电池片清洗工序指导书.doc

清洗操作规程一、目的 1.去除表面硅片有机物和金属杂质。 2.去除硅片表面机械损伤层。 3.在硅片表面形成表面组织，增加太阳光的吸收，减少反射。二、原理 单晶：利用碱溶液对单晶硅各个晶面腐蚀速率的不同，在硅表面形成金字塔状的绒面。化学反应方程式：Si +2NaOH+H2ONa2SiO3+2H2多晶：利用HNO3的强氧化性和HF的络合性，对硅片进行氧化和络合剥离，导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，形成类似凹陷坑状绒面。化学反应方程式：SI+4HNO3+6HFH2SiF6+4NO3+4H2O三、操作过程.生产准备1.穿好工作服、工作鞋、戴好工作帽，经过手动风淋后进入车间，并带上手套及口罩。2.需要加物料的人员戴上安全眼镜、防护面具、防酸碱围裙、长袖防酸手套。.制绒过程1. 工艺参数 单晶物料NAOH（g）异丙醇（ml）清洗剂（ml）硅酸钠（g）温度()第一批1200800080020070第二批4001500200-70第三批3001200100-70第四批300800-100050-70以下物料追加就按第四批添加。 多晶 物料HFHNO3H2O温度（）第一次77L187L176L8追加500ml900ml-82.清洗机操作顺序 单晶池号1#2#6#7#8#9#10#11#12#13#14#15#溶液60清洗剂2瓶 的溶液常温清水制绒池加料按工艺参数添加常温清水常温清水HF5瓶及HCL4瓶的溶液常温清水HCL8瓶的溶液常温清水喷淋后出片时间240S50S 30M（可按情况调节）50S50S100S100S300S100S300S多晶池号2#4#5#6#9#10#11#12#13#14#15#溶液常温清水制绒池按工艺参数添加碱液 2000GHCL1瓶溶液常温清水常温清水HF5瓶及HCL4瓶的溶液常温清水HCL8瓶的溶液常温清水喷淋后出片时间50S150S1M60S50S50S100S100S300S100S300S3.制绒要求单晶插片房插好片，按要求把硅片整齐放入塑料蓝内400片/批，然后放在清洗机上，启动绿色按键，硅片到达指定位置后，在触摸显示屏上按下自动启动。 制绒槽水位到达预定刻度，开启加热开关，盖上槽盖。 当温度显示器达到制绒温度时，先按工艺规定的配液比例加入NaOH，让NaOH缓慢均匀的融入水溶液中，并搅拌均匀。 再按工艺配液比例加入异丙醇和清洗剂，充分搅拌均匀，过完超声波的硅片便可以放入制绒池中制绒（两者间隔时间最好保持在两分钟内），盖上盖子，开始记时。 每个制绒池做完一批后，需要定量补料，范围为根据实际生产出片制绒效果，结合工艺参数定夺。 多晶 插片房插好片，按要求把硅片整齐放入塑料蓝内400片/批，然后放在清洗机上，启动绿色按键，硅片到达指定位置后，在触摸显示屏上按下自动启动。 制绒槽水位到达预定刻度，开启制冷机及循环泵，用测温枪监测温度。 先按工艺要求把制绒的物料加入制绒池内，加料一定要缓慢准确添加，记好所加的物料数量。 每一批都要根据硅片减重及表面质量，及时更改所加的物料。四、工艺控制要求 1.所有槽中的水必须一个班次更换一次，并清理槽内碎片，制绒池一定要用异丙醇擦洗干净后， 再用水冲洗干净。2.停产的情况，则视制绒槽中情况补加物料。 3. 在硅片制绒好后，由于每次取片都会带走部分溶液，应观察每个槽中液位，如有达不到水位，应及时补水和药液适量调整加入。 4.清洗工序做好各种表格记录。五、过程检验1.生产过程中，制绒盖子要关闭密合。2.各槽液位是否准确，温度是否正常，不适合要及时调整。3.机械臂走位及定位准确、勾篮子准确。4.清洗槽中无杂质，无大量大块碎硅片，如有则及时清理。5.当硅片放入制绒槽中，根据制绒效果抽片检查腐蚀后硅片质量，包括绒面外观质量，单晶外观要求绒面灰暗，无明显白斑、白点、不反光发亮、无篮子印。多晶外观要求绒面灰暗，无反光发亮，无黄斑。六、注意事项1.每批投料前，需要检查制绒液液位，及时调整。2.操作化学药品时，一定要带好防护面具和防护手套，操作化学药品之前和之后都确保化学品储存罐开口密封，防止泄露和玷污危险发生。3.关注硅片绒面表面质量，如不合格，及时通知当班工艺员。4.设备出现故障时，及时通知设备维修人员。5.地面或任何设备表面有化学药品玷污时，及时清理防止危害。6.传递窗的台面要定时清理，台