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文档简介

1、硅片扩散前的表面准备,2003年7月,2,目 录,3,概 述,硅片表面处理的目的：,4,概述：硅片表面的机械损伤层 （一）硅锭的铸造过程,单晶硅,多晶硅,5,概述：硅片表面的机械损伤层 （二）多线切割,6,概述：硅片表面的机械损伤层（三）机械损伤层,7,概述：金属杂质对电池性能的影响,8,概述：表面织构化,单晶硅片表面的 金字塔状绒面,单晶硅片表面反射率,9,化学腐蚀液的配制 多晶硅片的清洗腐蚀,九槽清洗机,注：纯水是电阻率为18Mcm的去离子水,10,化学腐蚀液的配制 单晶硅片的清洗和制绒,九槽清洗机,超声波清洗 单晶硅片的表面油污比较严重，需要在60清洗剂的水溶液中， 利用超声波震荡清洗1

2、5分钟。,11,化学腐蚀的原理,热的NaOH溶液去除硅片表面机械损伤层：,HF去除硅片表面氧化层：,HCl去除硅片表面金属杂质： 盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与 Pt 2+、Au 3+、 Ag +、Cu +、Cd 2+、Hg 2+等金属离子形成可溶于水的络合物。,12,工艺过程与工艺条件,各槽设定时间（分钟）,注：单晶硅制绒过程中，3号槽须用盖子密封，减少乙醇的挥发。,13,清洗液浓度的检测与调整 滴定管的使用以及滴定技术,滴定管是滴定时准确测量溶液体积的容器，分酸式和碱式两种。酸式滴定管的下部带有磨口玻璃活塞，用于装酸性、氧化性、稀盐类溶液；碱式滴定管的下端用橡皮管连接一个带尖嘴的小玻璃管，橡皮管内有一玻璃球，以控制溶液的流出速度。,14,清洗液浓度的检测与调整 （一）氢氧化钠（NaOH）浓度的检测,15,清洗液浓度的检测与调整 （二）盐酸（HCl）浓度的检测,NaOH + HCl = NaCl + H2O 40 ： 36.5 M NaOH V NaOH ： M HClV HCl,其中M NaOH已知为80克/升，V HCl=10毫升， V NaOH通过测量可知，则未知的盐酸溶液浓度M HCl可以由计算得到。 M HCl = 7.3V NaOH,16,清洗液浓度的检测与调整（三）氢氟酸（H

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