半导体三极管课件1.ppt

半导体三极管,作者：唐刚 单位：xxxxxxxxxx,收音机,录音机,半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管,发射结(Je),集电结(Jc),基极，用B或b表示（Base）,发射极，用E或e 表示（Emitter）；,集电极，用C或c 表示（Collector）。,发射区,集电区,基区,三极管符号,第一节 半导体三极管,一、三极管的结构与符号,小型三极管塑料封装,小型三极管金属封装,中功率三极管,大功率三极管,结构特点：, 发射区的掺杂浓度最高；, 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；, 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。,管芯结构剖面图,二、三极管的电流放大作用,1、电流放大的原因 三极管的放大作用在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来 内部条件：内部结构上的特点 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置,2. 内部载流子的传输过程,发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制 载流子 （以NPN为例）,载流子为自由电子,3、实际偏置电路,一般参数 EC EB RB RC,三极管的电流分配关系： IE = IB + IC 而且 IC IB ， IC IB IC = IB ； IE =(1+ ) IB ； iC = iB ； iE = (1+ ) iB ；,三极管的交流放大系数： =IC /IB,三极管的直流放大系数： =IC /IB,三、三极管的特性曲线,极间电压和各极电流之间的关系； 包括输入特性和输出特性两组；,B,C,IB,RB,EB,EC,RC,Ic,IE,E,输入回路： EB 、 RB 、B、E； 输出回路： EC 、 RC 、C、E；,共射极电路,UCE,UBE,V,1、输入特性,IB = f（ UBE ）| UCE = 常数,2、输出特性,IC = f（ UCE ）| IB = 常数,从输出特性曲线上，将三极管划分为三个工作区： 截止区、放大区、饱和区；,截止区,（1）截止区 UBE小于死区电压（或发射结反偏） IB =0；IC = ICEO （穿透电流）；,（2）放大区 发射结正偏，集电结反偏： IC 与 UCE 几乎无关； IC 大小IB控制； IC IB 定义 = IC /IB = IC /IB ） UBE ：硅0.7v ; 锗0.3v,（3）饱和区 UBE UCE （集电结正偏）： 集电极饱和电流 ICS IB ； IC 大小不再受IB控制； ICS = （ EC - UCES ）/ RC ； ICS = IBS,U,四、主要参数,1、交流放大倍数与支流放大倍数,2、 ICBO 集电极-基极反向饱和电流： 受温度影响较大，是影响管子工作特性的主要因素；,3、 ICEO 穿透电流： 受温度影响较大，是影响管子工作特性的主要因素；,4、几个极限参数： ICM：集电极最大电流； UCEO： 集-射反向击穿电压； PCM ：集电极最大允许功耗；,五、温度对参数的影响,1、对ICEO和ICBO的影响； 2、 ：温度升高1， 值增大0.5%1%; 3、对UBE的影响：温度升高1， UBE 约下降22.5mv; 4、温度升高， IC值增大;,收音机电路板,课后总结： 本节课主要讲解三极管的结构与符号。电流放大作用。输入特性和输出特性。 重点： 三极管的符号 难点