手机电路设计PPT课件

.,1,目录,一、手机电路设计（硬件框图）二、元件的选型,2,.,手机电路设计（硬件框图）,1、手机硬件的基本原理框图2、MT6235，MT6253，MT6225，MT6223D的BB框图3、平台差异性讨论,3,.,1、手机硬件的基本原理框图,4,.,2、MT6235框图,5,.,MT6253框图,6,.,MT6225框图,7,.,MT6223D框图,8,.,3、平台差异性讨论,PMU的集成；Transceiver的集成；双卡单通集成；USB2.0支持性；Camera和T卡的支持；,9,.,二、元件的选型,1、电源；2、存储器；3、音频功放；4、ESD器件；5、其他器件的选择,10,.,电源（一）,目前有三种选择：线性LDO稳压器、无电感型开关稳压器(亦称为充电泵)以及传统的开关稳压器(基于电感器)。线性LDO：线性LDO稳压器被认为是最简单的方案，它只能将输入电压转换到更低的电压。它最显著的缺点是热量管理，因为它的转换效率接近于输出电压与输入电压的比值。传统的开关稳压器（DC/DC）：开关稳压器可避开所有线性稳压器的效率缺点。通过使用低阻抗开关和磁存储组件，开关稳压器的效率能达到90以上，从而显著减少转换过程的功率损耗。无电感型开关稳压器（CHARGEPUMP）：介于线性稳压器与传统开关稳压器之间的是充电泵。在充电泵中，外部储能元件是电容而不是电感。由于没有电感，它可以减轻潜在的电磁干扰问题充电泵的缺点是有限的输入输出电压比以及有限的输出电流能力。,11,.,电源（二）,选择电源模块时应该注意的几点：1、输出功率需要确认电源模块的输出电流。案例：MT6319的峰值电流在150MA左右，射频供电的LDO兼容物料（EUP7981-28NIR1），输出电流只有150mA，在极端条件下出现的电流临界点，出现无法拨打电话。2、转换效率传统的开关稳压器（DC/DC）无电感型开关稳压器（ChargerPump）线性LDO。3、体积线性LDOAB类功放3。价格D类功放是数字功放AB类功放,28,.,AB类功放应用框图：音频功放(AB类)CP2290GITLX,29,.,类功放应用框图：音频功放(2.1W,D类)YDA145-PZ*（带功能，防破音）,30,.,类功放应用框图：音频功放(2.5W,D类)A7013M,31,.,ESD器件选择（一）,ESD破坏大多数明显的影响是器件失效，从手指或其它导体上突然的静电释放能够破坏静电敏感器件或者微电路。，ESD保护对高密度、小型化和具有复杂功能的电子设备而言具有重要意义。ESD器件主要有两种：TVS和MLVTVS（TransientVoltageSuppresser瞬态电压抑制器）二极管TVS二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。MLV(Multi-LayerVaristor，多层变阻器)MLV是一种基于ZnO压敏陶瓷材料，采用特殊的制造和处理工艺而制得的高性能电路保护元件，其伏安特性符合I=kVa，能够为受保护电路提供双向瞬态过压保护。,32,.,ESD器件选择（二）,ESD器件选择需要注意的几点：1。限制电压限制电压小，保护性能好，但限制电压不能低于或者太接近与工作电压，这样容易引起误动作。2。响应速度响应速度越快、电压的冲击的影响就越小。MLVTVS3。能量耐受能力和通流能力这个反映出ESD器件的功率等级，功率越大，所能承受的ESD冲击越前。保护也就越好了。4.电容大小一般来说，电容越小越好5。价格TVSMLV,33,.,其它器件选择,1。电阻电阻一般关心的精度和功率，一般来说，采用的0402的1/8W电阻2。电容RF选用电容一般关心的是精度和温度特性，对于BB，电容器的等效串联电阻(ESR)会影响其稳定性,一般越越小越好。钽电容陶瓷电容3。晶振晶振的主要参数有标称频率，负载电容、频率精度、频率稳定度等。4。MosFET一般MosFET用于电流的开关控制上，所以他的导通电阻最为重要。,34,.,压敏电阻的特性曲线图,35,.,36,.,37,.,38,.,TVS的特性曲线图和参数指标,39,.,40,.,硬件材料选型技术基本参考要素原则,1。性能对于不同的器件，和不同的使用环境，对于器件的选择的侧重点存在不同，要根据