三极管放大电路介绍ppt课件.ppt

1 1 BJT的高频小信号模型 混合 型高频小信号模型 2 单级共射极放大电路的频率响应高频响应 3 单级共射极放大电路的频率响应高频响应 4 2 低频响应 低频等效电路 5 2 低频响应 低频等效电路 Rb Rb1 Rb2 远大于R i Ce Cb2 6 则 2 低频响应 低频响应 7 2 低频响应 低频响应 相频响应 180 arctan fL1 f 180 arctan fL1 f 幅频响应 8 2 低频响应 低频响应 包含fL2的幅频响应 4 7 4单级共集电极和共基极放大电路的高频响应 自学 9 1 多级放大电路的增益 前级的开路电压是下级的信号源电压 前级的输出阻抗是下级的信号源阻抗 下级的输入阻抗是前级的负载 4 7 5多级放大电路的频率响应 10 2 多级放大电路的频率响应 以两级为例 4 7 5多级放大电路的频率响应 11 一 选择题 填空题和判断题 习题课 1 电路如左图所示 晶体管VBE 0 7V 50 则晶体管工作在 a 放大区 b 饱和区 c 截止区 2 已知稳压管的稳压值UZ 6V 稳定电流的最小值IZmin 5mA 下图所示电路中UO1为 UO2为 6V 5V 12 3 分别判断下图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态 解 a 可能 b 可能 c 不能 d 不能 T的发射结会因电流过大而损坏 e 可能 13 4 判断下列说法是否正确 凡对的在括号内打 否则打 1 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作 2 由于放大的对象是变化量 所以当输入信号为直流信号时 任何放大电路的输出都毫无变化 3 只要是共射放大电路 输出电压的底部失真都是饱和失真 4 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为 100 将它们连成两级放大电路 其电压放大倍数应为10000 5 阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立 它只能放大交流信号 6 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响 它只能放大直流信号 7 只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化 14 一 试分析下图所示各电路是否能够放大正弦交流信号 简述理由 设图中所有电容对交流信号均可视为短路 c 不能 因为输入信号作用于基极与地之间 不能驮载在静态电压之上 必然失真 解 a 不能 因为输入信号被VBB短路 b 可能 基本放大电路 15 二 判断所示各两级放大电路中 T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路 设图中所有电容对于交流信号均可视为短路 a 共射 共基 b 共射 共射 c 共射 共射 d 共集 共基 f 共基 共集 16 三 若电容Ce开路 则将引起电路的哪些动态参数发生变化 如何变化 输入电阻增大 电压增益减小 频带变宽 17 四 放大电路如图1所示 已知晶体管的 要求 1 试求放大电路的电压放大倍数 输入电阻 输出电阻 2 设输出电压的波形出现如图2的失真情况 试问改变偏流电阻的大小能否消除失真 为什么 若负载电阻和输入信号均不变 怎样才能消除上述失真 解 1 AU RC RL rbe 44 Ri RB rbe 1k Ro RC 3 3k 2 不能 因为现在同时出现饱和失真和截止失真 改变RB 只能使饱和失真或截止失真更厉害 增大电源的值或选用 小的管子 18 五 设下图所示各电路的静态工作点均合适 分别画出它们的交流等效电路 并写出Au Ri和Ro的表达式 解 电压增益 输入电阻 输出电阻 19 20 21 Ri ri2 18 62 3 2 74k RE 15 ri2 2 12k Ri 750 rbe1 1 50 RE 98k 放大电路的增益 R0 4 3 rbe3 220 6 2 51 145 22 放大电路的频率响应 一 选择正确答案填入空内 1 对于单管共射放大电路 当f fL时 与相位关系是 A 45 B 90 C 135 当f fH时 与的相位关系是 A 45 B 135 C 225 C C 2 某共射放大电路的波特图如右图所示 其增益的表达式 23 5场效应管放大电路 5 1金属 氧化物 半导体场效应管 Metal Oxide SemiconductorFieldEffectTransistor MOSFET MOS 5 3结型场效应管 JunctionFieldEffectTransistor JFET 5 4砷化镓金属 半导体场效应管 5 5各种放大器件电路性能比较 5 2MOSFET放大电路 24 5 1金属 氧化物 半导体 MOS 场效应管 5 1 1N沟道增强型MOSFET 5 1 5MOSFET的主要参数 5 1 2N沟道耗尽型MOSFET 5 1 3P沟道MOSFET 5 1 4沟道长度调制效应 25 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 耗尽型 场效应管的分类 26 5 1 1N沟道增强型MOSFET 1 结构 N沟道 L 沟道长度 W 沟道宽度 tox 绝缘层厚度 通常W L 27 5 1 1N沟道增强型MOSFET 剖面图 1 结构 N沟道 符号 漏极d Drai