（物理电子学专业论文）有机聚合物调制器电极设计与工艺.pdf

摘要 摘要 聚合物光调制器是目前世界范围的一个研究热点，在光通信方面有广泛的和极具吸引力的应用 前景，对它的研究工作具有重要的意义。调制电极作为电光调制器中不可缺失的组成部分，它的制 作工艺研究显然亦具有十分重要的现实意义。 本文研究了有机聚合物调制器电极的设计和制备工艺，主要研究内容如下：首先，研究了电光 调制器的基本原理，根据实际系统要求，设计了1 g h z 聚合物光波导电光调制器微带电极系统。依据 微带系统的电路模犁对设计参数进行了分析和验证，在综合考虑波导参数的情况下，确定了调制电 极的系列设计参数。其次，为了获得较好的电极金属层，研究了真空蒸镀和电镀制作工艺。通过对 薄膜厚度、蒸镀时间、蒸镀电流、真空度和电镀时间等制备参数之间关系的研究，总结出真空蒸镀 电流1 2 0 a 、蒸镀时间4 5 m i n 、电镀时间3 5 m i n 、c r a u 金属薄膜厚度为2 2 t a m 的最佳制备工艺参数。最 后，为了获得完好的电极图形，研究了光刻和腐蚀微细加工制作工艺。通过对套刻、显影时间、腐 蚀液配比和腐蚀时间的研究，总结出显影时间1 9 s e e 、a u 层腐蚀时间i m i n 3 0 s e c 、c r 层腐蚀时间为8 s e e 的最佳工艺参数。同时制备出了满足实验需要的电极，为聚合物电光调制器的制备工作提供了良好 的研究基础。 关键字：有机聚合物调制器；电极设计；真空蒸镀；电镀；光刻；腐蚀 a b s t r a c t a b s t r a c t p o l y m e ro p t i c a ld e v i c e sa r ev e r yp r o m i s i n gi nt h ef i e l do fo p t i c a lc o m m u n i c a t i o na n di n t e r c o n n e c t j o n a sak e yc o m p o n e n to fa ne l e c t r o - o p t i c a lm o d u l a t o r ，t h es t u d yo nt h ef a b r i c a t i o no fe l e c t r o d e so fa n e l e c t r o - o p t i c a lm o d u l a t o ri sv e r yi m p o r t a n t t h ed e s i g na n df a b r i c a t i o n o f e l e c t r o d e so f a ne l e c t r o - o p t i c a lm o d u l a t o ri sd i s c u s s e di nt h i sp a p e r f i r s t l y ，m i c r o - s t r i pe l e c t r o d e sf o rig h zl u m p e d e l e m e n tp o l y m e re l e c t r o - o p t i c a lm o d u l a t o rw e r ed e s i g n e d b a s e do nt h er e q u i r e m e n t so f t h es y s t e m as i m p l er l c e q u i v a l e n tc i r c u i tm o d e lp r e d i c t st h em o d u l a t o r p e r f o r m a n c e t h ew i d t ho f t h e m o d u l a t o re l e c t r o d e si s12 p m ，t h ei e n l g t hi s16 m m ，a n dt h ed i s t a n c eb e t w e e n t h em o d u l a t o ra n dd cb i a si s10 9 m s e c o n d l y , a s t u d yo nt h ef a b r i c a t i o no fc r a uf i l mw a sc o n d u c t e db y t h et e c h n o l o g yo f v a c u u me v a p o r a t i o na n de l e c t r o p l a t i n g i ti sc o n c l u d e dt h a tt h ee v a p o r a t i o nc u r r e n ti s 1 2 0 a , t h ee v a p o r a t i o nt i m ei s4 5 m i n ，a n dt h ee l e c t r o p l a t i n gt i m ei s3 5 m i na n dt h et h i c k n e s so f t h ec r a u f i l mi s2 2 1 a m a n dt h el a s t ，as t u d yo nt h ef a b r i c a t i o np r o c e s s e so f l i t h o g r a p h ya n dc o r r o s i o nw a s c o n d u c t e d t h ep a r a m e t e r so f t e c h n o l o g yi sc o n c l u d e dt h a tt h ed e v e l o p m e n tt i m ei s19 s e c ，t h et i m eo f a u f i l mc o r r o s i o ni sl m i n 3 0 s e c ，a n dt h et i m eo f c rf i l mc o r r o s i o ni s8 s e c a l lt h i se j e c t r o d e 幺b r i c a t i o n t e c h n o l o g yc o n t r i b u t e st ot h ef u r t h e rs t e p so f t h ef a b r i c a t i o no f t h ep o l y m e re l e c t r o - o p t i c a lm o d u l a t o r k e y w o r d s ：p o l y m e re l e c t r o - o p t i c a lm o d u l a t o r , e l e c t r o d ed e s i g n ，v a c u u me v a p o r a t i o n ，e l e c t r o p l a t i n g ， l i t h o g r a p h y , c o r r o s i o n h 东南大学学位论文独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知， 除了文中特挣j j j n p _ j 标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含 为获得东南大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任 何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 研究生签名：z 至i 叁1 3 期： 东南大学学位论文使用授权声明 东南大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆有权保留本人所送交学位论文的 复印件和电子文档，可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。本人电子文档的内 容和纸质论文的内容相一致。除在保密期内的保密论文外，允许论文被查阅和借阅，可 以公布( 包括刊登) 论文的全部或部分内容。论文的公布( 包括刊登) 授权东南大学研 究生院办理。 研究生签名：21 l 是导师签名： 日期： 第一章绪论 1 1 集成光学概述 第一章绪论 随着信息时代的到来、高速光通信、光信息处理，光储存和显示等高新技术的飞速发展，使得 光纤光学器件的市场急剧地膨胀，根据国际工业界分析，这类器件的年产值将从2 0 0 1 年的5 5 亿美 元快速增长到2 0 0 3 年的2 3 0 亿美元，而2 0 0 5 年将达到1 5 0 0 亿美元。2 1 世纪光电子产业发展潜力 巨大。2 0 1 0 年，国际上光子信息处理器件产值与电子信息器件产值即将达到可以相比拟的程度，人 们预言到2 l 世纪中期，光子产业将超过电子产业的规模和影响，光电子产业将成为2 1 世纪的支柱 产业。其中光子集成是光了器件发展的必然趋势。 集成光学的名称是由m i l l e r 在1 9 6 9 年首先提出。而如果要考察光波导最早的研究则应追溯到 1 9 1 0 年，由h o n d r o s 和d e b y e 关于电介质棒的研究工作。后来的研究主要针对微波工程应用的介质 波导。直到激光问世，才真正开始了光波导的研究。在2 0 世纪6 0 年代，国际上的研究组织主要对 光波导理论、光波导特性的测量、光波导耦合方法等进行了比较全面和深入的研究。在7 0 年代中期 开发出各种光波导器件，当时研究的光波导材料和器件比较集中于玻璃和晶体等电介质材料。由于 这些材料不能构成激光器和探测器，因而开发的集成光学系统以混合集成为主，如射频频谱仪、模 数转换器等。进入8 0 年代，研究工作更多地转向了半导体光波导器件，特别是对激光器集成化的研 究，并将光电子集成( o e i c ) 和光子集成( p i c ) 提上了日程。进入9 0 年代，为了满足实际应用的要求， 光集成系统在原来的二维平面波导结构的基础上进一步向空间和三维结构以及一维全光纤结构发 展，并迸一步演变为光一电一机综合集成系统| 2 , 3 1 。 集成光学的概念内容广泛。从集成方式划分，可分为光子集成和光电集成。从集成形式上划分， 可分为混合集成( 所谓混合集成，指用不同的工艺制作各种元件以后，再组装在半导体或光学晶体 衬底上) 和单片集成( 所谓单片集成，指在一块衬底上制作需要的光学元件) 。从研究内容上划分， 可将其划分为波导光学和集成光路两部分。 集成光学系统与传统的光学体器件系统相比，具有体积小、质量轻、坚固紧凑、无需人工对准、 适宜平面工艺大批量生产和成本低等优点。集成光学的出现是近代光学发展史上的一个重要里程碑。 1 2 外光调制器种类 按照调制器的工作原理，光调制器可以分为声光调制器、磁光调制器、电致吸收调制器以及电 光调制器。 声光调制器的物理基础是声光效应引起的布拉格衍射和拉曼纳斯衍射。在这两种衍射方式中， 1 东南大学硕士学化论文 声波在晶体中造成的折射率周期性的变化形成了一个光学位相光栅，布拉格衍射方式是利用了光通 过位相光栅的反射而形成的；拉曼纳斯衍射方式则是入射光透过位相光栅形成的。两种衍射方式行 成的衍射条纹强度均随信号变化，形成声光强度调制。 磁光调制器主要利用了法拉第旋光效应，入射偏振光经过旋光晶体后偏振面转过一定角度，其 转角和外加磁场强度有关，因此出射光经过检偏器后强度随外磁场强度变化。 电致吸收型调制器，主要利用量子限制s t a r k 效应，即激予吸收峰在外电场下表现为吸收边的移 动和吸收系数的变化，在工作波长靠近吸收峰时器件上的调制电场将产生明显的吸收调制。电吸收 型调制器的特点是体积小，调制电压低，一般2 3 v ，易于集成，通常是和光源集成为电吸收调制光 源( e m l ) 来使用，但是存在频率啁啾的缺点。 电光调制器是利用介质的线性电光效应( e l e c t r o - o p t i ce f f e c t ，e o ) ，也称p o c k l e s 效应来工作的。 由于电光效应，介质的折射率变化随信号电压线性改变，介质折射率变化最终反映到光波相位、振 幅或频率上，实现光调制。 以上几种调制器的原理和使用材料一览表见表1 1 。 表1 1 光调制器中的物理现象和材料一览表f 4 i 利用的物理现象 光调制原理代表性材料 电光效应 p o c k l e s 效应折射率与电场成正比l i n b 0 3 ，k d p ，g a a s ，g a p 法拉第旋光效 磁光效应偏振面的旋转和磁场成正比 g 应 布拉格衍射由声波形成的三维光栅产生光衍射 p b m 0 0 4 ，t e 0 2 ，b i1 2 g e 0 2 0 ，熔 声光效应 融石英 p b m 0 0 4 , t e 0 2 ，b i l 2 g e 0 2 0 ，熔 拉曼纳斯衍射由声波形成的二维光栅产生光衍射 融石英 f r a n z k e l d y s h 块状半导体的吸收端随外加电场移动 电场吸收 效应并吸收系数也变化 效应量子限制s t a r k 量子阱内的激子吸收随外加电场变化 i n g a a s i n a i a s 多量子阱 效应 i n g a a s l n g a a s p 多量子阱 从表1 1 可以看出，比较其它几种调制器，电光调制器具有明显的优势。它的响应速度快，调 制速率高，带宽也大，易于集成，器件的半波电压较低，通常小于5 v ，此外电光调制器也无频率啁 啾。因此，目前对电光调制器的研究工作一直是国内外研究工作的热点。 按照使用的材料，光调制器可以分为： 半导体光调制器：主要是电场吸收型调制器，材料多为l n g a a s i n a i a s 和i n g a a s i n g a a s p 多量 子阱。半导体的电光调制器较少，因为大多数半导体材料的电光系数都很小。 l i n b 0 3 调制器：它是一种电光型的调制器，l i n b 0 3 晶体是无机材料中电光系数最大的铁电晶体， 而且其光学损耗很低。是目前光通讯主干线高速长距离传输中使用的主要外调制器。由于l i n b 0 3 晶体的介电常数比较大，因此微波和光波之间的速度失配较大，调制带宽受到限制，如果要提升器 2 第一章绪论 件的带宽，需要对波导和电极作复杂的设计，i ：1 前商用器件的带宽可达4 0 g h z 左右。l i n b 0 3 调制 器的特点是：损耗小，典型的器件插损为4 d b 左右，无频率啁啾，器件的半波电压5 v 。 聚合物电光调制器：下一代的电光调制器。与半导体和l i n b 0 3 材料相比，带宽大、半波电压低， 聚合物材料具有无以伦比的优越性，因而受到研究者的广泛关注1 5 一i ，尽管如此，聚合物电光调制器 目前仍然存在诸如稳定性、损耗高等问题，因而这方面的研究还停留在实验室阶段。在研究的各种 调制器中，目前商用化了的只有电吸收型的半导体调制器1 1o 1 以及m a c h z e h n d e r 干涉仪结构的 l i n b 0 3 电光调制器【1 2 - 1 4 。为了更具体、直观地显示以上三种电光调制器的差别，在表1 2 中，给出 了g a a s 、l i n b 0 3 、e o 聚合物三种不同材料制作的电光调制器性能比较。 表1 2g a a s 、l i n b 0 3 、e o 聚合物三种电光调制器性能比较1 1 5 1 e op o l y m e rl i n b o ，g a a s p a r a m e t e r s c u r r e n tf u t u r es h e l fl a bs h e l f v n ( 3 5 51 3 5 7 2 55 7 p 扛( d b m ) 1 5 1 84 1 3 3 2 1 2 一1 8 2 4 v n l ( v c m ) 8 1 05l o1 0 1 0 b a n d w i d t h ( g h z ) 4 06 5 1 1 01 8 2 03 0 7 0 5 0 i n s e r t i o n 1 2 1 4昏93 5 3 59 1 2 l o s s ( d b ) m a x s t o r a g e 6 0 9 07 0 1 0 0 9 0 。c p k g n a 8 0 c p k g t e m p ( ) m a x o p t i c a l n an a2 5 0n a3 0 p o w e r ( m w ) s t a b i l i t y n an as m a l ld r i rl o w d r i rl o wd r i f t c o s t ( 1u n i t ) n an a $ 6 5 0 0 n a $ 1 7 0 0 0 1 3 有机聚合物调制器研究的意义 电光调制器芯片是将电视、计算机、电话和雷达等电信号，快速转换为光信号的光学芯片。这 种芯片的制作及相关技术，涉及面很广。与高速计算机检测地面资源，电子系统监视的传感器的制 作、电力供应部门的电压传感器的制作，以及社区网络的快速开关、平板显示、汽车袖珍防撞雷达、 三维全息摄影、超快1 8 0 光束控制等技术均密切相关。因此，这是一种可能在许多工业部门有重要 3 东南大学硕士学位论文 应用，特别是对丁远距离通信和相关工业将有巨大影响的高新技术。随着研发工作的进一步深入开 展，其应用范围仍在急剧扩展中。目前可以使用的电光调制器由无机品体铌酸钾制成。由于价格原 因，其应用范围受到限制，随着急剧扩大的需求，特别是光电子器件进入家庭即使用者的平民化， 迫切需要一种制备相对简单、价格青望大幅度下降的新型电光调制器出现。 通过1 2 节中对各种调制器的对比可以看出，有机聚合物材料的电光系数极高，可以高达 1 5 0 p m v ，这约为l i n b 0 3 的5 倍，因此器件的半波电压很低，目前已经达到o 8 v ，远低于目前l i n b 0 3 调制器的水平。一般来说，光调制器应用于光纤通讯系统时，光纤链路的增益反比于半波电压的平 方，而且在低增益下链路的噪声指数直接正比于半波电压的平方，所以光通讯系统中的调制器通常 要求半波电压越低越好，通常 ：抽真空系统、电气系统和镀膜窒，其中抽真宅系统包括 机械泉和油扩散泉两部分。 图3 - 1 真空镀膜机结构 1 。真空室；2 。热偶计规管；3 。放气阀；4 。预抽气阀；s 。扩散泵出口阀；6 。电离规管；7 。高阀；8 。油扩散泵j 9 。储 气 上图中真空室由钟罩、蒸发器、挡板、轰击棒支架、烘烤炉等组成。具体结构如图3 2 所示。 钟罩和底板组成一个密封的真空室，在室内能进行各种操作，蒸发器由加热电极和蒸发源两部分组 成，蒸发源有钨丝绕成的螺旋状或蒸发舟形式。蒸发源上面的挡板可转动。它能挡住一些奔向镀件 的杂质蒸气分子。放置镀件的支架可以转动，以便镀上均匀的膜层。 图3 2 真空室的结构 1 轰击棒；2 烘烤炉；3 烘烤电极及插头；4 工件架；5 蒸发档板；6 蒸发源；7 蒸发电极 2 1 东南大学硕二 ：学位论文 2 、薄膜生长过程 薄膜成核长大过程相当复杂，它包括一系列热力学和动力学过程，其中的具体过程有：原子沉 积到衬底、从衬底再蒸发、在衬底、晶核上表面扩散和界庙i 处互扩散、成核( 包括形成各种不同大 小、数量不断增多的亚稳定晶核、临界晶核和稳定晶核) 、长大等过程，如图3 3 所示。 表丽扩教 成援 豆扩敬 图3 - 3 原子沉积到衬底、从衬底再蒸发、在衬底和晶核上扩散、成核、长大等过程 在一般的薄膜生长条件下，从气相沉积到衬底的原子会在衬底上相互聚集在一起成核长大。成 核长大的驱动力来自固相自由能比气相自由能低，气相的过饱和度愈高，自由能的降低愈显著。在 已有的衬底上成核被称为非均匀成核1 5 3 , 5 4 。设衬底上的核呈球冠状，如图3 - 4 所示，球面的曲率半 径为r ，球面和衬底的湿润角为0 ，则球冠的半径为r s i n o 、球冠高度为r ( 1 一c o s o ) 。 图3 4 衬底上的球冠状晶核 表面张力和界面张力平衡时有如下关系： c r c o s o = 口一口。 ( 3 1 1 ) 式中口是球冠晶核球面的表面张力，口是衬底表面张力，口。是晶核和衬底的界面张力。根据 宏观的成核理论，b 衬底上的a 薄膜生长以球冠的形状开始成核，核的高度和底面半径之比由a 元 素对b 衬底的湿润性决定，湿润性愈小，球冠愈平坦。由式( 3 1 1 ) 可以看出b 衬底的表面能口等 第三章真空蒸镀电极金属层工艺研究 于或大予a 元素的表面能口和b 衬底、a 品核的界面能口”之和( 口口+ 口。) 时湿润角为零，冠 球核的高度为原予伯i 的厚度，即冠球核转化为单原子层核。反之，口 口+ a 。时湿润角不为零，冠 球核有定的高度。因此在清洁的晶体村底上薄膜的生长的模式可分为三种： 二维生长( f r a n k v a nd e rm e r w e ) 模式，又叫层状生长模式。湿润角为零，b 衬底上形成许多二 维a 晶核，晶核长大后联结成单原子层，铺满衬底后继续上述牛长过程，一层层生长。沉积物质分 子或原子与衬底原子键合并采取二维扩展模式，与衬底浸润性好。 三维生长( v o l m e r - w e b e r ) 模式，又叫岛状生长模式。湿润角不为零，b 衬底上形成三维的岛 状a 晶核，岛状a 晶核长大后形成表面粗糙的多晶膜。沉积物质分子或原子相互键合，避免与衬底 原子键合，浸润性较差。 单层二维生长后三维生长( s t r a n s k i k r a s t a n o v ) 模式，又叫层状岛状中间生长模式。该模式处 于前两者之间，先形成单层膜后再岛状生长。这种模式一般发生在二维生长后膜内出现应力的场合。 三种模式的示意图见图3 5 。 e l 蛆 仁= = j 1 0 2 = = = = = 勿, ( a ) 兰钐坚凸口, 彩 _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ - _ _ _ _ _ _ _ _ _ - - _ 。_ _ 。_ 。_ - 。_ - - - - 图3 - 5 薄膜生长的三种模式 ( a ) 二维生长( b ) 单层二维生长后三维生长( c ) 三维生长 3 、薄膜厚度分布 常规的真空蒸发一般在高真空镀膜机内进行，试料直接由电阻加热丝或舟蒸发到衬底上，蒸发 速率一般很快。根据分子运动论，单位时间( t ) 内从气相到达固相或液相单位面积( a ) 上的气体 分子数( d z ) 为 d z d a d t = p 4 ( 2 r o n k t ) ( 3 1 - 2 ) 这里1 1 1 是分子质量，p 是压强，t 是温度。平衡时从试料蒸发出来的分子数和从气体中回到试 料的分子数相同，此时上式中d z 也可用来表示蒸发出去的分子数。实际上蒸发出来的一部分分子黏 2 3 东南大学硕士学位论文 附存蒸发系统壁上，但上式仍可以近似地用来表示蒸发出来的分子数与蒸气压、分子质量及温度的 关系。 存普通的高真空下，气体分予的自由程度达5 0 0c r i l ，远远超过蒸发源到衬底的距离，因此气体 分子在真空系统中作直线运动。在此条件下，很容易根据蒸发源的质量、衬底离蒸发远的距离、衬 底的倾角计算出薄膜的厚度。如图3 - 6 所示。 ( a ) ( b ) 图3 - 6 薄膜厚度计算示意图 在上图( a ) 中，设蒸发源为点蒸发源，单位时间内通过任何方向一立体角d ( o 的质量为： d m ：旦d ( 3 1 - 3 ) 4 n 蒸发物质到达任意方向面积元d s 质量为： 2 4 第三章真空蒸镀电极金属层1 ：艺研究 d m ：兰三辈出 4 耳r 2 设蒸发物的密度为p ，单位时问淀移 在d s 上的膜厚为t ，则 d m = p - t 丞 比较以上两式( 3 1 - 4 ) 和( 3 1 5 ) 可得： ，竹c o s 口 t = 4 j 7 r p r 2 对于平行平面d s ，i p = 0 ，则上式为： m c o s 0 扛4 7 r 矿p r z 由图3 6 ( b ) 知 c o s 目：鱼，2 ：万2 + 办2 ， m h l = ；= = = = ：= = 4 7 z p 万2 + 办2 可得在点源的正上方区域( 6 = 0 ) 时： m 1 扛丽百h 4 兀p 1 3 2 实验过程 ( 3 1 - 4 ) ( 3 1 5 ) ( 3 1 6 ) ( 3 1 7 ) ( 3 1 8 ) ( 3 1 9 ) l 、蒸发源选择 由于电极一般是由c r a u 金属薄膜制作而成，实验中就涉及到两种不同金属薄膜的制备。由表 3 1 可知c r 和a u 的熔点均较高，所以我们选用m o 作为两种金属材料的蒸发源材料。 表3 1 常用元素蒸发数据 蒸发温度蒸发热 元素 熔点l (沸点l ( ( 1 3 p a ) ( k j g ) a i9 3 22 3 3 01 2 7 31 2 7 7 0 c r2 1 7 32 7 5 31 4 7 86 1 7 0 a u 1 3 3 62 8 7 3 1 7 3 81 7 4 0 m o 2 8 9 33 9 7 32 8 0 66 1 1 5 w 3 6 6 9 6 1 7 33 5 8 24 3 4 5 2 、实验托材1 设备 j 匕京前包盒届研究总硫的c r 企属颧柑，纯度为9 99 9 竹叫亿盒新材料股份由阳公刊的a u 细丝自e 度为帅9 9 o o5 m m 阳产市光h 4 4 5 0 0 c 型真宅镀膜机，如矧3 - 7 ( a ) 美ha m b i o s x p - 喇台阶仪，如嘲3 7 ( b ) 3 ) 瞄3 7 实验设备 b ( a ) h 4 4 5 0 0 c 型n 尘镀膜机( b ) a m b i o s x p - 1 颦台阶仪 3 、实验步骤 1 ) 萆片i 尚洗 i i 于基片的洁净度直接影响到蒸镀时的成膜质量，因此必须对基片袭面做严格的清洗以免油 渍、水分拉杂质影响到成暇质量或带来测量误差。清洗的流程如下 a ) 用沈洁精( 最l m 活性剂) 柳步去除基片表咖f i h l j s ； b ) 用去离子水冲洗摹h 表面去除洗洁精： c ) 用谢酮超声震荡i5 丹钟进步清洗摹片柱面： d ) 用无水己醉超声震荡1 5 分钟t 去除两酮： e ) 用去离子水以超声震荡方式将无水乙醇沈去： f ) 将洗净的綦片放入真空烘篇烘t 备用。 2 ) 真卒燕镀c r a u 薄膜 2 6 第_ _ 章真空蒸镀电极金属层：i ：艺研究 真窄镀膜机选择的蒸距( 蒸发源与荩片的距离) 为2 2 c m ，材料蒸发源采用自制铜舟，将清洗烘 干后的硅片置于工件支架之上，真空室拙举高真空后，调整工件转动速度5 5 i ，而后进行蒸镀。c r 金 属薄膜厚度通过蒸镀时间控制，蒸镀时问以挡板从开启到关闭的时间来计算。由于a u 为贵重金属 成本较高，所以a u 膜的厚度通过蒸发材料的质量来控制。真空蒸镀的流程如下： a ) 蒸发源安装、调试、基片挂卡： b ) 抽真空，打开扩散泵的前级泵预抽真空度至6 6 x 1 0 一t o n ，加热扩散泵，待预热足够后，打开 高阀，用扩散泵抽至1 5 x1 0 5 t o n ； c ) 烘烤，将镀件烘烤加热到所需温度； d ) 离子轰击，真空度一般在1 0 x 1 0 t o r r 1 0 x 1 0 3 t o r r ，离子轰击电压2 0 0 v 1 k v 负高压，轰击