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文档简介

.,1,习题答案,.,2,简述CMOS工艺流程,.,3,1.已知电路如图1所示，使用一阶二极管模型，即求解,习题1电路图,解：,.,4,.,5,.,6,3.简述MOS管的电容分布，及其模型,.,7,.,8,（a）,.,9,（b）,.,10,.,11,.,12,1.假设设计一个通用0.25mCMOS工艺的反相器，其中PMOS晶体管的最小尺寸为(W=0.75m，L=0.25m，即W/L=0.75/0.25),NMOS晶体管的最小尺寸为(W=0.375m，L=0.25m，即W/L=0.375/0.25)求出g,VIL,VIH,NML,NMH,.,13,1.假设设计一个通用0.25mCMOS工艺的反相器，其中PMOS晶体管的最小尺寸为(W=0.75m，L=0.25m，即W/L=0.75/0.25),NMOS晶体管的最小尺寸为(W=0.375m，L=0.25m，即W/L=0.375/0.25)求出g,VIL,VIH,NML,NMH,.,14,.,15,2.如下图所示，由NMOS组成的反相器，输出电容CL=3pF,W/L=1.5um/0.5um,求tpHL,tpLH和tp,注：NMOS和PMOS的等效电阻可由表3.3查出,.,16,1.写出下图的逻辑函数式,.,17,2、写出下图的逻辑函数式，确定电路中晶体管的尺寸，使它的tpLH和tpHL与具有以下尺寸的反相器近似相等：NMOS为W/L=4,PMOS:W/L=8,.,18,Q,Q,习题1：一上升沿触发的D触
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