电化学CV测试

半导体薄膜的制作和分析技术ch3-4ECV的发表：郭伟玲半导体薄膜的制作和分析技术ch3-4ECV的发表：郭伟玲108635303530353032电化学CVCV测试(ECV)ECV ) Electrochemical C-V半导体薄膜的制作与分析技术ch3-4ECV发表：郭伟玲半导体薄膜的制作与分析技术ch3-4ECV发表：郭伟玲208285303532853285328532853032 theoryofaschottkybarrierevebvbel ecv ctrityelementsemicondumentionsemicondumentiondowq NDR 2012 caq NVR 012 wa cdr0nqacdcvdr 1023.c -容量a -容量an electron-carrier concentration半导体薄膜的制作与分析技术ch3-4ECV发表：郭伟玲半导体薄膜的制作与分析技术ch3-4ECV发表：郭伟玲3086303530332、电化学一、电化学一、电化学一、 电化学CVCVCVCV原理原理原理1. 1 .电化学电化学电化学c-v(ecv )技术：)技术：电化学腐蚀和包含电解液的电化学腐蚀和包含电解液的电化学腐蚀和电解液/半导体半导体接合体接合体接合体接合体L(E)/SL(E)/在测试s接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体接合体分布时，电气化特性测试2个内容。 在测试分布时，电化特性测试两个内容。 在测试分布时，电化特性测试两个内容。 测量分布时，电化学腐蚀和测量交替进行。 学校食堂和考试轮流进行。 学校食堂和考试轮流进行。 学校食堂和考试轮流进行。 2. 2 .半导体电化学腐蚀半导体电化学腐蚀半导体电化学腐蚀半导体电化学腐蚀取决于电化学中阳极氧化和电解原理。 根据电化学中的阳极氧化和电解原理。 根据电化学中的阳极氧化和电解原理。 根据电化学中的阳极氧化和电解原理。 已知固体物质在液体中溶解的方法有两种。 一种不知道固体物质在液体中溶解的方法。 一种不知道固体物质在液体中溶解的方法。 一种不知道固体物质在液体中溶解的方法。 一种方法是在不施加电场的情况下，在利用液体与固体物质之间的化学反应产生外电场的情况下，利用液体与固体物质之间的化学反应，在外电场的情况下，利用液体与固体物质之间的化学反应，使固体逐渐腐蚀。 这种方法一般称为湿腐蚀，另一种是慢慢腐蚀固体的方法。 这种方法一般称为湿腐蚀，另一种是慢慢腐蚀固体的方法。 这种方法一般称为湿腐蚀，另一种是慢慢腐蚀固体的方法。 该方法一般称为湿腐蚀的另一种方法是，将固体物质放入电解液中，施加直流电压，将被腐蚀到电压正端的固体物质放入电解液中，施加直流电压，将被腐蚀到电压正端的固体物质放入电解液中，施加直流电压，将被腐蚀到电压正端的固体物质放入电解液中，连接不溶解到负端而通电的电极通电后，腐蚀的固体物质不会溶解在负端，而是连接通电的电极。 通电后，腐蚀的固体物质不会溶解在负端，而是连接通电的电极。 通电后，腐蚀的固体物质不会溶解在负端，而是连接通电的电极。通电后，阳极物质在电场和电解液的作用下逐渐被氧化，腐蚀的方法阳极物质在电场和电解液的作用下逐渐被氧化，腐蚀的方法阳极物质在电场和电解液的作用下逐渐被氧化，腐蚀的方法阳极物质在电场和电解液的作用下逐渐被氧化，腐蚀的方法。 这种方法叫做电化学腐蚀。 的双曲馀弦值。 这种方法叫做电化学腐蚀。 的双曲馀弦值。 这种方法叫做电化学腐蚀。 的双曲馀弦值。 这种方法叫做电化学腐蚀。 与湿式腐蚀相比，电化学腐蚀具有能够更准确地控制固体物质的除去深度的优点、能够更准确地控制固体物质的除去深度的优点、能够更准确地控制固体物质的除去深度的优点、以及能够更准确地控制固体物质的除去深度的优点测试兼容性。 测试兼容性。 测试兼容性。 半导体薄膜的制作与分析技术ch3-4ECV的发表：郭伟玲半导体薄膜的制作与分析技术ch3-4ECV的发表：郭伟玲40837530353035328530332电解液/半导体接合(半导体接合(L(E)/SL(E)/ s接合)特性测试为基本接合)特性测试为基本接合) 特性测试是肖特基结(肖特基结(也称为肖特基结(M/SM/S结) )电容效应、结)电容效应、结)电容效应，L(E)/SL(E)/S结可视为结的结可视为M/SM/S结，但在此视为金属结，在此将金属结合时从导电性和半导体接合面。 从导电性和半导体接合面。 从导电性和半导体接合面。 由于导电性和在半导体接合面层形成接触势垒，因此形成接触势垒，因此假定L(E)/SL(E)/S和M/SM/S相同、相同，因此L(E)/SL(E)/S在电解液、半导体界面不存在界面状态电解液、在半导体界面上存在界面状态电解液、在半导体界面上存在界面状态的电解液、在半导体界面上存在界面状态的L(E)/SL(E)/S结能够进行突变结近似， 认为半导体界面层接合可以进行突变接合近似，半导体界面层接合可以进行突变接合近似，半导体界面层势垒区域被认为是载流子耗尽区域势垒区域均匀地掺杂在载流子耗尽区域、势垒区域是载流子耗尽区域、势垒区域是载流子耗尽区域的半导体中的横方向的平面内. 均匀地掺杂在半导体中横向平面内。 均匀地掺杂在半导体中横向平面内。 均匀地掺杂在半导体中横向平面内。 半导体薄膜的制造和分析技术ch3-4ECV的发表：郭伟玲半导体薄膜的制造和分析技术ch3-4ECV的发表：郭伟玲50853635303530353032 cellconfigurationcellconfiguration- schematic化学池结构图化学池结构图半导体薄膜的制造和分析技术c h3-4ECV发布：郭伟玲半导体薄膜制备与分析技术ch3-4ECV发布：郭伟玲60863035303530353032 ecv等效电路图。 的等效电路图。半导体薄膜的制作与分析技术ch3-4ECV的发表：郭伟玲半导体薄膜的制作与分析技术ch3-4ECV的发表：郭伟玲7083753035328530332 sisisisisisia- dep leationzone-veve semiconductor/electrieletsmlealleakagecurrentp-typesemiconductorreversebias ) sisidsidsisiddepletionzone-ve semiconductor/electrolytesmalleakagecurrentn-typesemicondumentionreveriversiverbiasb )-.4 sisiasiasisisisia-ve-ve semiconductor/electrolyte p-typesemiconductorforwardbias ) sisidsidsisiddepletionzone-ve semiconductor/electrolyte n-typesemcondumentionreverserversebilityandilluminationb ) -setingcurrentsi4etingcurrentsielectingcrentitionsionelectricheprofilectingelectrichecomprofi emicalprofilingorrodssisihdvdcae 制作与分析技术ch3-4ECV发布：郭伟玲半导体薄膜的制作与分析技术ch3-4ECV讲座：郭伟玲53535353535353535353535353535353535353535353535353535353535353535353电子技术p-typesemiconductorforwardbias ) sisisidssisidssidssidssidssidepletionzone-ve semiconductor/electrolyte n-typesemcondumentionreversebilityandillumination -setingcurrentsi4etingcurrentsi4dissolution ofn-typeandp-typesamplesdissolution (etc ing ) ofsemicrosofsemicrosoftmatilsdetendonthepreserp-titymatilsoureplentivefleandddddddisssoli in the semiconductor/electrolytejunctionn inwhicheselectronsarethemajoritychargecarriers， holeshavetobecreatedfordissolutiontotakeplaceheg半导体薄膜的制作与分析技术ch3-4ECV的发表：郭伟玲半导体薄膜的制作与分析技术ch3-4ECV的发表：郭伟玲9082853035303285363测定方法的测定方法测定方法测定方法1. Obta in an I/v plot fromwhichitisposibleetodifieethebisisivevolmentforcapacitancemeasurement2. usingthebisivevolmentrangederivedfromthei v plot andusethistobediretheminstopentitialrequidetocreateingconditions3. meterthedepetitionprofile4. usinginformationobtained above rofile半导体薄膜的制作与分析技术ch3-4ECV发表：郭伟玲半导体薄膜的制作与分析技术ch3-4ECV发表：郭伟玲10100853285303530332 darki-vcurveilluminatedi-vcurveivcurveofc n-type ge withtirondark-vcurveilluminatedini-vcurveivcurveofp-type GaAs (4e 17 ) withtiroetchedepthwrtridazfsw 0配置文件深度=wrwdwaicdc0chargecarrierdensitytheedgeofthedepletionlayer nqacdcdvr 1023./n n n n型和PPp型材料型材料的iii- v v特性半导体薄膜的制作和分析技术ch3-4ECV发表：郭伟玲半导体薄膜的制作和分析技术ch3-4ECV发表：郭伟玲111083360360