ISE的BlockRAM的设计流程-1.ppt

7.4 基于IP Core的Block RAM设计 7.4 基于IP Core的Block RAM设计 n 本节介绍基于IP Core的Block RAM设计，由于 Block RAM属于特殊结构，使用Xilinx公司提供 的IP Core是比较方便的，而且灵活、高效、不 容易出错（IP Core的使用请见3.1.4节）。 7.4.1双端口块RAM（Dual-Port Block RAM） 双端口RAM的特性 nVirtex、Virtex-E、Virtex-II、Virtex-IIPro、 Spartan、Spartan-II、Spartan-IIE和Spartan- 3系列的FPGA都嵌入了Block RAM。 n支持所有3种Virtex-II写模式 :Read-After-Write 、Read-Before-Write和 No-Read-On-Write（ 只适用于Virtex-II和Spartan-3） n支持RAM和ROM功能。 n支持1到256BIT的数据端口宽度。 n根据选择的不同结构，支持1到2M字的存储深度。 n支持ROM功能，两个端口可以同时对一个地址的数据进 行读操作。 n支持RAM功能，两个端口可以同时对不同的地址进行写 操作，或者对同一地址进行读操作。 n两个端口是完全独立的。 n支持A、B端口的不对称配置。 n支持CORE设计或者使用SelectRAM+ 、 SelectRAM-II 库原语以求面积优化。 n支持不同极性的控制信号引脚：时钟（clock）、 使能 （enable）, 写使能（write enable） 和输出初使化（ output initialization）引脚。 n结合Xilinx的Smart-IP技术使设计更灵活，最优化实现。 2双端口RAM的功能描述 nDual-Port Block RAM是由一块或多块叫做Select -RAM+的4Kb存储块组成的。Virtex-II和 Spartan-3系列的Dual-Port Block RAM是由一块 或多块16 Kb存储块（SelectRAM-II）组成的 ，能构成更宽或者更深的存储器设计。Select- RAM+ 和SelectRAM-II都是真正的双端口 RAM，为Spartan-II和Virtex系列家族的芯片提 供快速、离散的而且足够大的块RAM。因为 Spartan-II和Virtex都使用4Kb的Select-RAM+ 存储块，所以任何涉及到Virtex能实现的RAM， 都可以在Spartan-II、Virtex-E、Virtex-II、 Virtex-IIPro、Spartan-IIE系列中实现。 每个存储器含有两个完全独立的端口A和B ，两个端口享有同时访问存储器中同一地址的 能力，存储器的深度和宽度由使用者自己定义 。两个端口在功能上是完全一样，都可以对存 储器进行读写操作。两个端口可以同时对存储 器的同一地址进行读操作，如果对同一地址进 行操作，一个端口读，一个端口写，那么写操 作成功，而读出的数据是无效的。 根据使用者的定义，可以配置端口A和端口 B的数据宽度和地址宽度。当两个端口被禁用时 （ENA和ENB无效），存储器中的数据和输出 端口将保持不变。当两个端口可用时（ENA和 ENB有效），对存储器的所有操作将在输入时 钟的边沿触发。 n 进行写操作时（WEA或WEB有效），相应数 据端口的数据将写入地址端口所指定的存储地 址中。 在这个操作中，Spartan-II/Virtex和 Virtex-II系列的块RAM的输出端口的动作并不相 同。 nVirtex-II和Spartan-3系列的块RAM的输出端 口的具体实现要根据“写模式”的设置而定。 Virtex-II和Spartan-3系列的块RAM支持3种“写 模式”，每种模式决定了输出端口在写操作发生 后将如何作出反应。 nSpartan-II和Virtex系列的块RAM只支持一种“写 模式”：Read-After-Write。这种写模式使写入 的数据在写操作后呈现在输出端口。 n在读操作时，地址输入端口指定的地址上的 数据在输出端口输出。当同步初始化（ Synchronous Initialization(SINITA或SINITB)） 有效时，有锁存器的输出端口将被同步初始化 ，Spartan-II和Virtex系列将被初始化为0， Virtex-II系列将被初始化为使用者事先定义的数 据。同步初始化操作并不影响存储器中的数据 ，也不会与写操作发生冲突。 n使能，写使能和同步初始化可以被定义为高 电平有效或者低电平有效。 3双端口RAM的引脚 n双端口RAM的Core 引脚如图7.4.1所示 。 图7.4.1 双端口RAM的引脚 n双端口RAM的Core引脚的具体含义列表 于表7.4.1。 端口名称 端口 方向 功能描述 DINA|B可选 输入 数据输入：数据从此端口写入存储器。 ADDRA|B 输入 地址输入：写或者读操作的地址由此端口输入。 WEA|B可选 输入 写使能控制信号：控制数据写入存储器。 ENA|B可选 输入 使能控制信号：写或者读操作的有效控制。 SINITA|B可选 输入 同步初始化控制信号：使输出端口初始化为预先 设定的状态。 CLKA|B 输入 时钟信号：所有存储器操作是在输入时钟的同步 下进行的。 NDA|B可选 输入 握手信号：表示A或者B端口上有新的而且有效的 地址数据。（高电平有效）。 DOUTA|B可选 输出 数据输出端口：存储器的同步数据输出端口。 RFDA|B可选 输出 握手信号：表示存储器已经准备好接受新数据。 （高电平有效） RDYA|B可选 输出 握手信号：表示输出端口上的数据有效。（高电 平有效）。 7.4.2 使用IP Core生成双端口RAM n Xilinx提供了Dual-Port Block RAM的IP Core。 具体如何调用IP Core、生成IP Core见3.1.4节。 这里介绍具体的一些IP Core参数，设计者可以 根据设计的需要设置这些参数。 nDual-Port Block RAM的参数设置窗口分别如 图7.4.2、图7.4.3、图7.4.4、图7.4.5所示。 Dual-Port Block RAM的参数设置一共有4个窗口 ，可以单击按钮进入下一个窗口。 图7.4.2 Dual-Port Block RAM的参数设置窗口 图7.4.3 Port A Block RAM的参数设置窗口 图7.4.4 Port B Block RAM的参数设置窗口 图7.4.5 Dual-Port Block RAM的参数设置窗口 n元件名称（Component Name）:为了生成IP Core，必 须为生成的文件取一个名称。 n端口A存储器大小（Memory Size）： n数据端口A宽度（Width A）：可以选择数据端口A的宽度，宽 度可以从1到256。 n地址端口A深度（Depth A）：可以选择存储器的字节数 。根据所选择的不同结构，字节数可以从2BIT到2M。 可以选择的地址深度要根据所选择的数据端口A的宽度 而定。Spartan-II和Virtex系列的块RAM的最大字节数为 256K，Virtex-II和Spartan-3系列的块RAM的最大字节数 为1M。必须注意生成的CORE的大小不能超过目标器件 库原语的大小 端口B存储器大小（Memory Size） ： 数据端口B宽度（Width B）：可以选择数据端 口B的宽度，可以选择的数据端口B的宽度取决 于定义的数据端口A的宽度。对于Spartan-II和 Virtex系列的块RAM，能够选择的宽度可以是1 ，2，4，8或16倍A端口的宽度。对于Virtex-II 系列的块RAM，能够选择的宽度可以是1，2，4 ，8，16或32倍A端口的宽度。 n地址端口B深度（Depth B）：定义了Width A、Depth A和Width B后，Depth B的值将为 定值。根据端口A和B定义的存储器的大小必 须相等可以计算出Depth B。 n端口A可选项（Port A Options）: n配置（Configuration）选项：可以选择的 有Read And Write（读和写）, Write Only （只写）和Read Only（只读）。 n写模式(Write mode)选择：可以为Virtex-II 系列的块RAM选择写模式。Spartan-II和 Virtex系列的块RAM只支持Read After Write模式。 Read After Write模式（支持的有Virtex-II、Spartan-II、 Spartan-3、Virtex），可能有下面几种情况： n没有输入输出寄存器时：数据在WEA信号有效 后的第一个时钟沿传送到端口DOUTA。 n仅有输入寄存器时：数据在WEA信号有效后的 第二个时钟沿传送到端口DOUTA。 n仅有输出寄存器时：数据在WEA信号有效后的 第二个时钟沿传送到端口DOUTA。 n有输入和输出寄存器时：数据在WEA信号有效 后的第三个时钟沿传送到端口DOUTA。 nRead After Write模式的时序如图7.4.6所示。 图7.4.6 Read After Write模式时序 nRead Before Write模式（支持的有Virtex- II、Spartan-3），可能有下面几种情况： n没有输入输出寄存器时:在WEA信号有效后的第 一个时钟沿，存储器中当前地址上的数据被传 送到端口DOUTA。 n仅有输入寄存器时：在WEA信号有效后的第二 个时钟沿，存储器中当前地址上的数据被传送 到端口DOUTA。 n仅有输出寄存器时：在WEA信号有效后 的第二个时钟沿，存储器中当前地址上 的数据被传送到端口DOUTA。 n有输入和输出寄存器时：在WEA信号有 效后的第三个时钟沿，存储器中当前地 址上的数据被传送到端口DOUTA。 图7.4.7 Read Before Write模式时序 nNo-Read-On-Write模式（支持的有Virtex-II、Spartan-3） ：当WEA有效时，不会进行读操作。DOUTA端 口将保持上一次读操作的数据。 No-Read-On-Write模式时序如图7.4.8所示。 图7.4.8 No-Read-On-Write模式时序 n端口B可选项（Port B Options）: 端口B可选项 与端口A可选项相同。 n端口A设计选项（Port A Design Options）: 1 可选引脚端（Optional Pins）： a. 使能引脚端。 b. 握手信号引脚端。包括ND、RFD、RDY 信号，它们的含义如表7.4.1所示。需要注意的 是，ND信号必须在RFD有效时才能有效。RFD信 号在EN信号有效时一直是有效的。 可选输入寄存器（Register Options） ：可以为 端口DIN、ADDR和WE添加输入寄存器。 可选输出寄存器（Output Register Options）: n a. Additional Output Pipe Stages:选择1可以为 输出端口再增加一级寄存器，选择0不加寄存器 。 n b. 初始化（SINIT）引脚： SINIT引脚的含义见 表7.4.1。 n引脚极性（Pin Polarity）：使用者可以 为存在的引脚极性配置。对于时钟信号 ，可以配置成上升沿或下降沿触发。对 于EN、WE和SINIT引脚端，可以配置 成高电平或低电平有效。 n端口B可选项（Port B Options）: 端口B可选 项与端口A可选项相同。 n库原语选择（Primitive Selection）：有两项 可供选择。 n面积优化（Optimize For Area）。 n选择库原语（Select Primitive）。Virtex、Virtex- E和Spartan-II的库原语有4kx1, 2kx2, 1kx4, 512x8和256x16。Virtex-II的库原语有16kx1, 8kx2, 4kx4, 2kx9, 1kx18, 和 512x36. n初始化（Initial Contents）:可以设置配置后 存储器中的初始值。 n全局初始化值（Global Init Value）：全局初始化 值定义了配置后存储器中初始值。缺省（默认） 为0。注意输入的值必须是16进制，并且其大小 不能超过A端口能输入的最大值。 n加载初始化文件（Load Init File）：存储器中的 初始值可以保存在一个以COE为后缀的文件中， 加载这个文件可以使存储器在配置后，各个单元 的初始值为文件中所列出的值。 7.4.3 使用Memory Editor生成COE文件 n前面提到，可以为双端口RAM提供一个初始 化数据文件，加载这个文件可以使RAM在配 置后，各个单元的初始值为文件中的所列出 的值。下面介绍