集成电子技术基础教程 试题分析

1、期中试题分析,集成电子技术基础教程,期中考试的总体情况,评分说明,一、选择题（59 = 45）,二、（36）,1 6（2+2+2） 2 5 3 5（2+2+1） 4 4（2+2） 5 4 6 6（3+3） 7 6（3+3）,三、（19）,1 9（3+3+3） 2 10（3+3+4）,1. 图1电路中，稳压管的稳定电压为8V，稳压管电流小于2mA时不能稳压。 为了使稳压管能起稳压作用，则负载电阻RL应大于【 】 A. 4K B. 1K C. 800 D. 667,一、选择题：,C,2. 当温度升高时，双极型晶体管的输出特性曲线将【 】 A. 整簇输出特性曲线上移，曲线间距增大 B. 整簇输出特性

2、曲线上移，曲线间距减小 C. 整簇输出特性曲线下移，曲线间距增大 D. 整簇输出特性曲线下移，曲线间距减小,A,3. 某场效应管的转移特性如图2所示，该管是 A. N沟道增强型MOS管 【 】 B. N沟道耗尽型MOS管 C. P沟道增强型MOS管 D. P沟道结型场效应管,图 2,B,4. 在图3所示的电路中，如空载时（即RL开路）调节Rb，使VCE = VCC/2，若ICEO，VCES均忽略不计。问接上负载RL后，逐渐加大输入信号VS，输出电压VO首先出现什么失真？【 】 （A）截止失真 （B）饱和失真 （C）同时出现上述两种失真 （D）交越失真,A,5. 图3电路在正常工作时，若负载不慎

3、发生短路（即RL=0），则通过晶体管的集电极电流iC将【 】 （A）增大 （B）过流而烧毁管子 （C）不变 （D）减小,C,6. 在图3所示电路中，Ri为其输入电阻，Rs为常数，为使下限频率fL降低，应【 】 A. 减小C，减小Ri B. 减小C，增大Ri C. 增大C，减小Ri D. 增大C，增大Ri,D,7. 图4为一场效应管电路和它的输出特性。已知VDS = 6 V。从图中可知： （1）静态电流ID应为【 】 A 0.5mA；B 1mA； C 2mA；D 1.5mA。 （2）FET的互导gm应为【 】 A 2mA/V；B 0.5mA/V；C 1mA/V；D 1.5mA/V。,D,B,8.

4、 为了使高输出电阻的放大电路与低电阻负载很好地配合，可以在放大电路与负载之间接入【 】 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共射共集串接电路,B,二、两级放大电路的参数如图5（A）所示，设晶体管T1、T2的1=2=50，VBE1=VBE2=0.7V，晶体管T1的rbe1=1K, 晶体管T2的rbb=114,试求： 1. 第二级电路的静态工作点（IB2Q，IC2Q，VCE2Q）； 2. 画出整个放大电路简化的微变等效电路(注意标出电压、电流的参考方向); 3. 放大电路的电压放大倍数和以及总的电压放大倍数； 4. 该放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro ； 5. 放大电路的最大

5、不失真输出电压； 6.设vi=10sint(mV)，在图（B）上画出vO1，vO2的波形，并注明直流分量和交流分量的幅值大小； 7. 设两级放大器的频率特性分别为： 画出整个放大电路总的对数幅频和相频特性。,解 1. 第二级电路的静态工作点（IB2Q，IC2Q，VCE2Q）；,精确计算,近似计算,2. 画出整个放大电路简化的微变等效电路(注意标出电压、电流的参考方向);,3. 放大电路的电压放大倍数和以及总的电压放大倍数；,4. 该放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro ；,5. 放大电路的最大不失真输出电压；,考虑截止,考虑饱和,6. 设vi=10sint(mV)，在图（B）上画出vO1，vO2的波形，并注明直流分量和 交流分量的幅值大小；,6.5 V,9.8 mV,8.7 V,1.11 V,7. 设两级放大器的频率特性分别为： 画出整个放大电路总的对数幅频和相频特性。,-20dB/十,-40dB/十,- 45 0 / 十,- 45 0 / 十,- 90 0 / 十,三、在图6所示电路中，已知电容C1、C2和Ce的容量足够大。晶体管的=100，VBE=0.7V，rbe=2.7K。 (1)估算电路的静态工作点（IBQ、ICQ和VCEQ）； (2)