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文档简介

氧化铝及硅作为LED封装基板材料的热阻比较分析高功率LED散热一直是一个难题,困扰着LED技术人员,图1为目前高功率LED封装使用的结构,LED芯片会先封装在导热基板上,再打金线及封胶,这LED封装结构体具备轻巧,高热导及电路简单等优点,可应用在户外及室内照明。基板的选择中,氧化铝 (Al2O3) 及硅 (Si) 都是目前市面上已在应用的材料,其中氧化铝基板因是绝缘体,必须有传导热设计,藉由电镀增厚铜层达75um;而硅是优良导热体,但绝缘性不良,必须在表面做绝缘处理。图1、LED封装结构氧化铝基板及硅基板目前皆已应用于高功率LED的封装,由于LED发光效率仍有待提升,热仍是使用LED灯具上必须解决的重要问题,因此LED导热功能必须仔细分析。要分析导热功能必须使用热阻仪来量测,以下的分析将细分LED封装体结构,包括芯片层,接合层及基板层,来分析每层热阻,分析工具则是目前世界公认最精确的T3Ster仪器。本文将简单解析氧化铝基板及硅基LED板封装在热阻的表现 (T3Ster仪器实测),其中专有名词定义如下:Rth: 热阻,单位是 (oC/W),公式为T / KA;T: 导热基板的厚度 (um);K: 导热基板的导热系数 (W/mC);A: 导热面积 (mm x mm)。 图2、E公司氧化铝基板的LED封装热阻分析将氧化铝应用在LED封装主要是因为氧化铝材料高绝缘性及可制作轻小的组件,然而,氧化铝基板应用在电子组件,会因为氧化铝材料导热系数低(约20K/W),造成高热阻。图2为T3Ster 热阻仪测试E公司氧化铝基板封装LED( LED area: 1 x 1 mm; LED emitter: 3.15x3.5 mm) 的结果,在25 oC环境温度下测试时,各封装层的热阻如下:1、Chip: 2 oC/W2、Bonding layer : 3 oC/W3、氧化铝基板: 20 oC/W (高热阻, 基板制作不佳)当175mA小电流通入在1 x 1 mm的LED芯片上,氧化铝基板因热阻的温升为10.5oC(=20x175mAx3.0V), 热不易传导出LED芯片;当350mA电流通入在1 x 1 mm的LED芯片上, 氧化铝基板因热阻的温升为23oC(=20 x 350mAx3.3 V),此时氧化铝基板会无法将热传导出LED芯片,LED芯片会产生大量光衰; 而当500 mA大电流通入在1 x 1 mm的LED芯片上时,氧化铝基板因热阻的温升大约为36 oC(20 x (500 Ax3.6 V),此时氧化铝基板也会无法将热传导出LED芯片,LED芯片会快速光衰。因此,LED芯片封装若选择氧化铝基板,因其热阻高,封装组件只适合使用在低功率( 175 mA, 约0.5W)。图3、R公司氧化铝基板的LED封装热阻分析图3为T3Ster 热阻仪测试氧化铝基板封装LED( LED area: 1 x 1 mm; LED emitter: 3.15x3.5 mm) 的结果,在25 oC环境温度下测试时,各封装层的热阻如下:1、Chip : 2 oC/W2、Bonding layer : 1.5 oC/W3、氧化铝基板 : 4.7 oC/W (氧化铝基板厚度: 400um, 铜层厚度75um)当175mA小电流通入下,其基板因热阻温升为4.7 oC; 当电流来到 350mA,基板温升为6.9 oC,当500mA电流通入时,基板温升大约为8.1oC, 及当700mA大电流通入下,基板因热阻温升大约为11oC.当氧化铝基板温升大于8 o C, 此时氧化铝基板会不易将热传导出LED芯片,LED芯片会快速光衰。 LED芯片封装在氧化铝基板,封装组件只适合始使用功率 ( 350mA, 约 1watt)。图4、VisEra硅基板LED封装热阻分析应用以硅为导热基板的LED封装,如图4所示,在3.37 x3.37 mxm2 的小尺寸面积上,具有快速导热的性能, 可大幅解决因为使用氧化铝造成的高热阻问题。以精密的量测热阻设备 (T3Ster)量测到的热阻值,在25 oC环境温度下测试时,各封装层的热阻如下:1、Chip: 1 oC/W2、Bonding layer: 1.5 o C/W3、Si substrate: 2.5 o C/W当大电流 (700 mA) 通入在1 x 1 mm 的LED芯片上, 硅基板因热阻的温升为 6. 3 oC (=2.5 x 700mA x 3.6 V),硅基板会快速将热传导出LED芯片,LED芯片只会有小量光衰。硅藉由优良导热性能将热传导出LED芯片,LED芯片会只会有小许光衰。因此,LED芯片封装在硅基板上适合于大功率使用( 700 mA,约 3 W)。因为硅基板制作及LED封装在硅基板,技术难度非常高,目前只有少许公司具备。硅作为LED集成封装基板材料的热阻低于氧化铝基板材料, 应用于大功率

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