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三章节单级放大器教学文稿 单级放大器Ch.3#1第三章单级放大器单级放大器Ch.3#2主要内容?掌握CMOS单级放大器的基本结构和工作原理共源极、源极跟随器、共栅级、共源共栅级?掌握CMOS单级放大器的设计方法单级放大器Ch.3#3非线性系统的输入输出特性3.1基本概念模拟电路设计的八边形法则单级放大器Ch.3#43.2共源级3.2.1采用电阻负载的共源级(CS)单级放大器Ch.3#6简单CS放大器的设计参数?固定设计参数:k n,V TH,(由制造工艺决定)?设计目标:一定大小的放大器增益A v=-g mR D(A vmax=？)?设计可变参数:V DD,I D,V G,W/L,R D(V DD通常也是固定的)?附加设计条件:功耗大小要求；输入、输出电压范围(摆幅)?限制条件:MOS管必须工作在饱和状态输出电压摆幅输出电压摆幅单级放大器Ch.3#7电阻负载共源级的I D(Vin)、g m（Vin）临界饱和点A问题图（b）中临界饱和点（A）g m最大，设为静态工作点放大器可获得最大增益。 这种说法对吗？为什么？A M1在饱和区M1在线性区g m=(V gs-V T)V inA-V Tg m=V DSV inA V inA-V T单级放大器Ch.3#8ovmax mA=-g r电阻负载共源级的小信号等效电路ov m DA=-gr|R本征增益，大约为1030Wnox DvmD DLA=-gR=-2C IRRDWvn oxLDVA=-2CI0m m0m m11r= (1030)g g11r/g g单级放大器Ch.3#9电阻负载CS放大器设计参数的制约关系?增益AV与W/L、I D、R D(V RD)三个参数有关。 D DD DL LW Wox n nD D m m v vR R I I C C2R R g g A A?D DRDL LW Wox n nv vI IV VCC2A A?若保持为I D、W/L常数，R D，AV，这意味着V DS，放大器静态工作点下移，输出电压的摆幅。 ?若保持I D、R D为常数，W/L，AV，但MOS管寄生电容，高频相应(放大器的f3dB)变差。 ?若保持W/L、V RD不变，I D，AV，这意味着R D，版图面积，电阻噪声，放大器速度(输出节点时间常数RC)，沟道调制效应的影响(r0与R D更接近)。 ?总之，若为提高增益而使R D，就会导致输出电压的摆幅，版图面积，电阻噪声，放大器速度，因此电阻复杂CS放大器一般不常用。 单级放大器Ch.3#103.2.2二极管连结MOS管的工作状态MOS管二极管连结并导通时,V g=V d,显然,不论是NMOS还是PMOS管,均工作在饱和区!单级放大器Ch.3#11二极管连接的MOS管的小信号等效电阻x xo ox xxx m b m m I Ir rV V)V g g(g?mb m mo omb m mx xxxg g g g11r r|g g g g11I IV V?二极管连接的MOS管从源极看进去的小信号等效电阻常用公式常用公式单级放大器Ch.3#12二极管连接的MOS管小信号阻抗X D0DX m mb0m mb0m mbVR+r R1=+I1+(g+g)r(g+g)rg+gR in mb m mo omb m mx xxxg g g g11r r|g g g g11I IV V?对于图(c)对于图(a)、(b)(a)(b)(c)=0时同时同(a)、(b)单级放大器Ch.3#13MOS二极管连接负载的共源极NMOS负载时PMOS负载时R in=1/(g m2+g mb2)/r02R in=(1/g m2)/r02单级放大器Ch.3#14MOS二极管连接负载的共源极（0）1111g gg gg g g g11g g A Am2m1mb2m2m1v v?1111(W/L)(W/L)A A2211v v?n n11v vp p22(W/L)A A(W/L)增益与偏置电流无关，即输入与输出呈线性(大信号时也如此！)R in1/(g m2+g mb2)R in1/g m2问题:I D1?0时，M2是工作在饱和区还是线性区?单级放大器Ch.3#15MOS二极管连接负载的共源极(例1)100(W/L)(W/L)22p p11n n?p pn n2?则有通常50(W/L)(W/L)2211?于是?若(W/L)2=1，则(W/L)11;(WL)1很大,若(W/L)1=1，则(W/L)21,(WL)2也很大,无论如何，这都会导致要么输入寄生电容太大或输出寄生电容太大，从而减小3dB带宽。 ?相对而言，(W/L)21要小?这体现了增益与速度(带宽)的矛盾!若需AV=10单级放大器Ch.3#16MOS二极管连接负载的共源极记Von=V GS-V T表示MOS管的过驱动电压(Von越大,MOS管工作电流也越大),该式表明增益是两管过驱动电压之比，AV越大，Von2越大，Vomax越小。 22TH2GS222p p22TH1GS111n n)V V(VL LWWu u)V V(VL LWWu u?I D1=I D2Von2=V DD-V o-|V TP|Vo=V DD-|V TP|-V on2n1GS2TH2on2V Vp2GS1TH1on1(W/L)|V-V|VA=-=-=-(W/L)V-V V单级放大器Ch.3#17?设电源电压V DD=3V,|V TN|=|V TP|=0.7V?假定Von1=V GS1-V TH1=V in-V TH10.2V?若AV=-10,则|V GS2|AV|?V on1+|V TH2|=2.7V?|V DS2|=|V GS2|2.7V?故Vo=V DD-|V DS2|3-2.7=0.3V,联系到M1饱和要求:Vo=V DS1V GS1-V TH1=V on1=0.2V.故Vo的变化范围仅有0.2V0.3V，输出电压摆幅非常小。 MOS二极管连接负载的共源极(例2)n1GS2TH2on2Vp2GS1TH1on1(W/L)|V-V|VA=-=-=-(W/L)V-V V问题:显而易见,V in?,Vo?,又VoV in-V TH1(M1饱和要求)故存在V inmax,那么V inmax=?单级放大器Ch.3#18求上例中V inmax=?(例3)n1GS2TH2on2Vp2GS1TH1on1(W/L)|V-V|VA=-=-=-(W/L)V-V V?设电源电压V DD=3V,|AV|=10,|V TN|=|V TP|=0.7V?M1临界饱和时:Vo=V on1=V GS1-V TH1=V inmax-V TH1?又|V GS2|=|AV|(V inmax-V TH1)+|V TH2|?又Vo+|V GS2|=V DD?(V inmax-V TH1)(1+|AV|)+|V TH2|=V DD?V inmax=(V DD-|V TH2|)/(1+|AV|)+V TH1?V inmax=(30.7)/(1+10)+0.7=0.91V?0.7V=V TH1 单级放大器Ch.3#20MOS二极管连接共源极的最大输出电压若上图中M2的栅极接一个固定电压V b结果又如何?M1截止单级放大器Ch.3#21MOS二极管连接共源极的最大输出电压M1截止单级放大器Ch.3#22MOS二极管连接负载共源极的小结?增益A V?(W/L)1/(W/L)21/2=V on2/V on1。 ?增益A V不高(一般10)，且输入、输出摆幅小，这一特点限制了它的应用。 ?它的优点是跨导g m与电流I D无关，放大器的线性特性好，大信号下也如此。 二极管连接的MOS管常用来构成有源电流镜。 ?有改善A V不高、输出摆幅小这一缺点的电路，但效果不是特别明显。 单级放大器Ch.3#23MOS二极管连接负载的共源极(例4)右图中M1偏置在饱和区，漏电流为I1。 已知I S=0.75I1，求AV=？22p p11nn22D D22pp11D D11OX nnm2m1v v(W/L)(W/L)4I I(W/L)I I(W/L)CCg gg gA A?)V V(V|V V V V|T H1G S1T H2G S244A A v v?,4I I ID2D12TH2GS22p2TH1GS11n)V(VLW4)V(VLW?增加I S在相同增益下可增加输出电压摆幅。 单级放大器Ch.3#24采用电流源负载的共源级1out2TH1in1Cn D1I)V (1)V(VLW0.5IOX?C j由上式可知:若I1为理想恒流,V in,则Vout也可以这样理解:静态时,I1=I D1,V0为一确定的静态电压,I j=0。 V in,I D1,I j=I1-I D10,C j充电,V0I j单级放大器Ch.3#25电流源负载共源级的输出电压摆幅问题记Von=V GS-V T，常称Von为MOS管的过驱动电压,它表征MOS管工作电流的大小M 1、M2饱和要求:Von1=V in-V TNV outV b+|V TP|=V DDV on21.输出电压摆幅与V in、V b有关(也常说成与V on 1、V on2有关,两种说法是一致的)。 保持I D不变,若(W/L)1,2，V on 1、2,V in,V b,摆幅增加(反之减小)。 但(WL)，寄生电容，高频性能变差，f3dB。 此即摆幅与带宽的折衷。 2.若保持(W/L)1,2不变，I D(I D增加一般来说放大器速度也增加),V on,V in,V b,摆幅减小(反之增加)。 此即速度与摆幅的折衷。 单级放大器Ch.3#26采用电流源负载共源级的A VD11D oxn o1mI1LWI C2r g?1.若W、I D不变,L(r02),AV，但过驱动电压V on，输出电压摆幅，若同时保持V on不变(即摆幅不变)，则需W，这会导致寄生电容,放大器带宽。 这充分体现了模拟设计中的增益、摆幅、带宽之间的折衷关系。 (电阻负载CS中I D不变,R D,AV,摆幅一定)(1/L)注意增益与I D的平方根成反比!3.若I D,AV,过驱动电压V on,摆幅,放大器速度(I D),这体现了增益、摆幅、速度之间的折衷关系。 2.若L、I D不变,W,AV，过驱动电压V on，输出电压摆幅,这会导致寄生电容,放大器带宽。 这体现了模拟设计中的增益、摆幅、带宽之间的折衷关系。 注意其AV与摆幅之间的关系同带电阻负载CS的差别D DI IL LWW?o2o1m m v vr r|r r g gA A?单级放大器Ch.3#27问题:静态工作点V out如何计算?2212D1in TND2DD bTPI(VV)I(VVV)22若M 1、M2饱和，不考虑沟道调制效应（即0），则上式与Vout大小无关！，即表示若M 1、M2饱和，Vout可以为任意值！这显然与实际不符！单级放大器Ch.3#28电流源负载共源级的静态点问题 (1)静态时(V in、V b为一固定常数)，Vout的大小由沟道调制效应( 1、2)决定，若不考虑沟道调制效应则无法求得静态工作点，这种情况叫静态工作点无法“目测”静态工作点不能“目测”静态工作点可以目测”2212in TNDD0TP110DD TPin TN22(V-V)=(V-V-|V|)22V=V-|V|-(V-V)?n(W/L)1(V in-V TN)2(1+?1V0)=?P(W/L)2(V DD-V b-|V TP|)21+?1(V0-V DD)若不考虑沟道调制效应单级放大器Ch.3#29静态点不能“目测”带来的问题 (1)半电路I SS的变化导致静态点电压的剧烈变化恒流源负载的CS用作差分输入级的半电路时,I SS若因输入共模电压V in1=V in2发生变化带来沟道调制效应(I SS通常是以单NMOS构成的简单恒流源)导致I SS有一微小变化2I SS,其静态电压V01因r01/r02较大而变化一较大量2I SS(r01/r02)(特别是共源共栅结构尤其明显),这将导致后级因此无法正常工作。 该电路作为差分对的半边电路时，必需辅以稳定V out静态电压的电路(通常称为共模反馈电路)才能正常工作！单级放大器Ch.3#30静态点不能“目测”与能“目测”的差异?V out=?I SS/g m3V out-V DD,即:V bV DD/2+V TH2+V out/2?V b、(W/L)2还应满足R on2大小的要求如何确定V b？产生上述条件的V b很难,且AV不高,故这种放大器很少采用!ON2m m v vR R g gA A?|)V V|V V(V CC11R RTHPbb DDLLW Woxn nON222?单级放大器Ch.3#32CS放大器小结1.带电阻负载的CS增益A V=-g mR D,因R D,芯片版图面积,且噪声,输出摆幅,故难于获得高增益,但因电阻的匹配好,常用于作低失调放大器的差分输入级。 2.带MOS二极管连接负载的CS增益A V=-g m1/g m2,因摆幅、带宽、芯片版图面积等原因难于获得高增益,因此用得较少。 3.带恒流源负载的CS增益A V=-r01/r02,因高增益与输出摆幅没有不可避免的矛盾,故用得最多,用作差分输入级的半电路时需共模反馈电路以稳定静态直流工作点。 4.由于存在密勒效应，频带一般，常同CB联合构成CSCB放大器，用于高速运放作差分输入放大级。 单级放大器Ch.3#33带源极负反馈的共源级(=0，=0)D D m mv vR R GG A A?S Sm mD D m mv vR R g g11R R g gA A?S Sm mm mm mR R g g11g gGG?若g mR D1,AVR D/R S,输入与输出呈线性,因AV?,输入电压线性范围?,这是以牺牲增益为代价的。 同时R S的引入,输出电压V0min=V on1+V RS(比无R S时:V0min=V on1大了V RS)。 输出摆幅?。 等效跨导假定=0，=0单级放大器Ch.3#34带源极负反馈的共源级(=0，=0)S Sm mD DS Sm mD D mmv vR R1/gR R R R g g11R R g gAA?R S=0R S0R S= 0、R S0漏电流和跨导曲线的差异从源级看进去的阻抗源级反馈电阻负载电阻单级放大器Ch.3#35带源极负反馈的共源级(=0，=0)?注意到M2连接为二极管，故其小信号等效电阻为1/g m2。 ?于是，AV=-R D/(1/g m1+1/g m2)R in=1/g m2S Sm mD DS Sm mDD mmv vR R1/gR R R R g g11R R g gAA?从源级看进去的阻抗源级反馈电阻负载电阻单级放大器Ch.3#36带源极负反馈的共源级(=0，=0)S Sm mDDmmv vR R g g11RR g gAA?S Sm mDD inm mDD11mm outS Sm min11S S11mmin S S DD in11RRg g11RR V V g gRRV V g g V VR Rg g11V VV VR RV V g g V VRR I I V V V V?mD=-G R等效跨导假定=0，=0单级放大器Ch.3#37在讲解考虑沟道调制效应和衬偏效应(0，0)，的带源极负反馈的共源级之前我们先来看一个辅助定理！单级放大器Ch.3#38辅助定理在线性电路中，电压增益Av=-G mR out，其中G m表示输出对地短接时电路的跨导；R out表示当输入电压为零时电路的输出电阻。 如上图所示。 如果电路的Gm、Rout可以通过观察确定，这个辅助定理将会非常有用。 Vout=-I outR out，定义G m=I out/V in，则Vout=G mV inR outAv=Vout/V in=-G mR out单级放大器Ch.3#39辅助定理?P57例题3.6单级放大器Ch.3#40带负反馈的共源级的等效跨导G moo S Smb mm S So o m minoutmmo oS S outSS outmb SS outinmmo oSS outX X mb11m mrobs mb11mmoutr)Rg g(g1R Rr r g gV VI IG Gr rR R I I)RR II(g g)RR II(V g gr rR RI IV V g g V V g gII VV g g VV g g II?0，0单级放大器Ch.3#41共源极的输出电阻Rout oS o mb m OUTrR)r(g1R?ro SS X X mbSS X X m mrobs mb11mm X XII RRII g g)RRII(g gII VVg gVVg g II?S XX Smb mX oXR I)I)R(g(I rV?单级放大器Ch.3#42恒流源负载、带源极负反馈的增益!r r g gA Aoo mmvv?AV与R S无关单级放大器Ch.3#43带源级负反馈电阻的CS放大器小结1.因引入负反馈电阻R S,A V?,输入线性范围?,常在高线性的V/I变换电路中用作差分输入级的半电路。 2.因输出阻抗较高,利用该特性可在MOS管的源级加入负反馈电阻以构成高性能电流源。 3.因负反馈电阻R S的引入,输出电压允许的最小值增加,即输出摆幅?。 即因此多消耗了一些电压余度。 单级放大器Ch.3#44源极跟随器及其小信号等效电路mb mm mb m moutg g g g11g g11|g g11RR?S mSSmmb mmSS mb mS mvR1/gR)Rgg g(1/gR)Rg(g1R gA?问题:M1会随V in而进入线性区吗?单级放大器Ch.3#45源极跟随器的输出电阻mb mm mb mmX XXXoutX X mb XXmmXXg g11/g g11g ggg11IIVVR R00VVggVVgg II?XX11VVVV衬偏效应等效于在输出端接了一个电阻1/g mb这仅对源跟随器是正确的！衬偏效应使源跟随器的输出电阻减小了！单级放大器Ch.3#46恒流源偏值源极跟随器的增益mb mmVg ggA?1=2=0，10代维南等效单级放大器Ch.3#47恒流源负载的源极跟随器m mLL o2o1m bLL o2o1m bv vg g11|R r r|r r|gg11|R r r|r r|gg11AA?如何求Vout的摆幅?摆幅、V b、偏值电流I 0、频率响应的折衷关系如何？10，20，10输出端视在输入阻抗此项始终不变此项始终不变单级放大器Ch.3#48例3.8计算下图电路的电压增益A Vm1mb2m2o2o1mb1mb2m2o2o1mb1vvgg11)gggg11|r r|r r|gg11(gggg11|r r|r r|gg11AA?输出端视在输入阻抗02m2mb211/rg+g10,20从M2源端看进去的阻抗为10,20从M1源端看进去的阻抗为01mb111/rg gM1衬偏效应的等效电阻M1衬偏效应的等效电阻单级放大器Ch.3#49源跟随器与共源放大器的级联1.仅有CS放大器，M1工作在饱和区时:V XVonM1=V in-V TH12.加上源跟随器后，M3工作在饱和区时:V XV GS2+VonM3=V GS2+(V b-V TH3)用作电平移动的源跟随器会消耗电压余度(减小输出摆幅)单级放大器Ch.3#50P-SUB上没有体效应的PMOS源跟随器单级放大器Ch.3#51源级跟随器小结1.源级跟随器的A V1，因输出电阻较大，一般只用来驱动小电容(或高阻)负载，不宜用来驱动低阻、大电容负载。 2.源级跟随器的最可能的应用是用来构成电平位移电路。 3.驱动低阻、大电容负载常用衬底NPN(PNP)构成射极跟随器来驱动。 单级放大器Ch.3#52例3.9源极跟随器的应用1.在所关心的频率下C1交流短路，求AV？M1工作在饱和区时，输入端允许的最大直流电平为多少？2.为了允许接近V DD的输入直流电平，电路改为(b)图所示，M 1、M3的栅源电压应满足什么样的关系才能保证M1个工作在饱和区？AV=-g m1r01/r02/(1/g m2)V inmaxV DD-|V GS2|+V TN若V in=V DD，则V X=V DD-V GS3，要保证M1工作在饱和区，则有V DD-V GS3-V TNV DD-|V GS2|，即V GS3+V TN|V GS2|单级放大器Ch.3#53共栅放大器DmD mbmv)R(1g)Rg(gA?D oS ombmout|RrR)r g(g1R?直接耦合的共栅级电容耦合的共栅级输入输出特性单级放大器Ch.3#54共栅放大器的输入电阻X D0DX m mb0m mb0m mbVR+r R1=+I1+(g+g)r(g+g)rg+gR DI X+r0I X-(g m+g mb)V X=V X若=0，R in=1/(g m+g mb)，输入呈现低阻抗特征R D减小了(g m+g mb)r0倍！呈现出阻抗变换特性！单级放大器Ch.3#55共栅放大器阻抗变换特性的应用?假定传输线的特征阻抗为50?若=0,则漏电流的变化g m1V X都是从R D抽取的，故两个电路的增益都是AV-g mR D.?为使结点X处的反射最小，传输线的负载阻抗必须等于其特征阻抗。 R D50?时，(a)一定存在波反射，(b)中选则合适的M1就可使R inM2=1/(g m+g mb)=50?,从而消除波反射!单级放大器Ch.3#56共栅放大器的输出电阻)Rg(g1rR)r g(g1RS mbmooS ombmOUT?ro SS XXmbSSXXm mrobs mb11mmX XII RRII gg)RRII(g gIIVVggVVggII?SXX SmbmX oXR I)I)R(g(I rV?R S为信号源内阻共栅放大器的输出电阻很大，约为r0的1+(g m+g mb)R S倍!理解这一点是理解共源共栅电路的基础。 单级放大器Ch.3#57共栅放大器的增益A VDD SS ombmoo mbmvRR RR)r g(g r1)r g(gA?单级放大器Ch.3#58共栅放大器增益A V的讨论DD SSombmoo mbmvRR RR)r g(g r1)r g(gA?SSmbmmDDmbmmv v)Rgg(g)Rgg(gAA?1limr0这同带源级负反馈电阻R S的CS增益,只是符号相反,给出直观解释00r r1lim)(g)(g Ambmmbmv?R D这同带恒流源负载的CS增益,只是符号相反,给出直观解释单级放大器Ch.3#59共栅放大器小结1.A i1，A V=g m(R D/r0)，A V同CS放大器相当2.输入阻抗低，有阻抗变换特性。 3.输出阻抗高，可用于提高增益和构成高性能恒流源。 4.由于没有密勒效应，频带最宽，常同CS联合构成CSCB放大器，用于高速运放作差分输入放大级。 单级放大器Ch.3#60共源共栅（Cascade）放大器输入输出特性为什么V Xmax=V b-V T2？V in时，M 1、M2谁先进入线性区？谁先进入线性区对恒流特性和输出摆幅有何关系?当V X 这是靠牺牲摆幅来获取带宽和增益的提高。 单级放大器Ch.3#62共源共栅放大器的小信号等效电路1=0，2=0，20DDmb2m2o2o1DDo2o1o2mb2m2|R)gg(g rr|Rr rr)r gg(g1Rout?|R)g(g rr gAD mb2m2o2o1m1V?单级放大器Ch.3#63例求下图电路的A V(假定=0)11)gg(g RR)gg(g RRV Vgggggg11R RRRV VggI Imb2m2P Pmb2m2P Pin m1mb2m2P PPPinm1D2?11)gg(g RRR)Rgg(gggV VRRIIA Amb2m2P PDD PP mb2m2m1inD DD2VV?M1的小信号电流g m1V in被R p和向M2源端看进去的阻抗1/(g m2+g mb2)分成两部分，故因Vout=I D2R D，所以单级放大器Ch.3#64共源共栅放大器的输出电阻)gg(g r rrrrrr)r gg(g1R Rmb2m2o2o1o2o1o2mb2m2out?注意左边电路的输出阻抗就是共源放大器带负反馈电阻R S的的输出阻抗上式表示共源共栅结构具有很高的输出阻抗，对提高放大器小信号增益、提高电路源的恒流特性十分有利单级放大器Ch.3#65恒流源负载的共源共栅放大器)gg(g rrrrrrr)r gg(g1R Rmb2m2o2o1o2o1o2mb2m2out?)g(g rr gAmb2m2o2o1m1V?理想恒流源如何近似产生？单级放大器Ch.3#66共源共栅（Cascade）放大器)g(r|)g r(r gAm3o4o3m2o2o1m1V?因M 1、M2的高输出阻抗，欲得高增益要求所带负载也必须是高输出阻抗，故负载也常用共源共栅电路源。 用共源共栅电流源近似代替理想恒流源该电路的静态工作点V out能“目测”吗?为什么?单级放大器Ch.3#67共源共栅电路静态工作点不能目测”带来的问题CSCB恒流源负载用作差分输入级的半电路时,I SS若因输入共模电压发生变化(V in1=V in2=V incm)带来沟道调制效应(I SS通常是以单NMOS构成的简单恒流源)导致I SS有一微小变化2I SS,其静态电压V01=V02因(g m5r05r07)/(g m3r03r01)很大而变化一很大量I SS(g m5r05r07)/(g m3r03r01),这将导致后级因此无法正常工作。 该电路作为差分对的半边电路时，必需辅以稳定V out静态电压的电路(通常称为共模反馈电路)才能正常工作！I SS的微小变化会导致V out静态工作点的极大变化M1M3M5M7半电路半电路V incmV01V inV02R in=g m3r03r01R in=g m5r05r07V out=g m1g m3r03r01/g m5r05r07V inV01 (02)=g m3r03r01/g m5r05r07I SS2I SS单级放大器Ch.3#68静态点不能“目测”与能“目测”的差异二极管连接的MOS管用作差分输入级的半电路时,I SS若因输入共模电压V in1=V in2=V incm发生变化带来沟道调制效应(I SS通常是以单NMOS构成的简单恒流源)导致I SS有一微小变化2I SS,其静态电压V01=V02因(1/g m5)/(g m3r03r01)(1/g m5)较小而变化一较小量I SS/g m5,这比CSCB恒流源负载时远远小的多。 故该电路作为差分对的半边电路时，勿需辅以稳定V out静态电压的电路(通常称为共模反馈电路)就能正常工作！I SS的微小变化会导致V out静态工作点的极大变化M1M3M5M7V01V inV02R in=g m3r03r01R in=1/g m5V out=g m1/g m5V in (02)=I SS/g m5g m3r03r01/g m5r05r07I SS2I SSV incm半电路半电路不能目测时的变化量单级放大器Ch.3#69增加L与采用共源共栅结构来提高增益的比较LLI11I ILLW WCC2rr g gDDD DOX nnoomm?1.假定I D不变，若(a)中L变为原来的4倍而W保持不变，则V onb=2V ona，与(b)中层叠的两个MOS管消耗的电压余度相同2.因g mr