天合光能PECVD经典培训.doc

本文由cmr_1987贡献 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 PECVD简介 PECVD简介 1 保密 概述 利用太阳能电池发电是解决能源问题和环境问 题的重要途径之一。目前，80%以上的太阳能电池 题的重要途径之一。目前，80%以上的太阳能电池 是由晶体硅材料制备而成的，制备高效率、 是由晶体硅材料制备而成的，制备高效率、低成 本的晶体硅太阳能电池对于大规模利用太阳能发 电有着十分重要的意义。镀膜(PECVD) (PECVD)是制备高效 电有着十分重要的意义。镀膜(PECVD)是制备高效 晶体硅太阳能电池的重要步骤之一. 晶体硅太阳能电池的重要步骤之一. 2 保密 PECVD 简介 PECVD的定义、原理、作用 的定义、原理、 的定义 PECVD设备结构 设备结构 产生线性微波源的机理 PECVD的减反射作用(最佳光学匹配 的减反射作用 最佳光学匹配 最佳光学匹配) PECVD的钝化作用 的钝化作用 PECVD对电性能影响 对电性能影响 异常处理规范 3 PECVD的定义、原理 的定义、 的定义 定义: 定义: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 等离子增强型化学气相沉积” 即“等离子增强型化学气相沉积”，是一种化 学气相沉积 原理: 原理: PECVD是借助微波使含有薄膜组成原子(Si、 是借助微波使含有薄膜组成原子(Si PECVD是借助微波使含有薄膜组成原子(Si、N) 的气体电离，在局部形成等离子体， 的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化 学活性很强，很容易发生反应， 学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出 所期望的SixNy薄膜。 SixNy薄膜 所期望的SixNy薄膜。 反应式如下： 反应式如下： SixNyHz SiH4 NH3 SixNyHz 4 PECVD作用： PECVD作用： 作用 SixNy之所以被广泛应用是因为它具有独特的 SixNy之所以被广泛应用是因为它具有独特的 无可比拟的优点 : 1.介电常数高 Fm-1,而二氧化硅 1.介电常数高 ,其值为 8 Fm-1,而二氧化硅 Fm或二氧化钛的均为 3.9 Fm-1; 2.碱离子 +)的阻挡能力强 2.碱离子 (如 Na +)的阻挡能力强 ,并具有捕 +的作用 获 Na +的作用 ; SixNy质硬耐磨 3. SixNy质硬耐磨 ,疏水性好 ,针孔密度低 , 气体和水汽极难穿透 ; 5 4.减反射效果好 ,SixNy薄膜的折射率接近 4.减反射效果好 ,SixNy薄膜的折射率接近 2.0 , 46)、 比二氧化硅 ( n = 1. 46)、二氧化钛 ( n = 2. 4)更接近太阳电池所需的最佳折射率 ,是所 4)更接近太阳电池所需的最佳折射率 1.96 ,是所 有已应用的介质膜中最符合太阳电池减反射层要 求的 5.PECVD法制备的 SixNy薄膜同时为太阳电池提供 5.PECVD法制备的 SixNy薄膜同时为太阳电池提供 较为理想的表面和体钝化 .二氧化硅只有表面钝 化作用 ,二氧化钛没有钝化作用 6.能有效地提高电池效率 6.能有效地提高电池效率 ,对多晶硅电池等低效率 电池作用尤其明显 6 PECVD设备结构 PECVD设备结构 等离子体源简图 7 微波组件的原理图 8 产生线性微波源的机理 9 由上图可以看到: 由上图可以看到: 1.电荷密度：等离子体电荷密度n(z)根据 1.电荷密度：等离子体电荷密度n(z)根据 电荷密度 n(z) 两边微波输入功率 功率的改变而改变 两边微波输入功率的改变而改变 2.对应关系：若只有左边微波源(P1)开启 2.对应关系：若只有左边微波源(P1)开启 对应关系 (P1) 微波功率从输入端沿着石英管方向衰减; 时,微波功率从输入端沿着石英管方向衰减;当 只打开右边微波源(P2) (P2)时 只打开右边微波源(P2)时,同理 10 为什么左边偏薄调大右边微波功率? 为什么左边偏薄调大右边微波功率? 对于这个问题的第一种解释： 对于这个问题的第一种解释：左边的微波源有 问题，不能正常工作，只能通过调右边来补偿 问题，不能正常工作，只能通过调右边来补偿可 这样做整体膜都应变厚，而实际是左边影响最大 这样做整体膜都应变厚，而实际是左边影响最大 另一种解释是：微波源与膜厚是左边（右边） 另一种解释是：微波源与膜厚是左边（右边）对 应左边（右边）关系， 应左边（右边）关系，但实际使用的微波功率比较 当大到一定程度时， 大，当大到一定程度时，改变某一边的功率对该侧 膜厚影响较小，对对称的那一侧膜厚影响较大， 膜厚影响较小，对对称的那一侧膜厚影响较大，并 且这种观点为多数人所认同 且这种观点为多数人所认同 11 PECVD的减反射作用 PECVD的减反射作用 一、无减反射膜时 右图为光在硅片上 的反射、折射和透 的反射、 射各字母表示的意思 如图所示；反射率用R 如图所示；反射率用R 表示，透射率用T 表示，透射率用T表 示 12 忽略光吸收， 忽略光吸收，光垂直入射时 n si ? n0 2 硅片表面的反射率: 硅片表面的反射率: R = ( ) n si + n0 式中， 为外界介质的折射率， 式中，n0为外界介质的折射率，在真空或大气中 等于1，若表面有硅橡胶则取1.4；nsi为硅的折射率, 等于 ，若表面有硅橡胶则取 ； si为硅的折射率, 为硅的折射率 硅的折射率对于不通波长的光数值是不同的,一般取 硅的折射率对于不通波长的光数值是不同的, 600nm波长时的折射率3.9进行计算 波长时的折射率3.9进行计算. 600nm波长时的折射率3.9进行计算. 如果硅表面没有减反射膜， 如果硅表面没有减反射膜，在真空或大气中有约 三分之一的光被反射， 三分之一的光被反射，即使硅片表面已进行结构化 处理， 处理，由于入射光在金字塔绒面产生多次反射而增 加了吸收，也有约11%的反射损失。 11%的反射损失 加了吸收，也有约11%的反射损失。 13 二、有减反射膜时 如果在硅表面制备一层透明的介质膜， 如果在硅表面制备一层透明的介质膜，由于介 质膜的两个界面上的反射光互相干涉， 质膜的两个界面上的反射光互相干涉，可以在很 宽波长范围内降低反射率。 宽波长范围内降低反射率。此时反射率由下式给 出： 2 2 r1 + r2 + 2r1 r2 cos ? R= 1 + r12 + r22 + 2r1 r2 cos ? 式中，r1、r2分别是外界介质-膜和膜-硅界面 式中，r1、r2分别是外界介质-膜和膜分别是外界介质 上的菲涅尔反射系数； 上的菲涅尔反射系数；为膜层厚度引起的相 位 角。 14 n0 ? n r1 = n0 + n n 0 ? n si r2 = n 0 + n si = 4 0 nd 其中，n0， 其中，n0，n和nsi分别为外界介质、膜层和硅 nsi分别为外界介质、 分别为外界介质 的折射率； 是入射光的波长； 的折射率；0是入射光的波长；d是膜层的实际厚 nd为膜层的光学厚度 为膜层的光学厚度。 度；nd为膜层的光学厚度。 15 当波长为 的光垂直入射时， 当波长为0的光垂直入射时，如果膜层光学厚 度为0的四分之一，即nd=0/4,则由上面的式子 度为 的四分之一， nd=0/4,则由上面的式子 可得: 可得: 2 R 0 n ? n0 n si 2 =( 2 ) n + n0 n si 为了使反射损失减到最小， 等于0, 为了使反射损失减到最小，即希望上式 等于 就应有： 就应有： n = n0 n si 16 对于太阳光谱,取00.6微米 ,如果电池直 对于太阳光谱, 0.6微米 接暴露在真空或大气中使用， 接暴露在真空或大气中使用，最匹配的减反射膜 折射率为n1.97 n1.97。 折射率为n1.97。 在实际应用中，为了提高电池的使用寿命和抗 在实际应用中， 湿能力，大多采用硅橡胶封装。所以， 湿能力，大多采用硅橡胶封装。所以，对于减反 射膜来说，外界介质是硅橡胶，其折射率约为1.4 1.4， 射膜来说，外界介质是硅橡胶，其折射率约为1.4， 在这种情况下，最匹配的减反射膜折射率应为: 在这种情况下，最匹配的减反射膜折射率应为: n = n0 n si = 1.4 3.9 2.35 17 PECVD的钝化作用 的钝化作用 为什么要进行钝化? 为什么要进行钝化? 由于太阳电池级硅材料中不可避免的含有大量 的杂质和缺陷, 的杂质和缺陷,导致硅中少子寿命及扩散长度降低 从而影响电池的转换效率 H的钝化机理: 的钝化机理: H能钝化硅中缺陷的主要原因是:H能与硅中 能钝化硅中缺陷的主要原因是:H能与硅中 :H 的缺陷或杂质进行反应, 的缺陷或杂质进行反应,从而将禁带中的能带转 入价带或者导带 入价带或者导带 18 钝化效果检验少子寿命 钝化效果检验少子寿命: 0 1 = 1 s + 1 b 一、对硅的表面钝化: 对硅的表面钝化 采用PCD方法测镀膜后的少子寿命 采用 方法测镀膜后的少子寿命 制备SiO2膜后的少子寿命为 膜后的少子寿命为4ms, 制备 膜后的少子寿命为 制备SixNy膜后的少子寿命为 膜后的少子寿命为6.6ms, 制备 膜后的少子寿命为 显然SixNy膜表面钝化效果更好 显然 膜表面钝化效果更好 二、对硅的体钝化: 对硅的体钝化 采用PCD方法比较钝化前后的少子寿命 为了排除 方法比较钝化前后的少子寿命,为了排除 采用 方法比较钝化前后的少子寿命 表面钝化带来的影响,样本的寿命都是在含 样本的寿命都是在含HF溶 表面钝化带来的影响 样本的寿命都是在含 溶 液中测量的. 液中测量的 19 以下是5种多晶材料钝化前后体寿命变化 以下是 种多晶材料钝化前后体寿命变化: 种多晶材料钝化前后体寿命变化 如上图所示,PECVD确实具备体钝化效果 确实具备体钝化效果. 如上图所示 确实具备体钝化效果 20 PECVD对电性能影响 对电性能影响 总结: 总结 多晶硅电池镀膜前后的I-V曲线 一方面,减反射膜提高了对太阳光 一方面 减反射膜提高了对太阳光 的利用率,有助于提高光生电流密度 有助于提高光生电流密度, 的利用率 有助于提高光生电流密度 起到提高电流进而提高转换效率的 作用. 作用 另一方面,薄膜中的氢对电池的表 另一方面 薄膜中的氢对电池的表 面钝化降低了发射结的表面复合速 减小了暗电流, 率,减小了暗电流 提升了开路电压 减小了暗电流 提升了开路电压, 从而提高了光电转换效率;在烧穿工 从而提高了光电转换效率 在烧穿工 艺中的高温瞬时退火断裂了一些Si艺中的高温瞬时退火断裂了一些 H、N-H键,游离出来的 进一步加强 游离出来的H进一步加强 、 键 游离出来的 了对电池的钝化 21 异常处理规范简介: 异常处理规范简介 一、正常生产时: 正常生产时 1. 某一列膜薄 某一列膜薄5nm以上 一般为工艺腔掉片所致 以上,一般为工艺腔掉片所致 以上 一般为工艺腔掉片所致, 通知设备开腔处理. 通知设备开腔处理 2. 横排方向膜厚递增 折射率递减或只要折射率 横排方向膜厚递增,折射率递减或只要折射率 低于2.0时基本可以确定为真空问题 时基本可以确定为真空问题(工艺腔无片 低于 时基本可以确定为真空问题 工艺腔无片 即可确定),通知设备解决 通知设备解决. 时点击“待机”即可确定 通知设备解决 3. 边上列发红 首先排除是框子导致 尝试调整功 边上列发红,首先排除是框子导致 首先排除是框子导致,尝试调整功 率、加大特气流量无果后,协调设备进行 通气孔、 加大特气流量无果后 协调设备进行:通气孔、 协调设备进行 通气孔 管道吹扫等工作.除以上原因还可能是如 气阀、 除以上原因还可能是如:气阀 管道吹扫等工作 除以上原因还可能是如 气阀、 流量计、盖板异常导致. 流量计、盖板异常导致 22 二、设备PM后 设备 后 一般设备PM后我们工艺需对如下参量进行检查 后我们工艺需对如下参量进行检查: 一般设备 后我们工艺需对如下参量进行检查 1、各腔体真空是否有问题 、 2、各加热器是否异常 、 3、微波反射功率是否过大 、 23 三、当出现各种新老问题令我们束手无策时我们该 怎么办? 怎么办 最有效的排查方法: 最有效的排查方法:单管实验 1、通过单管实验,可以发现同一管左右均匀性问题 1、通过单管实验,可以发现同一管左右均匀性问题 2、单管实验还能检查出管与管之间的差异 、 最后通过对单管数据的分析来定位问题点. 最后通过对单管数据的分析来定位问题点 24 影响太阳电池转换效率的因素 一、禁带宽度 VOC随Eg的增大而增大 但另一方面，JSC随Eg的 的增大而增大， VOC随Eg的增大而增大，但另一方面，JSC随Eg的 增大而减小。 增大而减小。 二、温度 载流子扩散系数随温度的升高而增大， 载流子扩散系数随温度的升高而增大，所以 升温时少子的扩散长度稍有增大， 升温时少子的扩散长度稍有增大，因此光生电流 有所增加；但暗电流是指数增加， 有所增加；但暗电流是指数增加，所以电压急剧 下降， 曲线改变 下降， 曲线改变FF下降 下降，I-V曲线改变 下降，效率下降 温度每增加1 VOC下降室温值的0.4%， 下