第五章 频率响应.ppt

1、第5章 频率响应,51 频率响应的概念 52 单级共射放大器的高频响应 53 共集电路的高频响应 54 共基电路的高频响应55 差分放大器的频率响应56 场效应管放大器的高频响应 57 放大器的低频响应 58 多级放大器的频率响应 59 建立时间tr与上限频率fH的关系 510 举例及计算机仿真,51 频率响应的概念,511频率失真及不失真条件 一、频率失真 我们知道，待放大的信号，如语音信号、电视信号、生物电信号等等，都不是简单的单频信号，它们都是由许多不同相位、不同频率分量组成的复杂信号，即占有一定的频谱。,如图51(a)所示，若某待放大的信号是由基波(1)和三次谐波(31)所组成，由于电

2、抗元件存在使放大器对三次谐波的放大倍数小于对基波的放大倍数，那么放大后的信号各频率分量的大小比例将不同于输入信号。,二、线性失真和非线性失真 线性失真和非线性失真同样会使输出信号产生畸变，但两者有许多不同点： 1.起因不同 线性失真由电路中的线性电抗元件引起，非线性失真由电路中的非线性元件引起(如晶体管或场效应管的特性曲线的非线性等)。 2.结果不同 线性失真只会使各频率分量信号的比例关系和时间关系发生变化，或滤掉某些频率分量的信号，但决不产生输入信号中所没有的新的频率分量信号。,三、不失真条件理想频率响应 综上所述，若放大器对所有不同频率分量信号的放大倍数相同，延迟时间也相同，那么就不可能产

3、生频率失真，故不产生频率失真的条件为,(51),(52a),(52b),图52给出了不产生线性失真的振幅频率响应和相位频率响应，称之为理想频率响应。,图52理想频率响应 (a)理想振幅频率响应；(b)理想相位频率响应,512实际的频率特性及通频带定义 实际的振幅频率特性一般如图53所示。在低频和高频区放大倍数有所下降，而中间一段比较平坦。为分析方便起见，人们将实际的振幅频率响应划分为三个区域，即中频区、低频区和高频区。并定义上限频率fH、下限频率fL以及通频带BW，以便定量表征频率响应的实际状况。,图53实际的放大器幅频响应,(53),(54),(55),(56),(57),52单级共射放大器

4、的高频响应,521晶体管的频率参数和高频等效电路 一、晶体管的高频等效电路 在第二章中，我们曾经提到过晶体管的势垒电容和扩散电容。因为发射结正向偏置，基区存贮了许多非平衡载流子，所以扩散电容成分较大，记为Cbe；而集电结为反向偏置，势垒电容起主要作用，记为 Cbc。在高频区，这些电容呈现的阻抗减小，其对电流的分流作用不可忽略。考虑这些极间电容影响的高频混合小信号等效电路如图54所示。,图54 晶体管的高频小信号混合等效电路,二、晶体管的高频参数,1.共射短路电流放大系数(j)及其上限频率f 由于电容C be的影响，值将是频率的函数。根据的定义,(511),|(j)|的频率特性如图55所示。,图

5、55 |(j)|与频率f的关系曲线,2. 特征频率fT,特征频率fT定义为|(j)|下降到1所对应的频率，如图55所示。 当f= fT时:,(512),3.共基短路电流放大系数(j)及f,因为,522共射放大器的高频响应分析 一、共射放大器的高频小信号等效电路 图56(a)所示的共射放大器的高频小信号等效电路如图56(b)所示。该电路中Cbc跨接在输入回路和输出回路之间，使高频响应的估算变得复杂化，所以首先应用密勒定理将其作单向化近似。,图56 共射放大器及其高频小信号等效电路 (a)电路；(b)等效电路(设RB1RB2Rs),图56 共射放大器及其高频小信号等效电路 (a)电路；(b)等效电

6、路(设RB1RB2Rs),二、密勒定理以及高频等效电路的单向化模型 密勒定理给出了网络的一种等效变换关系，它可以将跨接在网络输入端与输出端之间的阻抗分别等效为并接在输入端与输出端的阻抗。 如图57(a)所示，阻抗Z跨接在网络N的输入端与输出端之间，则等效到输入端的阻抗Z1为,图57密勒定理及等效阻抗 (a)原电路； (b)等效后的电路,图57密勒定理及等效阻抗 (a)原电路； (b)等效后的电路,利用图的单向化简化模型，我们很快可以 估算出电路的频率响应和上限频率fH。,图58密勒等效后的单向化等效电路 (a)单向化模型； (b)进一步的简化等效电路,三、高频增益表达式及上限频率 由图,根据式

7、(526)、(527)画出单级共射放大器的幅频特性和相频特性分别如图59(a),(b)所示。在半功率点处对应的附加相移为-45，而当频率f10fH以后，附加相移趋向于最大值(-90)。,图59考虑管子极间电容影响的共射放大器频率响应(a)幅频特性；(b)相频特性；(c)幅频特性波特图； (d)相频特性波特图,将式(524)用对数频率响应来表示，即,四、频率特性的波特图近似表示法,五、负载电容和分布电容对高频响应的影响 令式(524)中的Aus(j)为Aus(j),H为H1,如图510(b)所示。,图510包含负载电容CL的电路及等效电路 (a)电路； (b)等效电路,(529),(531),(

8、530),(532),(533),图511 同时考虑Ci和CL影响的波特图,六、结果讨论 通过以上分析，为我们设计宽带放大器提供了依据。 1.选择晶体管的依据 2.关于信号源内阻Rs 3.关于集电极负载电阻RC的选择原则 4.关于负载电容CL,图512插入共集电路以减小Rs大、CL大对fH的不良影响,53 共集电路的高频响应,共集电路如图513(a)所示。这里，我们有意将基区体电阻rbb拉出来，并将Cbc及Cbe这两个对高频响应有影响的电容标于图中。与共射电路对比，我们有理由说，共集电路的高频响应比共射电路要好得多，即 f H(CC)f H(CE)。,图513共集电路高频响应的讨论 (a)电路

9、；(b)高频交流通路及密勒等效,一、 Cbc的影响 由于共集电路集电极直接连接到电源UCC，所以Cbc相当于接在内基极“b”和“地”之间，不存在共射电路中的密勒倍增效应。因为Cbc本身很小(零点几几pF),只要源电阻Rs及rbb较小， Cbc对高频响应的影响就很小。,二、C be的影响 这是一个跨接在输入端与输出端的电容，利用密勒定理将其等效到输入端(如图513(b)所示)，则密勒等效电容CM为,(534),Au为共集电路的电压增益，是接近于1的正值， 故CMC be。,三、CL的影响,(535),只要源电阻Rs较小，工作点电流ICQ较大，则Ro可以做到很小。 所以时常数RoCL很小，fH2很

10、高。因此说共集电路有很强的承受容性负载的能力。,54共基电路的高频响应,共基电路如图514所示，我们来考察晶体管电容C be和C bc以及负载电容CL对高频响应的影响。,图514共基电路高频响应的讨论 (a)电路；(b)高频交流通路,图514共基电路高频响应的讨论 (a)电路；(b)高频交流通路,一、C be的影响 由图可见，如果忽略rbb的影响，则C be直接接于输入端，输入电容Ci= C be ，不存在密勒倍增效应，且与C bc无关。所以，共基电路的输入电容比共射电路的小得多。而且共基电路的输入电阻Rire=26mV/ICQ，也非常小，因此，共基电路输入回路的时常数很小， fH1很高。理论

11、分析的结果fH1fT。,二、C bc及CL的影响 如图514(b)所示，如果忽略rbb 的影响，则 Cbc直接接到输出端，也不存在密勒倍增效应。输出端总电容为Cbc +CL。此时，输出回路时常数为Ro(Cbc + CL)，输出回路决定的fH2为,(536),三、共射共基级联的高频响应 如图515所示,图515 共射共基级联放大器,图516共射共基差分宽带集成放大器电路(CA3040),55 差分放大器的频率响应,差分放大器的频率响应与单管放大器没有什么本质上的区别。如图517(a)所示，对于差模信号来说可用“半电路”来分析，其“半电路”如图517(b)所示。根据前面对共射放大器高频响应的分析可

12、知，差分放大器双端输出的高频增益表达式为,(537),图517差分放大器电路 (a)差分放大器电路；(b)半电路,图519所示的电路，就是根据这种理论构成的集成电路输入级电路。,(538),(539),图518共集共基组态差分放大器,图519 用于集成电路输入级的共集共基,56 场效应管放大器的高频响应,561场效应管的高频小信号等效电路 无论是MOS管或结型场效应管，其高频小信号等效电路都可以用图520所示的模型表示。 图中，Cgs表示栅、源间的极间电容，Cgd表示栅、漏间的极间电容，Cds表示漏、源间的极间电容。,图520场效应管的高频小信号等效电路,562场效应管放大器的高频响应 典型的

13、场效应管共源放大器电路如图521(a)所示，其高频小信号等效电路如图521(b)所示。,图521场效应管放大器及其高频小信号等效电路 (a)放大电路；(b)等效电路,图521场效应管放大器及其高频小信号等效电路 (a)放大电路；(b)等效电路,由图5-21(b)可见，Cgd是跨接在放大器输入端和输出端之间的电容。应用密勒定理作单向化处理，可将Cgd分别等效到输入端(用CM表示)和输出端(用CM表示)，如图522所示。其中:,(540),(541),图522场效应管共源放大器单向化模型,(542),(543),(544),(545),(546),上述分析结果显示： (1)要提高fH,必须选择Cg

14、s ,Cgd ,Cds小的管子。 (2) fH高和AuIs大是一对矛盾，所以在选择RD时要兼顾fH和AuIs的要求。 (3)由于Ci(=Cgs+CM)的存在，希望有恒压源激励，即要求源电阻Rs小。 共漏电路、共栅电路以及场效应管差分放大器的高频响应分析方法和晶体管电路的十分相似，在此不予重复。,57 放大器的低频响应,571 阻容耦合放大器的低频等效电路 阻容耦合共射放大器电路如图523(a)所示。在低频区，随着频率的下降，电容C1、C2、CE呈现的阻抗增大，其分压作用不可忽视，故画出低频等效电路如图523(b)所示。,图523(c)中，将gm 直接接地，对输出电压和增益的计算不会有影响。,图

15、523阻容耦合共射放大器及其低频等效电路,图523阻容耦合共射放大器及其低频等效电路,图523阻容耦合共射放大器及其低频等效电路,572阻容耦合放大器低频响应分析 由图523(c)可见，因为有gm 的隔离作用，C2对频率特性的影响与输入回路无关，可以单独计算。这样，在讨论C1、CE对低频特性的影响时可设C2短路;反之，在讨论C2对低频特性的影响时，可视C1 、 CE短路。,一、C1、E对低频特性的影响 如图523(c)所示， 将随频率的下降而下降。一般电路能满足条件,定性画出低频增益的幅频特性和相频特性如图524。可见，C1、CE的作用使放大器的低频响应下降，其下限角频率L1反比于时常数(Rs

16、+rbe)C。当=L1时，附加相移为+45，其最大附加相移为+90。,(553),(554),图524 阻容耦合放大器C1及CE引入的低频响应,图525 C2对低频响应影响的等效电路,二、C2对低频响应的影响 如前所述，在考虑C2的影响时，忽略C1、CE对低频响应的作用。为分析方便起见，将低频等效电路改画为图525所示，可见,(中频源增益),(C2引入的下限角频率),三、讨论 (1)C1、E、C2越大，下限频率越低，低频失真越小，附加相移也将会减小。 (2)因为CE等效到基极回路时要除以(1+)，所以若要求CE对L1的影响与C1相同，需要求取CE =(1+)C1,所以射极旁路电容的取值往往比C

17、1要大得多。 (3)工作点越低，输入阻抗越大，对改善低频响应有好处。,(4)RC,RL越大，对低频响应也有好处。 (5)C1、CE、C2的影响使放大器具有高通特性，在下限频率点处，附加相移为正值，说明输出电压超前输入电压。 (6)同时考虑低频和高频响应时，完整的频率特性如图526所示。,图526 阻容耦合放大器完整的频率响应,58 多级放大器的频率响应,如果放大器由多级级联而成，那么，总增益,581多级放大器的上限频率fH 设单级放大器的增益表达式为,式中，|AuI|=|AuI1|AuI2|AuIn|为多级放大器中 频增益。令,582多级放大器的下限频率fL 设单级放大器的低频增益为,解得多级

18、放大器的下限角频率近似式为,若各级下限角频率相等，即L1=L2=Ln,则,59 建立时间tr与上限频率fH的关系,591建立时间tr的定义 建立时间是描述一个线性网络对快速变化信号的反应能力。例如有一个一阶低通网络，如图527所示，如果在其输入端加一个阶跃信号，则在输入信号突跳时，输出信号是不能突跳的，而是以指数规律上升至稳定值。所谓建立时间tr是描述该电压上升快慢的一个指标，其定义为：uo从10%Uom上升到90%Uom所需要的时间。,图527 建立时间tr的定义,对于一阶RC电路，可以导出,根据tr的定义，可得出tr与时常数H=RC的关系式为,592建立时间与上限频率的关系 建立时间表示电路对快速信号的反应能力，通常称建立时间为暂态指标。而上限频率可表示电路对高频信号的响应能力，通常称为稳态指标。它们从不同的角度描述电路的性能。我们知道，如果信号的前沿越陡峭，其高频分量必然越丰富，所以建立时间tr短，则上限频率fH一定高。 从前面分析可见，高频等效电路实际