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文档简介
1、后沉淀,表面吸附,吸留与包夹,生成混晶,共沉淀,第四节 影响沉淀纯度的因素,影 响 因 素,一、共沉淀现象,当一种难溶性物质从溶液中析出时,溶液中的某些本来是 可溶性的杂质也会被同时沉淀下来的现象。,1. 表面吸附,产生的原因:由于晶体表面离子电荷不平衡所致。,溶 液,第一吸附层 (吸附层),第二吸附层 (扩散层),沉 淀内部,表 面,BaSO4晶体表面吸附作用示意图,例:沉淀重量法测定Ba2+含量 (共存Fe3+),表面 吸附 作用力?,吸附层,扩散层,溶解度(molL-1):25C,吸附层:构晶离子 或与之大小相近、 电荷相同的离子,扩散层:抗衡离子,溶解度小,吸附规律:,吸附杂质的多少取
2、决于?,价态高,浓度大,纯化方法:洗涤,2. 吸留与包夹,吸留:由于沉淀的生成速度过快,表面吸附的杂质离子来不及 离开,被随后生成的沉淀所覆盖而包藏于沉淀内部的现象。,包夹:包藏的为母液,吸留与包夹的区别: 吸留有选择性(吸留的杂质离子符合吸附规律) 包夹无选择性 吸留、包夹与表面吸附的区别: 吸留和包夹 表面吸附 发生部位 沉淀内部 沉淀表面 纯化方法 重结晶或陈化 洗涤,3. 生成混晶,杂质离子与构晶离子的半径相近,电子层的结构相同, 而且所形成的晶体结构也相同时,极易形成混晶。,纯化方法:预先将杂质分离除去。,例:,二、后沉淀现象(继沉淀),当沉淀形成后,在沉淀与母液共置的过程中,溶液中
3、 的某种可溶性杂质慢慢沉淀到原沉淀表面的现象。,Zn2+S2- Ksp(ZnS) ZnS,Mg2+C2O42- Ksp(MgC2O4) MgC2O4,又如:,如何纯化?,后沉淀 主沉淀形成后,诱导本来难沉淀的杂质沉淀下来 缩短沉淀与母液共置的时间,表面吸附 是无定形沉淀不纯的主要原因, 洗涤,吸留、包夹 是晶形沉淀不纯的主要原因,陈化、重结晶,混晶 预先将杂质分离除去,共沉淀,小结,共沉淀与后沉淀对分析结果的影响,测SO42-, 正误差,测Ba2+, 负误差,测Ba2+, 无影响,测S, 负误差,杂质不含待测组分:看能否除去, 能则无影响;否则结果偏高。 杂质含有待测组分: m(M)增加, 结果偏高;m(M)减小,结果偏低。,p329 习题21,三、提高沉淀纯度的方法,选择适当的分析步骤先沉淀含量少的组分 选择合适的沉淀剂有机沉淀剂可有效减少共沉淀 改变易被吸附杂质离子的存在状态分离或掩蔽 选择适当的洗涤剂进行洗涤 及时进行分离,减少后沉淀 再沉淀有效除去吸留或包夹的杂质 改善沉淀条件 温度,浓度,试剂加入次
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