LED CHIP FQC检验规范.doc

文件名称：LED CHIP IQC检验规范页码：5/5文件编号：QGI0909版 本：R5拟案单位：工程部ALLAN1. 目的1.1制订LED CHIP FQC检验规范。1.2订定成品入库批允收程序，以确保产品质量达一定水平。2. 范围本公司生产之所有LED产品均属之。3. 内容3.1检验测试项目3.1.1光电性检验3.1.2外观检验3.1.3 数值标示检验。3.2抽样计划（片数定义：芯片片数）3.2.1依产品检验抽样计划(WI-20-0101) 抽片执行检验。3.2.2光电特性检验（VFH、VFL、IV）（1）抽样位置：分页片边缘4颗，分页片内围6颗，均匀取样。（2）抽样数量：每片10颗。（3）每片抽样数，每一颗不良，则列一个缺点。3.2.3外观检验 （1）PS TYPE不良晶粒2easheet，列入一个缺点。 （2）NS TYPE或PS TYPE分页面积最长距离6.5 cm者，不良晶粒 5easheet，且10 eawafer 列入一个缺点。 （3）缺点项目之限样标准由制造、FQC两单位共同制作，作为人员检验之依据。3.3缺点等级代字3.3.1主要缺点代字：MA（Major）。3.3.2次要缺点代字：MI（Minor）。3.4参考文件3.4.1本公司产品目录规格书3.4.2研发工程产品测试分类规格3.4.3其它相关之质量文件4. 光电特性检验4.1顺向电压VFH4.1.1依特定之额定电流点测，须低于规格上限。4.1.2规格上限应参考测试分类规格及GaP、GaAsP、AlGaAs产品T/S前测站作业指导书。4.1.3缺点等级：MA4.2顺向电压VFL4.2.1依特定之额定电流点测，须高于规格下限，低于上限。4.2.2规格：GaP1.5V，GaAsP1.3V，AlGaAs (1.25VFL1.5V)，IR (0.701.0 V)。4.2.3缺点等级：MI4.3亮度Iv / Po4.3.1依特定之额定电流点测，须高于规格下限。4.3.2 规格下限应参考测试分类规格及各产品T/S前测站作业指导书判定。4.3.3 缺点等级：MA5. 外观检验共同标准检验项目说明图示缺点等级5.1 晶粒厚度5.1.1 同一芯片晶粒厚度差2 mil5.1.2 UR同一芯片晶粒厚度差3 milMA5.2 正面电极5.2.1电极中心点1/3半径范围内，不得有任何异常 (不含刮伤) 电极 R/3MA5.2.2 电极破损、铝泡（金泡）、非化学药水污染(沾胶、杂物、硅胶粒、Ink)、重工造成之金属残印子 (如残钛)面积应1/5原电极面积。 MA5.2.3 电极刮伤自动用PS应1/5原电极面积材质：AlGaInP适用MA5.2.4 电极扩大缩小：0.9倍原订值1.1倍MA5.2.5 二道偏移应1.1倍MI5.2.6 电极偏移 a/b2/1MA5.2.7 电极不得有铝黄、 药水污染MA5.2.8 自动用PS电极不得有粗糙程度不一致影响机器辨视MA5.2.9 长脚电极断裂应1只脚面积 Power Chip(524,540相关产品)Pad不可形成掉脚MA5.2.10 长脚电极缩小宽度(B)应1/2原宽度(A) A BMA5.3 正面晶粒5.3.1 晶粒污染、沾胶、药水残需1/5 发光区面积MA5.3.2 全切晶粒未切穿者不作PS（半切晶粒及手动用NS之未切穿面积应1/5原晶粒面积）MA5.3.3 晶粒切割内斜需1/10 原晶粒面积MA 5.3.4 晶粒不得为长方形 |b/a|90% b aMA检验项目说明图示缺点等级5.3 正面晶粒5.3.5 电极周围未粗化到的月眉形区域，最宽处须1 milMA5.3.6 发光区伤到面积自动用(PS)应1/5发光区面积手动用(NS)A/B2/1 A BMA5.3.7 发光区金属残余应1/5电极面积MA5.3.8 发光区刮伤应1/5原发光面积且刮伤宽度应 10m / lineMA5.3.9 SR, DR, UR氧化层膜脱落面积一般规格(NX、NL、PX)应1/2原发光区面积 均匀性规格及自动用(PS)应1/5原发光区面积(PD、ND、PM)MA5.3.10 脱离电极之铝(金)线长度应1/2电极长度MA5.3.11正崩正面损伤、暗伤面积应1/5单边长界限内均匀性产品不得有暗伤MA5.4 背面电极 背面电极总面积需1/2 应有总面积MA5.5 背面晶粒5.5.1 背面晶粒污染面积应1/2 原晶粒面积MA5.5.2 背面损伤面积应1/5 原晶粒面积5.5.3 GaP产品8mil背崩面积应1/3原晶粒面积5.5.4 TK508SRT,UYT背崩面积应1/2 原晶粒面积MA5.6 晶粒排列5.6.1 同一排晶粒排列歪斜需1颗晶粒MA5.6.2 相邻之晶粒，排列不齐需1/2 晶粒MA5.6.3 晶粒角度不正30MA5.6.4 晶粒倾倒2ea/sheetMA5.6.5 晶粒间距自动用PS不得超过 0.5 1.0 倍 晶粒宽，手动用NS不得超过 0.51.2 倍晶粒宽MI5.6.6 晶粒排列自动用PS 空洞超过5 ea 5 ea应2处/sheet (含芯片外围有 凹洞者)空洞率应20% 补洞应单边每颗补齐，不得歪斜。MA8.5 cm5.7 分页5.7.1 自动用PS：分页面积最长距离应 8.5 cm MA检验项目说明图示缺点等级5.7 分页5.7.2 手动用NS分页面积最长距离应4.5 cm8 mil SR、NR分页面积最长距离应3.5 cmMA5.7.3 分页晶粒距TAPE边缘应4.5 cmMA5.7.4外围眉形产品、次级品，可并片。PS并片规格： 并片片数：应3片 每片间隔：14Mil以下应6+2mm 16Mil以上应79mm 单片数量：12Mil(每小片至少1000ea) 14Mil及112UR(每小片至少500ea) 116IRS0.5K 其它IR1K 晶粒方向：以平行为原则 并片限制：同片始可并片 编 码：同一般实施项目：YGS、HO、HY、UR、IR、四次元、RD、YGMA5.7.5 手动用分页片数量手动用（NS）1 Kea四次元16 mil以上(含)应0.5 Kea 自动用分页片数量IR系列、UR产品应1 Kea。四次元产品810 mil应2 Kea，1114 mil 应1 Kea，16 mil以上(含)应0.5 Kea其余产品应3 KeaMA5.7.6 外围分页片数量400 ea，PS1/4圆片MA5.8 TAPE5.8.1 不得有毛屑、污渍、多余之零散晶粒MA5.8.2 不得有破损、刮伤MA5.8.3 不得有明显之晶粒、隔板痕迹MA5.8.4 晶粒与晶粒间不得有 tape 的胶丝残余MA5.9 对比5.9.1 自动用(PS)晶粒，电极与发光区对比要明显5.9.2 四次元产品掉ITO者为良品MA5.10 MESA5.10.1 自动用(PS)MESA晶粒，单