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文档简介

第一节 超声波探头一.以构造分类1.直探头: 单晶纵波直探头 双晶纵波直探头2.斜探头: 单晶横波斜探头a1aLa , 双晶横波斜探头 单晶纵波斜探头 aLCL1时,bLaL,随着aL增加,bL也增加,当aL增加到一定程度时,bL=900,这时所对应的纵波入射角称为第一临界角aI,aI=Sin-1CL1/CL2=Sin-12730/5900=27.60,当aLCL1时,bSaL,随着aL增加,bS也增加,当aL增加一定程度时,bS=900,这时所对应的纵波入射角称为第二临界角a.a=Sin-1CL1/CS2=Sin-12730/3240=57.70.当aL=aI-a时,第二介质中只有折射横波S,没有折射纵波L,常用横波探头的制作原理。利用折射定律判断1#探头是否为横波探头。 A. 存横波探伤的条件:Sin27.60/2730=Sinb/3240,Sinb=Sin27.603240/2730=0.55,b=33.360,K=0.66。B.折射角为21.70时:Sina/2730=Sin21.70/3240,Sina=Sin21.702730/3240,a=18.150,小于第一临界角27.60。折射角为28.90时:Sina/2730=Sin28.90/3240,Sina= Sin28.902730/3240,a=240,也小于第一临界角27.60。C.如何解释1#探头随反射体深度增加,折射角逐渐增大的现象,由A、B可知,1#探头实际为纵波斜探头,同样存在上半扩散角与下半扩散角,而且上半扩散角大于下半扩散角。(讲义附件9题答案)。纵波入射角aL由00逐渐向第一临界角aI(27.60)增加时,第二介质中的纵波能量逐渐减弱,横波能量逐渐增强,在声束的一定范围内,q下区域内的纵波能量大于q上区域内的纵波能量,探测不同深度的孔,实际上是由q下区域内的纵波分量获得反射回波最高点。由超声场横截面声压分布情况来看,A点声压在下半扩散角之内,B点声压在上半扩散角之内,且A点声压高于B点声压。再以近场长度N的概念来分析,2.5P 1313 K1探头N=36.5mm,由此可知反射体深度20mm时,声程约21.7mm,b=21.70时N=40.07mm为近场探伤。在近场内随着反射体深度增加声程增大,A点与B点的能量逐渐向C点增加,折射角度小的探头角度逐渐增大,折射角度大的探头角度逐渐减少。2.盲目追求短前沿:以2.5P 1313 K2探头为例,b=15mm与b=11mm,斜楔为有机玻璃材料;(1).检测20mm厚,X口对接焊缝,缺陷为焊缝层间未焊透. (2).信噪比的关系:有用波与杂波幅度之比必须大于18dB. (3).为什么一次标记点与二次标记点之间有固定波? 由54页表可知:COSb/COSa=0.68,K2探头b=63.44,COS63.44=0.447,COSa=0.447/0.68=0.66,COSa=6.5/LX,前沿LX=6.5/0.66=9.85mm。(讲义附件6题答案)。3.如何正确选择双晶直探头: (1).构造、声场形状、菱形区的选择; (2).用途:为避开近场区,主要检测薄板工件中面积形缺陷. (3).发射晶片联接仪器R口,接收晶片联接T口(匹配线圈的作用). 4.探头应用举例: 二.超声波探头的工作原理: 1通过压电效应发射、接收超声波。 2640V的交变电压加至压电晶片银层,使面积相同间隔一定距离的两块金属极板分别带上等量异种电荷形成电场,有电场就存在电场力,压电晶片处在电场中,在电场力的作用下发生形变,在交变电场力的作用下,发生变形的效应,称为逆压电效应,也是发射超声波的过程。 3超声波是机械波,机械波是由振动产生的,超声波发现缺陷引起缺陷振动,其中一部分沿原路返回,由于超声波具有一定的能量,再作用到压电晶体上,使压电晶体在交变拉、压力作用下产生交变电场,这种效应称为正压电效应,是接收超声波的过程。正、逆压电效应统称为压电效应。以仪器的电路来说,只能放大电压或电流信号,不能放大声信号。 四试块:强调等效试块的作用。 1常用试块的结构尺寸、各部位的用途,存在问题;(讲义附件8、10、13、18题答案)。 2三角槽与线切割裂纹的区别; 3立孔与工件中缺陷的比较:、4几种自制试块的使用方法; A奥氏体试块: B双孔法校准(主要用于纵波斜探头探伤,如螺栓)(讲义附件5、7题答案)。 计算公式:令h2/h1=n;a=n(t1+f/2)-(t2+f/2)/(n-1) 1式t1与t2为一次声程分别发现h1与h2孔时的声程(包含a);COSb=h1/(t1+f/2-a),b=COS-1h1/(t1+f/2-a);tgb=K,K=tgCOS-1h1/(t1+f/2-a) 2式b=(L2-nL1)/(n-1) 3式C外圆双孔法校准原理(外径f100mm的工件周向探伤用):计算公式:q=(-)1800/Rp 1式 2式j=Sin-1Sinq(R-h2)/AB 3式b=Sin-1(R-h1)Sinj/R 4式tgb=K=tgSin-1(R-h1)Sinj/R 5式 =eR/57.30- 6式 e=j-b.D.双弧单孔法校准(外径100mm的工件周向探伤用):(1)距离校准同

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