放大作用的内部依据,基区：较薄，掺杂浓度低,集电区：面积较大,发射区：掺 杂浓度较高,电子技术公开课,NPN型三极管,PNP型三极管,符号,电子技术公开课,三极管的分类,1.按结构区分：有NPN型和PNP型。,3.按工作频率区分：有高频三极管和低频三极管。,2.按材料区分：有硅

3、三极管和锗三极管。,4.按功率大小区分：有大功率三极管和小功率三极管,电子技术公开课,三极管的电流放大原理,一、外部电压的偏置情况：,电子技术公开课,三极管的电流放大原理,电子技术公开课,二、载流子的分布情况：,基区：较薄，掺杂浓度低,集电区：面积较大,发射区：掺 杂浓度较高,电子技术公开课,三极管的电流放大原理,三、载流子的运动情况：,EB,RB,EC,进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。,发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。,电子技术公开课,三极管的电流放大原理,EB,RB,EC,集电结反偏，少子形成的反向电流ICBO。,从基区扩

4、散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。,电子技术公开课,三极管的电流放大原理,IB=IBE-ICBOIBE,电子技术公开课,三极管的电流放大原理,注意： 三极管制作成型后，多子在基区复合与扩散的比例基本保持不变，即：,电子技术公开课,三极管的基本特征,1、具有电流放大作用： 在基极引入小电流，再集电极就会得到大电流,2、或电流控制作用： 改变的IB大小，IC就随之成比例地改变，即IB控制Ic,3、各极电流的数量关系 IC=IB IE=IC+IB=（1）IB,电子技术公开课,课堂讨论,1.三极管具有电流放大作用的内部条件？,发射结正偏，集电结反偏： NPN型三极管：Vc

5、 Vb Ve PNP型三极管：Vc Vb Ve,三个区（发射区，基区，集电区）的特殊工艺结构：,2. 三极管具有电流放大作用的外部条件？,电子技术公开课,课堂练习,正常工作的三极管各脚对地电位分别为：V1=11.6V V2=2V V3=2.7V,判断管子的电极名称和类型,解：V3电位居中-3脚：b极 U32=0.7V- 2脚：e极 1脚：c极 Vc Vb Ve NPN,电子技术公开课,课堂小结,三极管的结构特点：三极、三区、二极 三极管的基本特征：具有电流放大作用：,两个工作条件： 内部条件：三个区的特殊工艺结构 外部条件：发射结正偏，集点结反偏，即： NPN型三极管：Vc Vb Ve PNP型三极管：Vc Vb Ve,两个数量