2020高考总复习课件_化学（鲁科版）_元素与物质世界_核心素养提升_“用量改变型”和“信息给予型”离子方程式的书写

1、核心素养提升“用量改变型”和“信息给予型”离子方程式的书写变化观念与平衡思想素养说明：离子方程式的书写是每年高考必考内容，一般在填空题中出现较多，常结合化工生产流程进行考查，除考查教材所涉及的常见重要的反应外，越来越注重结合新信息书写陌生离子方程式的考查，另外还应关注与量有关的离子方程式的书写。题型专练类型1反应连续型离子方程式书写“分步分析法”(1)反应特点：反应生成的离子因又能与过量的反应物继续反应而导致其离子方程式与用量有关。(2)书写模型：首先分析判断出物质过量与否，再根据原理书写。1.按用量要求书写下列离子方程式：铝盐溶液与强碱溶液反应铝盐过量： ；强碱过量： 。答案Al33OH=A

2、l(OH)3Al34OH=AlO2H2O类型2反应先后型离子方程式书写“强先弱后法”(1)反应特点：某种反应物的两种或两种以上的组成离子，都能跟另一种反应物的组成离子反应，但因反应顺序不同而跟用量有关，又称为竞争型。(2)书写模型：依据“竞争反应，强者优先”的规律，解决离子反应的先后顺序问题，解答时先确定出反应先后的离子，再分步书写出离子方程式。2.按用量要求书写下列离子方程式NH4Al(SO4)2溶液与NaOH溶液反应：NaOH不足： nNH4Al(SO4)2n(NaOH)14： NaOH足量： 答案Al33OH=Al(OH)3NHAl34OH=NH3H2OAl(OH)3NHAl35OH=N

3、H3H2OAlO2H2O类型3物质配比型离子方程式书写“少定多变”法【书写模型】“定1法”书写酸式盐与碱反应的离子方程式(1)将少量物质定为“1 mol”，若少量物质有两种或两种以上离子参加反应，则参加反应离子的物质的量之比与物质组成之比相符。(2)依据少量物质中离子的物质的量，确定过量物质中实际参加反应的离子的物质的量。3.按用量要求书写下列离子方程式NaHCO3溶液与Ca(OH)2溶液反应NaHCO3不足： ；NaHCO3过量： 。答案HCOOHCa2=CaCO3H2OCa22OH2HCO=CaCO3CO2H2O类型4氧化还原反应型“假设定序”法(1)反应特点：对于氧化还原反应，按“先强后

4、弱”的顺序书写，即氧化性(或还原性)强的优先发生反应，氧化性(或还原性)弱的后发生反应。(2)解题模型：第一步：确定反应的先后顺序：(氧化性：HNO3Fe3，还原性：IFe2Br)。如向FeI2溶液中通入Cl2，I先与Cl2发生反应。第二步：根据用量判断反应发生的程度，如少量Cl2与FeI2溶液反应时只有I与Cl2反应：2ICl2=2ClI2。足量Cl2与FeI2溶液的反应时溶液中的I和Fe2均与Cl2发生反应：2Fe24I3Cl2=2Fe32I26Cl。第三步：用“少量定1法”书写离子方程式，即将“量”少物质的系数定为“1”进行书写。4.按用量书写下列离子方程式(1)FeBr2溶液中通入少量

5、Cl2： ；(2)FeBr2溶液中通入与其等物质的量的氯气： ；(3)FeBr2溶液中通入足量Cl2： 。答案(1)2Fe2Cl2=2Fe32Cl(2)2Fe22Br2Cl2=2Fe3Br24Cl(3)2Fe24Br3Cl2=2Fe32Br26Cl书写陌生情景中的离子方程式时，要有效的接受、吸收、整合题目信息，推断并写出反应物和生成物，然后再运用质量守恒定律、得失电子守恒规律(氧化还原反应)、电荷守恒规律，遵循“先电子、再电荷、后原子”的顺序配平。【书写模型】步骤一根据信息分离出反应物和产物步骤二根据得失电子配平涉及氧化还原反应的物质或离子步骤三根据电荷守恒配平其它离子(H、OH)步骤四根据原

6、子守恒配平其它物质(H2O)说明：非氧化还原反应型离子方程式的书写，通过步骤一、三、四完成5.根据题设要求完成离子方程式书写。(1)2018课标全国，27(1)(4)焦亚硫酸钠(Na2S2O5)在医药、橡胶、印染、食品等方面应用广泛。回答下列问题：生产Na2S2O5，通常是由NaHSO3过饱和溶液经结晶脱水制得。写出该过程的化学方程式 。Na2S2O5可用作食品的抗氧化剂。在测定某葡萄酒中Na2S2O5残留量时，取50.00 mL葡萄酒样品，用0.010 00 molL1的碘标准液滴定至终点，消耗10.00 mL。滴定反应的离子方程式为 。(2)2016课标全国，27(2)(4)CrO和Cr2O在溶液中可相互转化。室温下，初始浓度为1.0 molL1的Na2CrO4溶液中c(Cr2O)随c(H)的变化如图所示。用离子方程式表示Na2CrO4溶液中的转化反应 。6价铬的化合物毒性较大，常用NaHSO3将废液中的Cr2O还原成Cr3，该反应的离子方程式为 。(3)2016课标全国，28(1)“酸浸”时V2O5转化为VO，反应的离