U盘电路板结构图解说明及简单维修方法.docVIP

U盘电路板结构图解说明及简单维修方法 （缺少图） U盘的结构比较简单，主要是由USB插头、主控芯片、稳压IC(LDO)、晶振、闪存(FLASH)、PCB板、帖片电阻、电容、发光二极管(LED)等组成。USB插头：容易出现和电路板虚焊，造成U盘无法被电脑识别，如果是电源脚虚焊，会使U盘插上电脑无任何反映。有时将U盘摇动一下电脑上又可以识别，就可以判断USB插口接触不良。只要将其补焊即可解决问题。稳压IC：又称LDO，其输入端5V，输出3V，有些劣质U盘的稳压IC很小，容易过热而烧毁。还有USB电源接反也会造成稳压IC烧毁。维修时可以用万用表测量其输入电压和输出电压。如无3V输出，可能就是稳压IC坏了。但有一种情况，输出电压偏低，且主控发烫，这时就是主控烧了。还有些U盘会在USB+5V和稳压IC之间串一个0欧姆的保护电阻，此时稳压IC没有5V输入电压就是它坏了。 现在许多主控都将LDO集成到主控内部了，所以我们会看到许多U盘都没有外置LDO了，它们都是USB+5V电压直接输入。这种情况就要换主控了。晶振：早期的U盘大多都是用6M的晶振，现在的U盘则普遍采用12M晶振。晶振不耐摔，所以它是U盘上的易损件，最好的维修方法就是用相同频率的晶振直接代换。主控芯片：主控制芯片负责闪存与USB连接，是U盘的核心，我们一般所说的U盘方案就是指主控芯片的型号。量产工具也是与它对应的。有些主控芯片还要输入3V的电压给FLASH供电，保证闪存的正常工作。 FLASH焊盘：它的作用是固定闪存，使闪存与主控连接。受外力挤压后容易使闪存与焊盘接触不良，这时会造成电脑上的U盘打不开，无法存储文件等。只要将闪存的引脚补焊一下就可以修复，也即我们常说的拖焊。u盘结构图 闪存名称的由来主要就是因为其存储介质是Flash Memory，有多种技术能实现半导体存储，其中主要有NAND（与非）和NOR（异或）两种。而我们如今用的“大容量”闪盘基本都是NAND型的，这是为什么呢？最主要的原因是：两者容量/单位成本！其次是速度！都有很大不同，因此应用场合有所不同。先来讲讲速度Flash闪存是非易失存储器（所谓非易失性即掉电仍旧能保存信息的特性），可以对称为块的存储器单元“块”进行擦写和再编程。NAND电子盘模块结构图，内部不存在存储控制器，我们可以简单地认为某容量（比如32MB）内部分成一个个小方块似的存储空间，每个空间内都能存储一定量大小的信息。NOR型闪存的块大小为64128KB，而NAND型闪存块的大小为832KB，在上一篇中介绍的三星闪存块头大小就是16KB，整个32MB容量是由2000个这样大小的存储空间组成。任何Flash闪存的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除操作。NAND闪存执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位（bit）都写为0。NAND型的单元排列是串行的，而NOR型则是并行的。在NAND型闪存中，存贮单元被分成页，由页组成块。根据容量不同，块和页的大小有所不同，而组成块的页的数量也会不同，如8MB的模块，页大小为（512+16）Byte、块大小为（8K+256）Byte；而2MB模块，页大小为（256+8）Byte、块大小为（4K+128）Byte。该三星闪存芯片的页大小为（512+16）Byte，块大小为（16K+512）ByteNAND型存贮单元的读写是以块和页为单位来进行的，像硬盘多过像传统的内存。实际上，NAND型的Flash Memory可以看做是顺序读取的设备，它仅用8比特的I/O端口就可以存取按页为单位的数据。正因为这样，它在读和擦文件、特别是连续的大文件时，与NOR型的Flash Memory相比速度相当的快。但NAND型的不足在于随机存取速度较慢，而且没有办法按字节写；这些方面就恰好是NOR型的优点所在：NOR型随机存取速度较快，而且可以随机按字节写。正因为这些特点，所以NAND型的Flash Memory适合用在大容量的多媒体应用中，而NOR型适合应用在数据/程序存贮应用中。好了，我们来看一下两者写入/擦除的速度有何不同： NOR NAND写入/擦除一个块操作时间 15s 24ms读性能 12001500KB 600800KB写性能 80KB 200400KB大家看到，根本不是一个数量等级上的，大概相差1000倍！所以NOR型闪存比NAND慢了很多尤其是在写入数据时。为什么会慢呢？除了执行动作“与非”比“异或”操作快很多外（这个在基础电子学中说得非常明白），另一个原因是NOR的每块体积大，肥肉多，电子要把其一口吞掉实在是需要多花费功夫的。而且，执行擦除操作时尺寸的不同进一步拉大了两者之间的性能差距。我们把两者总结如下： NOR的读速度比NAND稍快一些； NAND的写入速度比NOR快很多； NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快； 大多数写入操作需要先进行擦除操作； NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。但是，速度问题就这么简单吗？我们再来看看两者接口的不同对速度造成的影响。NORNAND接口/总线SRAM接口/独立的地址数据总线8位地址/数据/控制，I/O接口复杂读取模式随机读取快串行地存取数据我们看到，NOR因为有足够的地址引脚来寻址，Cell索引表与每个Word Line及Bit Line相连，可以很容易地随机存取其内部的每一个字节，而NAND却不同，Cell表紧密连接，一串中只有前后Cell才与Bit Line相连，因此集成度较高，处理速度较慢尤其是随机读取时需要一串串查找。再来讲讲成本、容量和寿命的区别NAND成本较低，单元尺寸约为NOR的一半，生产过程简单，同样大小可以做更大的容量。容量及应用场合116MB，主要用于存储代码8MB1GB，主要用于存储数据，比如CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡从电子制造成本方面说，越小精密度越高的东西反而成本越低（这与做MP3不同），当然，采用先进制造工艺比如.18微米工艺能大幅降低成本。最后说说可靠性和寿命问题 NOR NAND擦写次数(耐用性) 约10万次 约100万次位交换(bit位反转) 少 较多关键性数据需要错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法坏块处理无，因为坏块故障率少、随机分布，无法修正我们看到，NAND闪存除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些，而且寿命较长，是NOR的十倍左右。其次，NAND因为是内部是半导体存储模块（晶体管），很难保证寿命期内没有任何坏块出现（晶体管在高温、震动或者疲劳读写情况下容易失效），我们通常是通过对闪存进行初始化扫描发现坏块，并将其标记为不可用这样一来，闪盘的容量会越来越少，不信你连续格式化100次，看看有没有“缩水”的？这很好地解释了闪盘容量“神秘”减少的原因。闪盘的驱动决定了存储的数据决不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。简单地说，NOR