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碳化硅高温氧化工艺的研究

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碳化硅 高温 氧化 工艺 研究 钻研
资源描述:
碳化硅高温氧化工艺的研究,碳化硅,高温,氧化,工艺,研究,钻研
内容简介:
中期报告题目:碳化硅高温氧化工艺的研究撰写内容要求: 1.设计(论文)进展状况已进行的实验安排和步骤前期根据所查阅文献对碳化硅铝基复合材料的成分进行初步的分析和了解,确定碳化硅粉末的性能要求。结合生产实际及实验室条件,采用箱式电阻炉进行烧结。1.1实验材料本实验采用14微米工业-SiC 粉料( 纯度98 %)。表 1 碳化硅的物理、力学性能1.2 实验设计为了使实验具有对比性,对碳化硅进行均分等量烧结,对烧结后的碳化硅粉末进行 XRD 射线衍射分析物相变化及显微金相组织分析。然后分别在1100、1200下进行 2h、 4h、6h 的高温氧化。在取出每个试样后,对其进行金相显微组织分析、XRD 物相分析。高温氧化工艺:为使本课题结论更具有说服力,本实验采用两种不同温度、两种不同冷却方式、三种不同氧化时间的高温氧化工艺作为对比,详见表2。 表2 高温氧化实验方案(1)在空冷条件下的实验方案:加热温度/ 保温时间/h24第一组 1100624第二组 12006(2)在随炉冷条件下的实验方案:颗粒名称 密 度g/cm3熔 点热膨胀系数10-6/弹性模量GPa弯曲强度MPaSiC 3.21 2700 4 450 400-500加热温度/ 保温时间/h24第一组 1100624第二组 120061.3 试样的制备1.3.1 金相试样的制备取适量未烧结的 14m 碳化硅粉末置于烧杯中,倒入少量酒精进行稀释,待完全溶解后,用胶头滴管取适量溶液滴于载玻片上,风干后置于金相显微镜下进行分析观察,观察其显微组织。1.3.2 碳化硅粉末烧结(1)选择三个深度为 2的耐火砖作为烧结器皿,将 14m 的碳化硅粉末均等分为三份,分别置于其中。(2)把装有试样的耐火砖放置在箱式电阻炉(工作温度 600-1200,最高温度 1300)中进行烧结。加热温度设定为 1100、1200 ,保温时间设定为 2、4、6h,冷却方式为空冷和随炉冷却。然后,在两种不同的冷却方式下做 1100、1200分别保温 2、4、6h 的高温氧化实验。(3)待试样烧结完成后,取出装于试样袋中,进行标记,方便后期研究观察。1.3.3 XRD 射线扫描分析将空冷状态下烧结到 1100、1200,分别保温 2、4、6h 的试样和在随炉冷却状态下烧结到 1100、1200,分别保温 2、 4、6h 的试样依次进行XRD 射线扫描分析,并将所得数据绘制成线条图,进行物相分析。1.4 实验设备高温箱式加热电阻炉(最高加热温度 1300,温度偏差10,额定功率 6kw,额定电压 380v,炉膛尺寸 251510);金相显微镜;XRD 射线扫描仪;扫描电镜等。1.5 已开展的工作已制备好所有实验用试样,已经对与铝合金熔炼前的碳化硅粉体的性能、表面状况、物相进行了测量及判定,对熔炼前碳化硅粉体进行了 XRD 衍射和金相分析,已得到部分数据与照片。对已准备好的试样进行了编号。1.6 已获得的实验数据下列实验数据仅进行了初步处理。(1)金相显微组织:(a)(b)图 1.1 碳化硅原始形貌(100)(c)(d)图 1.2 碳化硅原始形貌(200)图 1.3 碳化硅原始形貌(500)(2)XRD 射线衍射数据图:图1.4 烧结碳化硅粉末XRD图(2h空冷氧化1100)图1.5 烧结碳化硅粉末XRD图(4h空冷氧化1100)图1.6 烧结碳化硅粉末XRD图(2h空冷氧化1200)图1.7 烧结碳化硅粉末XRD图(氧化1200)2.存在问题及解决措施(1)由于有些实验设备及分析软件属于初次使用,不熟悉具体操作步骤,在使用前要进行学习使用方法,所以导致实验进展缓慢。另外,由于本课题采用了对比性实验和温度相对较高、保温时间较长的试验方案,实验试样必然多而耗时,为避免这种情况的发生,对实验中所有试样进行了标记。(2)烧结后的碳化硅试样,在用相关软件绘制出的线条图中,未观察到特别明显的 SiO2 晶体组织。为了完善这一缺陷,在接下来的试验当中积极寻找应对措施,略微改变实验思路,进行进一步的深入分析。3.后期工作安排(1)对碳化硅粉末再一次进行烧结,直到得到最佳试样; (2)对已经烧结好的碳化硅粉末进行性能测定、物相判定和金相试样的分析;(3)将烧结好的碳化硅粉末至于铝液中,看与铝液的界面反应;(4)汇总
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