电子元件的识别与检测二极管、三极管、电容、电阻

项目1:理解和测试常见的电子元件；任务1:正确使用万用表；任务2:学习识别电子元件；任务3:理解二极管；任务4:学习晶体管操作说明；看一看，认出来。电子电路主要包括以下元件：1)电阻：电子电路中最常用的耗能元件。它具有稳定和调节电路中电流和电压的功能，可用作分流器、分压器等。2)电容器：它是一种能够在电子电路中存储电场能量的元件，其使用率仅次于电阻器。它具有“隔离直流和交流”的能力，通常具有滤波、旁路、耦合等功能。3)电感：它是一种能储存磁场能量的元件，具有“接通DC和阻断交流”的能力。它通常用于滤波、振荡和延迟等电路中。4)二极管：单向导通。二极管分为普通二极管和特殊二极管，它们可以起到整流、稳压、检测、保护和发光的作用。5)晶体管：具有电流放大和开关功能。元件选择元件清单任务1正确使用万用表500型万用表MF47型万用表数字万用表1MF47型指针式万用表组成，主要包括三个部分，介绍面板仪表开关(又称选择开关)测量电路1。仪表，仪表采用高灵敏度磁电测量机构，是测量显示装置。仪表上的表盘印有各种符号、刻度和数值。MF47万用表是一种多功能多量程仪表。它的表盘上有六个刻度。对于不同项目或档位的测量，数据从相应的标尺读取，DC电阻、交流电压、DC电压、DC电流、晶体管放大、电容、音频电平、开关、电气块、DC电流块、晶体管放大、DC电压块、交流电压块等。3.测量电路，2。使用指针式万用表，1。电阻测量1)档位选择：欧姆档2)档位选择：使指针指向欧姆档刻度的1/2左右(在欧姆值的中心)3)欧姆调零：短接红色和黑色探头，调节“”调零旋钮，使指针指向0位置4)连接电阻：将两个探头分开，随意连接被测电阻的两端5)读数：电阻=刻度值该档位比。2.交流电压的测量1)档位选择：交流电压档位2)档位选择：当电压范围未知时，首先使用高档位，然后换低档位，使指针落在满量程的2/3以上3)刻度选择：选择标有“V ”的刻度并读取适当的刻度4)测量：探头与被测电路并联，不管极性如何5)读数：根据所选范围选择适当的刻度并读取被测电压值。3.DC电压测量1)档位选择：DC电压档位2)档位选择：当电压范围未知时，首先使用高速档，然后换到低速档，使指针落在满量程的2/3以上3)刻度选择：选择标有“V-”的刻度并读取适当的刻度4)测量：探头与被测电路并联。红色笔连接电路的高电位端和黑色笔连接电路的低电位端5)读取：根据选择的范围选择适当的刻度，读取测量的电压值，4)测量DC电流1)选择档位：DC电流档位2)选择档位：当电流范围未知时，首先使用高档位，然后改变低档位， 使指针落在满刻度的2/3以上3)选择刻度：选择标有“ma”的刻度，读取适当的刻度4)测量：断开被测电路，串联万用表的红色和黑色探针，电流将从红色笔流向黑色笔。 5)读数：根据选择的测量范围选择合适的刻度，并读取测量的电流值。5)晶体管hFE的测量。1)选择档位并设置零点：将转换开关设置为ADJ档，设置零点后将开关设置为高频档。2)测量：将E、B、C引脚插入万用表对应的插座中，将PNP管插入P座中。将NPN管插入N座3)读取仪表：读取被测晶体管在hFE刻度线上的hFE值，并在任务2中学习识别电子元件。首先，识别电阻器、电阻器类型、常用电阻的物理和图形符号1)直接记数法：阿拉伯数字和单位符号用于直接在电阻器本体上标记电阻值2)文本记数法：阿拉伯数字和文本符号定期组合以表示标称电阻值。例如，5K1表示5.1，5K 1表示5.1，4M7表示4.73)数字方法：电阻值用两个或三个阿拉伯数字表示。前面的数字代表有效数字，最后一个数字代表零的数目。三位数字，如“103”表示10000。4)色码法：是一种电阻色码法，用颜色(色环或色点)在电阻外表面标记电阻的类型和主要技术参数的值，可分为两位或三位有效数字、两位有效数字电阻色码法，棕红色1、2和橙色3；4、5黄色绿色，6蓝色；7紫色、8灰色、9白色；黑色圆是0个鸡蛋；金和银代表负1和2，颜色数字应该完全记住。通常使用四个电阻环。第一个和第二个环是有效数，第三个环的乘法是关键，第四个环代表错误数。一般来说，没有必要使用它们。三位有效数字电阻色码法，精密电阻有五个环，前三个环是有效数字，乘法误差是四个或五个环，自由使用真的很方便。例如：1。四环电阻色环顺序：棕色黑金的电阻值为10，误差为5%。2.五环电阻，色环顺序：灰红黑金的电阻值为820，误差为5%。2.电阻器的额定功率。当电阻器长时间连续工作并能满足规定的性能要求时，允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。2.识别电容器、普通电容器及其图形符号。1.电容器的标记方法。电容器的单位是法拉(F)。常用的单元是微加工(F)和微加工(PF)。1F=106 F=1012 PF1)直接记数法2)数字记数法3)数字字母4)数字记数法5)彩色编码法，示例1直接记数法，耐压容量极性阳极指示电解电容器，耐压容量为220F，耐压容量为50V，示例2数字记数法，容量：6800pF耐压：1500伏表示容量：6800pF耐压：1500 pF盘式陶瓷介质电容器， 聚酯薄膜电容器耐受电压：400伏容量：33X104F误差：j为5%表示容量：33X104F误差：5%耐受电压：400伏聚酯薄膜电容器，耐受电压“2a”=1.0102=100伏容量：104”=10104 pf误差：j=5%聚酯薄膜电容器，聚酯电容器耐受电压标有数字和字母的组合。 数字代表10的幂指数，字母代表数值，单位是伏特。字母=值a=1.0b=1.25 c=1.6d=2.0e=2.5f=3.15g=4.0h=5.0j=6.3k=8.0z=9.0例如，2A代表1.0*100=100V1J代表6.3*10=63V2G代表4.0*100=400V1K代表8.0*10=80V，例如3数字表示，CLK识别电感、电感对象和图形符号，电感单位和符号，电感以L表示，单位为亨利，符号为赫。常用单位为毫亨(mH)和微亨(H)，换算关系为：1h=103mh=106 h。容量，任务3了解二极管，第一，常用二极管对象和图形符号，常用二极管对象显示，二极管图形符号：字符符号：VD，箭头方向表示二极管正向导通时的电流方向，识别物理外观的正负电极，第二，二极管导通特性实验VD正向连接时的电路原理图，VD正向连接时的对象原理图，2。当VD反向连接时的电路示意图，当VD反向连接时的物体示意图，什么，不，亮，当正向偏置灯泡接通时，二极管的正极靠近电源的正极，二极管的负极靠近电源的负极。当二极管加上直流电压时，这称为正向偏置(也称为正向偏置)。此时，二极管的正向电阻非常小，就像开关闭合一样。2.当反向偏置灯泡不亮时，意味着反向电压施加到二极管的两端，这称为反向偏置(简称反向偏置)。此时此刻它由管芯的正电极和负电极(主要是PN结)(两个金属引线分别从P区和N区焊接)以及封装外壳组成。由半导体材料制成，神秘！为什么PN结具有单向导电性？半导体的理解，(1)半导体的定义导体和绝缘体之间具有导电性的物质称为半导体。它通常是一种四价元素，其化学结构相对稳定，因此非常纯的半导体，即本征半导体，具有较差的导电性。然而，半导体的导电性随着杂质的掺杂、温度和光照而变化很大，并且具有导电性，例如掺杂、光敏性和热敏性。电子技术中常用的半导体材料是硅和锗以及载流子：能够携带电荷的粒子称为载流子。半导体中有两种载流子：自由电子：带负电荷的空穴和与自由电子相同的负电荷。特点：载流子在外部电场的作用下可以定向移动，形成电流。然而，本征半导体拦截器少，导电性差。为了提高导电性，需要掺杂来形成杂质半导体。(2)杂质半导体及其分类定义：掺杂半导体是杂质半导体。分类：根据掺杂杂质的种类，分为P型半导体和N型半导体。1)P型半导体：P型半导体(空穴型半导体)是通过在本征半导体硅(或锗)中掺杂微量三价元素而形成的。其中有两种带电荷的粒子，即载流子，其中空穴是多数载流子(缩写为子)，自由电子是少数载流子(缩写为子)。2)N型半导体：通过在本征半导体硅(或锗)中掺杂痕量的五价元素形成N型半导体(或电子型半导体)。其中，自由电子是多数载流子(缩写为子)，空穴是少数载流子(缩写为子)。(3)PN结：1)定义：利用特殊的掺杂工艺，在晶片的两侧分别产生N型和P型半导体，在两者的结处会出现特殊的接触面，称为PN结。必须注意PN结的形成图！从N区到P区，2)PN结特性PN结加上直流电压，即，P区连接到电源的正电极，而N区连接到电源的负电极。此时，由所施加的电压产生的外部电场与PN结的内部电场相反，并且内部电场被削弱以形成更大的扩散电流，即正向电流。此时，PN结的正向电阻非常低，并且处于正向导通状态。反向电压施加到PN结，即N区连接到电源的正电极，P区连接到电源的负电极。此时，外部电场与内部电场方向相同，这增强了内部电场，并使PN结的反向电阻较大，处于反向截止状态。因此PN结具有单向导电性。2。分类，硅管锗管塑料玻璃金属封装点接触式表面接触式平面式，根据封装形式，根据材料，根据模具结构，适合在低电流状态下使用，适合在高电流场合使用，3。二极管的主要参数，1。最大整流电流IFM是指长时间工作时允许通过二极管的最大直流电流。使用二极管时，应注意流经二极管的正向电流不能大于该值，否则二极管可能会损坏。2.最高反向工作电压URM指二极管正常使用时允许的最大反向电压。如果在使用过程中超过该值，二极管将有击穿的危险。定义：用来描述二极管两端电压和流经二极管的电流之间关系的曲线称为二极管的伏安特性。二极管的伏安特性曲线，(1)正向特性(垂直轴右侧):指示流经的电压和电流之间的关系管电压降，0.5v (si)，0.2v (ge)，0.6 0.7v (si)，0.2 0.3v (ge)，(2)反向特性(垂直轴左侧):表示反向电压施加于二极管时，流经二极管的电压和电流之间的关系。反向特性也分为两个区域：1)反向截止区域(OC段):当反向电压在一定值范围内时，二极管具有较大的反向电阻和较小的反向电流，可以认为是反向截止。此时的反向电流称为反向饱和电流。在实际使用中，反向饱和电流值越小，二极管的单边电导率越好。2)反向击穿区(CD段):当反向电压增加到一定值时(图1-18中的c点)，反向电流急剧增加。这种现象被称为反向击穿。对应于点C的电压称为反向击穿电压UBR。击穿后，电子管会因电流过大而损坏。因此，普通二极管不允许反向击穿，齐纳二极管除外。结论：二极管的内阻不是常数，它是一个非线性器件。任务4学习晶体管，1。了解晶体管形状、分类和符号、常见晶体管、晶体管分类、小功率管(耗散功率小于1W)、大功率管(耗散功率不小于1W)、放大管开关管低频管(工作频率小于3MH)、高频管(工作频率不小于3MH)合金管平面管NPN PNP硅管锗管、根据功率点、根据使用点、根据工作频率、根据结构技术点、根据内部基本结构、根据芯片中使用的半导体材料、内部结构和图形符号、PNP晶体管、NPN晶体管晶体管的电流放大效应，见原理图，连接电路，物理原理图，1。测试：调整电位计RP以改变基极电流IB。晶体管2每极的电流。实验数据分析1)晶体管各极的电流分布关系为：IE=IbiC 2)IbiCb，2)IbiCb 3)Ib的微小变化会引起集成电路的较大变化注意：晶体管的电流放大本质上是用小的基极电流信号来控制大的集电极电流信号，这是“以小控制大”的功能。(2)晶体管放大的实现需要一定的外部条件，即必须向发射极结施加正向偏置电压，向集电极结施加反向偏置电压。(3)晶体管的电流放大：基极电流IB的微小变化将导致集电极电流IC的较大变化，即晶体管的电流放大。公认的是，放大电路是共发射极放大电路，连接NPN晶体管的共发射极，基极和发射极用作信号输入端，集电极和发射极用作信号输出端，发射极是输入和输出电路的公共端，连接PNP晶体管的共发射极，基极和发射极用作信号输入端，集电极和发射极用作信号输出端， 发射极是输入和输出电路的公共端，是晶体管的主要参