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文档简介

摸拟电子技术 练习题2答案一、单选题(每题1分)1.C2.C3.B4.A5.B6.C7.C8.A9.C10.D11.B12.D二、判断题(每题1分)1.错误2.正确3.错误4.正确5.错误6.错误7.错误8.错误9.错误10.错误11.错误12.正确三、填空题(每题2分)1. 92、0.9892. 耗尽、增强3. 大(或答:高)、强4. 3、1、2、PNP5. 电场6. 静、动7. 基、集电8. 增大、增大、减小(或答:降低)9. 图解、工程近似估算10. 放大(或答:恒流)、饱和(或答:恒流或放大)11. 直流、交流12. 10、20、2013. 栅源、漏极14. NPN、PNP15. B、A、C、PNP、5016. 正向、反向17. 放大四、计算分析题(每题5分)1. 先画出该电路的交流通路图如图所示然后再画出小信号等效电路如图所示由图可得计算的最后结果数字:2. 图(a)为P沟道耗尽型MOS管,其电路符号如下图(a)所示。UGS(off)=2V,IDSS=2mA。图(b)为N沟道增强型NMOS管,其电路符号如下图(b)所示。UGS(th)=1V。3. 图(a)为N沟道耗尽型MOS管,其电路符号如下图(a)所示。uGS(off)= -8V,IDSS=4mA。图(b)为N沟道结型场效应管,其电路符号如下图(b)所示。uGS(off)= -5V,IDSS=5mA。4. 解题过程及步骤:因为三极管为硅管,故UBE=0.7V,因为 IBIBS ,故三极管工作在饱和状态计算的最后结果数字:IB=0.1mA,IC2.5 mA,5. (1)求静态工作点 (2)交流分析微变等效电路故6. (a) (b) 计算的最后结果数字:(a) IC 1.96mA,UCE 2.71 V,(b) IC 1.66mA,UCE - 3.72V,7. 解题过程及步骤:因为三极管为硅管,故 UBE=0.7V设三极管放大工作,则0.3V可见三极管确实工作在放大区。计算的最后结果数字:,8. 设三极管放大工作,则由图可得,可见假设成立,上述计算结果有效。计算的最后结果数字:IC1.65 mA,9. 解题过程及步骤:显然发射结零偏,三极管工作在截止状态。IB=0IC=010. 图(a)为N沟道耗尽型MOS管,其电路符号如下图(a)所示。UGS(off)= -1.5V,IDSS =

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