




免费预览已结束,剩余1页可下载查看
下载本文档
版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领
文档简介
易错专训(三)电场与磁场【基础回顾】1在公式e中,误认为e与f成正比、与q成反比2在公式c中,误认为c与q成正比、与u成反比3误认为带电粒子的运动轨迹与电场线重合4在电场中误认为场强大的地方电势高5不能正确区分c和c的意义及用途6在公式b中,误认为b与f成正比、与il成反比7判断安培力方向时,将左手定则和右手定则混淆8判断负电荷在磁场中运动受力时,将“四指”指向用错【纠错提升】1(2013保定调研)某静电场中的一条电场线与x轴重合,其电势的变化规律如图所示在o点由静止释放一个负点电荷,该负点电荷仅受电场力的作用,则在x0x0区间内()a该静电场是匀强电场b该静电场是非匀强电场c负点电荷将沿x轴正方向运动,加速度不变d负点电荷将沿x轴负方向运动,加速度逐渐减小答案:ac解析:图线的斜率大小等于电场中电场强度的大小,故该条电场线上各点场强一样,该静电场为匀强电场,a正确,b错误;沿着电场线的方向电势降低,可知静电场方向沿x轴负方向,故负点电荷沿x轴正方向运动,其受到的电场力为恒力,由牛顿第二定律可知其加速度不变,c正确,d错误2如图所示,aob为一边界为四分之一圆的匀强磁场,o点为圆心,d点为边界ob的中点,c点为边界上一点,且cdao.现有两个完全相同的带电粒子以相同的速度射入磁场(不计粒子重力),其中粒子1从a点正对圆心射入,恰从b点射出,粒子2从c点沿cd射入,从某点离开磁场,则可判断()a粒子2在bc之间某点射出磁场b粒子2必在b点射出磁场c粒子1与粒子2在磁场中的运行时间之比为32d粒子1与粒子2的速度偏转角度应相同答案:bc解析:本题考查带电粒子在磁场中的运动粒子1从a点射入磁场,将从b点射出,粒子在磁场中运动的圆心角为90,运动的半径等于bo,粒子2从c点射入时其轨迹如图所示,设对应的圆心为o1,运动的半径也为bo,连接o1c、o1b,由几何知识知,o1cob为平行四边形,则o1bco,则粒子2一定从b点射出磁场,a错误,b正确;连接pb,易知p为o1c的中点,从而易求bo1p60,因此两粒子的速度偏转角不同,且两粒子在磁场中的运行时间之比即为两粒子的速度偏转角之比,即为906032,c正确,d错误3利用如图所示的方法可以测得金属导体中单位体积内的自由电子数n,现测得一块横截面为矩形的金属导体的宽为b,厚为d,并加有与侧面垂直的匀强磁场b,当通以图示方向电流i时,在导体上、下表面间用电压表可测得电压为u.已知自由电子的电荷量为e,则下列判断正确的是()上表面电势高下表面电势高该导体单位体积内的自由电子数为该导体单位体积内的自由电子数为abcd答案:b解析:画出平面图如图所示,由左手定则可知,自由电子向上表面偏转,故下表面电势高,故选项正确,错误;再根据eevb,inesvnebdv得n,故选项正确,错误4示波管的内部结构如图甲所示如果偏转电极xx、yy之间都没有加电压,电子束将打在荧光屏中心如果在偏转电极xx之间和yy之间加上图丙所示的几种电压,荧光屏上可能会出现图乙中(a)、(b)所示的两种波形则()a若xx和yy分别加电压(3)和(1),荧光屏上可以出现图乙中(a)所示波形b若xx和yy分别加电压(4)和(1),荧光屏上可以出现图乙中(a)所示波形c若xx和yy分别加电压(3)和(2),荧光屏上可以出现图乙中(b)所示波形d若xx和yy分别加电压(4)和(2),荧光屏上可以出现图乙中(b)所示波形答案:ac解析:要使荧光屏上出现图乙中(a)所示波形,xx加扫描电压(3)和yy加正弦电压(1),则a正确;要使荧光屏上出现图乙中(b)所示波形,xx加扫描电压(3)和yy加方波电压(2),则c正确5如图所示,中轴线pq将矩形区域mndc分成上、下两部分,上部分充满垂直纸面向外的匀强磁场,下部分充满垂直纸面向里的匀强磁场,磁感应强度皆为b.一质量为m、带电荷量为q的带正电的粒子从p点进入磁场,速度与边mc的夹角30.mc边长为a,mn边长为8a,不计粒子重力求:(1)若要该粒子不从mn边射出磁场,其速度最大是多少?(2)若要求该粒子恰从q点射出磁场,其在磁场中的运行时间最少是多少?答案:(1)(2)解析:(1)设粒子恰不从mn边射出磁场时的轨迹半径为r,由几何关系得rcos 60ra,解得ra又由qvbm解得最大速度vmax.(2)粒子每经过分界线pq一次,在pq方向前进的位移为轨迹半径r的倍设粒子进入磁场后第n次经过pq线时恰好到达q点有nr8a解得n4.62n所能取的最小自然数为5粒子做圆周运动的周期为t粒子每经过pq分界线一次用去的时间为tt粒子到达q点的最短时间为tmin5t.6质谱仪是由加速电场(两板间电压为u1)、速度选择器和偏转场组成的,偏转场(边长为l的正方形区域)可以是匀强电场,也可以是匀强磁场如图所示,已知不计初速度的正元电荷电荷量为e、质量为m,经加速电场加速后刚好沿直线经过速度选择器并从ac边中点进入偏转场若在ab、cd两板间加上电压u3,放在ab板右端的探测仪刚好能接收到信号(1)求速度选择器的电场强度与磁感应强度的比值;(2)求ab、cd两板间所加电压u3的值;(3)若在偏转区域没有电场,只加匀强磁场,欲使探测仪能接收到信号,求所加磁场的磁感应强度答案:(1)(2)2u1(3)解析:(1)带电粒子在加速电场中加速的过程中,根据动能定理有u1emv2带电粒子经过速度选择器,根据共点力的平衡条件有e2
温馨提示
- 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
- 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
- 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
- 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
- 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
- 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
- 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
最新文档
- GB/T 45721.1-2025半导体器件应力迁移试验第1部分:铜应力迁移试验
- GB/T 45716-2025半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验
- GB/T 45718-2025半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验
- 乡村振兴品牌2025年大数据精准营销模型构建与农业品牌策略报告
- 管理人员薪资管理制度
- 舞蹈学员收费管理制度
- 中控室考核管理制度
- 艺术机构老师管理制度
- 矿井反向风门管理制度
- 突出矿井定员管理制度
- 2025年养老护理员职业考试试题及答案
- 揭阳惠来县纪委监委等部门属下事业单位招聘笔试真题2024
- 春苏教版六年级数学总复习30课时教学设计
- 党课课件含讲稿:以作风建设新成效激发干事创业新作为
- 西安美术学院《舞台编导艺术》2023-2024学年第二学期期末试卷
- 城投公司工程管理制度
- 2025全国农业(水产)行业职业技能大赛(水生物病害防治员)选拔赛试题库(含答案)
- 油浸式变压器 电抗器 检修规范标准
- 2025年中国膨润土猫砂项目投资可行性研究报告
- 职业技术学院2024级智能机器人技术专业人才培养方案
- TSG G7002-2015 锅炉定期检验规则
评论
0/150
提交评论