研磨 划片工艺技术ppt课件.ppt

研磨/划片工艺技术问题的探讨,BG/DS工艺BG/DS材料BG/DS质量控制,研磨减薄设备性能的差别,G&NMPS2R300/400S48英寸wafer、250um的能力T46(40/60）单轴实现粗磨/精磨的优劣点研磨能力强、TTV/粗糙度差DFG8540/82IF全自动程序控制48inchwafer、150um/200双轴、冷却水温度控制4/6粗磨、40/60精磨TTV3um,减薄工艺参数的差别,起始高度（typewafer空切量）碎片空切量（50um）碎边粗磨速度1/2（58um/sec）裂片精磨起始高度（粗磨结束高度）精磨空切量（1020）烧片精磨速度1/2（0.80.2）TTV粗糙度结束高度（type+spec）THICKNESS抛光时间（90sec）背面粗糙度和TTV,减薄操作的要点,贴膜墨点高度和密度对减薄质量的影响气泡和异物导致裂片、进水指甲、刀具、空膜引起划伤揭膜揭膜角度尽量小，防止拉起圆片致裂Wafer转移双手拿取圆片边缘，湿脏的手指是圆片粘污的诱因,减薄异常问题的处理,厚度异常作业前调零、首检的重要性设备异常的及时反馈裂片圆片边沿墨点的特殊处理（158刮墨点）异常现象的警觉（底盘凹坑引起裂片）混批作业顺序和产品放置、清洗顺序,划片设备的差异,BBD功能的正确使用防止刀片破损造成擦伤OPT功能的合理使用科学控制切割留深减少背面缺损和残留的方法背面缺损的顾客投诉Step切割方式的区别全面采用面step切割的好处SDIP32芯片裂纹测试投诉自动切割程序管理减少人为修改对划片造成的可变因素,切割水的正确方向,刀片冷却水的重要性,0.91.5l/min的重要性（为什么修改原来1的标准刀刃的晃动是chipping加剧的根源,划片质量的要点,贴片贴片台异物、凸起造成芯片划伤芯片划伤（KFJ/219）投诉烘热长时间烘热增加圆片与type的黏合力，影响DB校正细化操作方法的规则（划偏）,清洗自然晾干导致硅屑残留自检、MC检、VI检验态度、标准的掌握粘污变色CO2DI水的目的、清洁剂的使用,部分投诉、制造异常,a.投诉背面缺损圆片背面蒸铝影响切割，导致背面缺损严重切割留深:由0.06um下降为0.055um划片刀：HE3070替代27HDDD切割速度：由60mm/sec下降为40mm/secb.SDIP32芯片裂纹圆片厚度280um切割过程中应力释放不均导致裂纹280um的产品采用AS切割模式c.芯片划伤（KFJ/219)贴片台异物造成芯片划伤d.制造异常DAD3350划偏设备异常改善设备排风和Y轴部件更换软件预防措施不足升版升版软件、改进校正方法、增加图像检查e.芯片粘污、变色压焊块切割后腐蚀采用清洁剂划片清洁剂粘污清理设备管道，清楚清洁剂的残留物f.待解决的产品问题清洁剂粘污问题（残留污染）g.新工艺产品背面缺损标准产品表面判定基准产品监控,清洁剂的运用,Diamflow168C/SSC-988A/SD18的作用Lessdierejectfromwafer減低不良率Increaseproductquality提昇產品品質Reducesurfacetension減少表面張力ExtentSawBladelife延長晶圓切割刀壽命Imp