模拟电子技术基础A.doc

襄樊学院理工学院期末考试试卷模拟电子技术基础A卷考试范围第一至第十章命题人院系物电学院考试形式闭卷课程类别必修学 期20111专业电子大题号一二三四五六七八九十班级满 分25151545学号得 分姓名阅卷人总分得分评卷人 一、 选择题（从下列4个备选答案中选出一个正确答案，并将其代号写在题干后面的括号中，答案选错，该题不得分。每小题2.5分，共25分。）1.温度升高时，晶体二极管的Is将( A )A.增大 B.减小 C.不变 D.近似不变2.PN结反向工作时，流过的电流主要是( B )A.扩散电流 B.漂移电流 C.传导电流 D.扩散与漂移电流并存3.已知某晶体管的=0.99，则该管的值是( D )A.100 B.101 C.98 D.994.如改变三极管基极电压的极性，使发射结由正偏导通变为反偏，则集电极电流( B )A.反向 B.中断 C.增大 D.不变5.共射基本放大电路中，若测得晶体管的VCQVCC，则可以判别晶体管工作在( C )A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 D.击穿状态6.差分放大器中用电流源代替Re是为了( C )A.提高差模放大倍数 B.提高共模放大倍数C.提高共模抑制比 D.提高差模输入电阻7.所谓放大器工作在闭环状态是指( B )A.考虑信号源内阻 B.有反馈通路C.接入负载 D.信号源短路8.负反馈放大电路的环路增益是指( B )A. B. C.1+ D.9.如果PN结的反向电流急剧增加，称为( C )A.反向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.反向饱和10.工作在放大状态的某PNP晶体管、各电极电位之间应满足的关系为( A )A.VCVBVBVE C.VCVEVEVB得分评卷人 二、填空题（每空1.5分，共15分。）1.PN结的反向击穿有雪崩和_齐纳_两种击穿。2.杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由_本征激发_产生的。3.衡量双极型三极管放大能力的参数是_。4.已知某晶体三极管的fT和，则f=fT/_。5. 集成运放的输入级多采用 对称结构差动放大 电路。6、某放大电路负载开路时，UO=6V，接上3K负载后，UO=4V，说明该放大电路的输出电阻R0= 1.5 K 。7稳压管在稳压过程中工作在 反向击穿 区。8.放大电路的失真按失真机理分为线性失真和_非线性_失真两大类。9.若引入反馈使放大器的增益_减少_，这样的反馈称为负反馈。10.放大电路中，为稳定静态工作点，应引入_直流负_反馈。得分评卷人 三、简答题（每小题7.5分，共15分。）1、正弦波振荡器的组成部分及其各部分的作用。uo1uo22、 图1中，反馈元件R7构成级间负反馈，判断其反馈组态，并说明该负反馈对放大电路放大倍数和输入输出电阻的影响。3、 串联电压负反馈 输入电阻增大 输出电阻减少图1得分评卷人 四、计算题(要求写出主要计算步骤及结果，共45分。)1、图2中，已知三极管的参数，均已知，电源电压为VCC，求解以下几个问题。（15分）（1）计算静态工件点Q；（2） 画出微变等效电路图；（3）试计算、；图22、根据图3所示电路，推导出电路的传输特性，并说明运算电路的名称和特点。（10分） 图33、在图示4电路中，设R1 = RF =10K，R2=20K，R= 4K，两个输入电压Ui1和Ui2的波形如图7所示，试写出Uo的表达式，并在对应的坐标上画出输出电压Uo的波形，且标上相应电压数值。（10分） 图44、在图