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1 第八章晶体的结构与晶体材料Chapt8CrystaltructuresandMaterials 2 晶体 微粒在空间长程有序排列 晶体中能带 3 8 1晶体结构的能带理论与密堆积原理 8 1 1晶体结构的能带理论 晶体结构的结构单元不同 形成的能带结构也不同 例1 H2晶体的能带结构 4 例2 锂晶体的能带结构 5 对一价金属 价带是未满带 故能导电 对二价金属 价带是满带 但禁带宽度为零 价带与较高的空带相交叠 满带中的电子能占据空带 因而也能导电 禁带宽度为零 5 例3 金刚石的能带结构 4 6 半导体的禁带宽度 0 1 2 0eV 绝缘体的禁带宽度大于4 5eV 例 金刚石 带隙 7eV 绝缘体 带隙的大小决定了价带与空带之间电子跃起的难易 对于不同的材料 禁带宽度不同 导带中电子的数目也不同 从而有不同的导电性 7 例如 绝缘材料SiO2的Eg约为5 2eV 导带中电子极少 所以导电性不好 电阻率大于1012 cm 固体的导电性能由其能带结构决定 金属的导带与价带有一定程度的重合 Eg 0 价电子可以在金属中自由运动 所以导电性好 电阻率为10 6 10 3 cm 半导体Si的Eg约为1 1eV 导带中有一定数目的电子 从而有一定的导电性 电阻率为10 3 1012 cm 8 8 1 2晶体结构的密堆积原理 9 10 密置层如何叠起来形成密堆积 先考察一个密置层的结构特点 11 11 A层 参照层 上有3个特殊位置 球的顶部A 上三角凹坑B和下三角凹坑C 10 叠加到A层上的第二层各个球只能置于凹坑B或C 由于上下三角只是相对而言 故称第二层为B层 第三层叠加到第二层B上时 只可能是C或A层 无论叠加多少层 最多只有A B C三种 最少有A B两种 因为相邻层不会同名 ABC AB 两层堆积 AB 12 面心立方最密堆积A1 六方最密堆积A3 体心立方密堆积A2 金刚石型堆积A4 金属晶体中 构成晶体的微粒 金属原子 可以看成是等径圆球 所以金属晶体常以上述四种方式堆积 13 1 面心立方最密堆积 A1 14 逆向思维 15 2 六方最密堆积 A3 22 16 16 六方点阵结构 15 17 3 体心立方密堆积 A2 布鲁塞尔的原子球博物馆9个直径18米的球形展厅构成一个立方体心晶格模型 其设计构思是将金属铁原子的模型放大 亿倍 它的9颗圆球代表9粒铁原子 也象征比利时9省 18 金刚石型堆积 A4 19 等径圆球常见堆积方式 20 面心立方最密堆积 A1 晶胞含金属原子数 8 1 8 6 1 2 4 21 空间利用率 晶胞参数 22 正当晶胞含原子数目 8 1 8 1 2 六方最密堆积 A3 15 23 空间利用率 24 晶胞含原子数 8 1 8 1 2 体心立方密堆积 A2 25 空间利用率 26 金刚石型堆积 A4 顶点1面心3体内阵点4 15 OP1 OO 4 27 27 空间利用率 O和P1为原子最近接触距离 OP1 OO 4 金刚石型堆积 A4 26 28 29 8 1 2 2非等径圆球的堆积 离子晶体中 由于正负离子体积不同 则出现非等径圆球的堆积 非等径圆球的堆积 以大球的最密堆积进行 小球则填入空隙中 30 A1最密堆积中的四面体空隙 36 31 8 1 3各类常见晶体化学键特征 32 各类常见晶体化学键特征 金属原子离子原子分子 金属键离子键共价键范德华力 无方向 无饱和无方向 无饱和有方向 有饱和无方向 无饱和 33 8 2金属晶体的结构与应用 8 2 1金属晶体的结构与金属键的本质 金属晶体中原子结合能较大 100kJ mol 金属键是一种不同于共价键和离子键 特殊的 没有方向性的化学键 能带理论和密堆积原理均适用于金属晶体的结构 氢键键能 50kJ mol 分子间作用能 15kJ mol 34 8 2 1 1金属能带结构 锂晶体的能带结构 35 8 2 1 2金属晶体中原子的堆积 采用等径圆球型式密堆积 常见的堆积型式有 立方面心最密堆积A1六方最密堆积A3立方体心密堆积A2金刚石型堆积A4 如 Mg Zr晶体 如 K Na晶体 如 Sn Ge晶体 如 Cu Ag晶体 金属晶体中微粒 金属原子 36 正负离子大小不同 按非等径原子堆积 通常以负离子按A1 A3最密堆积 正离子填入四面体 八面体 立方体等空隙 8 3离子晶体的结构与应用 离子晶体中 离子键源于正 负离子的静电库仑作用 没有方向性和饱和性 微粒倾向于密堆积 8 3 1离子晶体中微粒堆积特征 30 37 NaCl晶体 Cl 立方面心格子A1 38 8 3 2离子晶体的基本结构类型 39 NaCl型 40 分数坐标描述Cl 0 0 0 0 1 2 1 2 1 2 0 1 2 1 2 1 2 0 Na 1 2 0 0 0 1 2 0 0 0 1 2 1 2 1 2 1 2 41 立方ZnS 闪锌矿 这是非常重要的晶体结构 已投入使用的III V族和II VI族的半导体晶体大都以立方ZnS型为主 例如 GaP GaAs GaSbInP InAs InSbCdS CdTeHgTe 42 立方ZnS Zn2 立方面心格子A1 43 分数坐标描述Zn 0 0 0 0 1 2 1 2 1 2 0 1 2 1 2 1 2 0 S 1 4 1 4 3 4 1 4 3 4 1 4 3 4 1 4 1 4 3 4 3 4 3 4 ZnS 44 六方ZnS 45 晶体结构离子堆积方式有两种 CaF2型 46 A B 47 金红石TiO2型 TiO O以假六方密堆积Ti填入八面体空隙 晶胞中含Ti原子数 8 1 8 1 2含O原子数 2 4 1 2 4 48 离子半径比与配位数的关系 离子晶体中 正负离子的相对大小决定了微粒的堆积方式 49 二元离子晶体的六种典型结构型式 50 例1 金刚石 8 4共价键型晶体 分子型晶体和混合键型晶体的结构与应用 8 4 1共价键型晶体 原子晶体 原子以共价键结合而形成的无限分子的晶体 共价键 方向性 饱和性 特点 硬度大 熔点高 导电性差 导热性低 共价键结合能大 能带结构中禁带很宽 51 同类型结构的物质有 硅 锗 灰锡 Sn 等 金刚石晶胞 例2 白硅石 SiO2 Si占据了金刚石晶胞中的C的位置 两个Si之间加一个O原子 Si O 52 8 4 2分子型晶体原子通过共价键形成分子 分子间再通过范德华力或氢键结合形成的晶体 53 氢键型晶体 分子间以氢键结合形成的晶体 是分子型晶体中的一类 氢键是一种比较强的 具有方向性的范德华力 氢键 具有类似于共价键的方向性和饱和性 键能小于共价键 但比范德华力大 所以 氢键是一种特殊的键 如 冰 根据 最大限度生成氢键原理 每个O原子周围有4个H 其中2个以共价键结合 2个以氢键结合 53 54 52 55 8 4 3混合键型晶体内部结构
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