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文档简介
晶体管、晶体管的外部结构、常见晶体管的外形结构图、晶体管的结构和符号、也称为半导体晶体管、晶体管。 因为工作时涉及很多载波和少数载波,所以也被称为双极晶体管(BipolarJunctionTransistor,BJT )。 BJT是由两个PN结组成的。BJT的结构概要,半导体晶体管的结构示意图如图03.1.01所示。 有:NPN型和PNP型两种。 两种类型的晶体管,发射器接合(Je ),集电极接合(Jc ),基极,用b或b表示(Base ),发射器,用e或e表示(Emitter ),集电极,用c或c表示。 发射极区域、集电极区域、基极区域、晶体管符号、结构特征:发射极区域的掺杂浓度最高的集电区域的掺杂浓度比发射极区域低,面积大的基极区域薄,一般为几微米到几十微米,掺杂浓度最低。 冲模结构的剖面图,因为晶体管的结构不对称,所以不能调换发射极和集电极使用。 面积大,掺杂浓度适度,区域薄,掺杂浓度低,掺杂浓度高,BJT-双极晶体管,晶体管是构成各种电子电路的核心器件。 晶体管的发明飞跃了PN结的应用。 硅管、晶体管、锗管、NPN管、PNP管、NPN管、PNP管、PNP管、NPN管、NPN、PNP、晶体管的种类、按结构类型分别使用NPN型管和PNP型管,按材料分别使用硅管和锗管,按功率尺寸分别使用大功率管, 把中功率管和小功率管按照工作频率把高频管和低频管按照工作状态分成放大管和开关管,半导体晶体管的类型第二位: a锗PNP管、b锗NPN管、c硅PNP管、d硅NPN管,第三位: x低频小功率管、d低频大功率a高频大功率管、k开关管、国家标准半导体设备型号命名示例:3DG110B、BJT的电流分配可以把晶体管看作电流分配器。 晶体管本身不能把小电流变成大电流,它只是起到一个控制作用,控制电路的电源,以确定的比例向晶体管供给Ib、Ic和Ie三个电流,用水流来比例BJT的电流分配(参照图4 )。 这是粗、细的两根水管,粗管道内置有百叶窗,该百叶窗用细管道的水量控制其打开情况。 如果细管不流水,粗管的闸门就会关闭。 注入细管的水量越多,栅极越大,相应地流过粗管的水越多,“以小的控制大,以弱的控制强”晶体管的基极b、集电极c和发射器e对应于图4的细管、粗管和粗管相交的管。 BJT的电流分配、制作晶体管时,这三个电流的比例关系大致确定(参照图3 ),用式表示的话,和称为晶体管的电流分配系数,值称为电流放大系数。 三个电流中,一个电流变化,另两个电流也成比例变化。 例如,基极电流的变化量Ib=10A,=50通过Ic=Ib的关系式,集电极电流的变化量Ic=5010=500A,实现了电流放大。 工艺要求:发光区域掺杂浓度大,基极区域薄,掺杂最少; 集电极区域体积比发射极区域大,掺杂少。 总结:有三个区域的发射极区域、基极区域、集电极区域,两个PN结的发射极接合(BE接合)、集电极接合(BC接合)、三个电极的发射极e(E )、基极b(B )、集电极c; 2型PNP型管和NPN型管。 晶体管:利用输入电流控制输出电流的电流控制型元件。 晶体管的种类和基极的判断、测试器检测半导体晶体管的方法,首先把测试器设为“欧姆”范围(通常是Rx100或Rx1K )进行测量。 注意:万用表将“欧姆”设为零,第一步是寻找晶体管的基极(b ),首先将万用表设置为Rlk欧姆范围,使其为零。 假设黑色钟表笔的底座b,红色钟表笔分别接触另外两个电极,观测指针的摆动,测量一组(两个)电阻值。 哪个电阻值都小。 首先将万用表设置为Rlk欧姆范围,归零。使假定为黑色钟表的笔的底座b、红色钟表的笔分别接触另外两个极,观测针的摆动,测量一组(两个)的电阻值。 哪个电阻值都小。 更换时钟的笔,把红时钟的笔连接到原来的假设的基础b上,使黑时钟的笔分别接触另两极,观测指针的摇晃,b,另外测量了一组(两个)的电阻值。 哪个电阻值都大。 第一步:找到晶体管的基极(b ),这次假设另一个引脚是基极(b )、b,b,测量一组(两个)的电阻值。 这两个电阻值又大又小。 测量一组(两个)电阻值。 哪个电阻值都大。 b,那么,哪个假设是正确的呢?现在假设另一个管脚是基础(b ),b,b,测量一组(两个)的电阻值。 这两个电阻值又大又小。 测量一组(两个)电阻值。 哪个电阻值都大。 那么,哪个假设是正确的呢?结论:在测量的电阻值都很小的情况下,在更换钟表后测量的电阻值都很大的情况下,说明我们设想的基础是正确的。 NPN型和PNP型的测量方法相同,但红、黑的表笔已更换。 第二步:判断管的类型,把试验器的黑表笔连接到基座b上,把红表笔分别接触到另外两个极,观测针的摇晃:b,NPN,说明电阻值小,管是NPN型:b,b 因为电阻大,所以说明管子是PNP型的。 测量NPN型和PNP型的方法相同,只是红、黑的表笔更换。 使黑色表面笔连接临时的集电极c,使红色表面笔连接临时的发射器e。 手指将b、c短路。 观测到指针的摇晃之后,更换两个时钟的笔再测量,观测到了指针的摇晃。 偏向大的假设是正确的! 黑色的表连接着红色的表是极品。 假设c,b,e,c极错了,c,b,e,c极错了,c,e,晶体管的集电极和发射极的判断,你能吗,如何测量PNP型晶体管的各引脚? 对于验证学习结果、e、b、c、e、b、c、注意:对于PNP型的晶体管,我们将红表笔连接到c极,假设c极错误,假设c极正确,晶体管的集电极和发射极的判定方法、NPN型的判定方法确定基极请用手指捏住设想的集电极和读出的基极。 看表针的指示,记录这个电阻值的读数。 然后做相反的假设,进行相同的测试,记录这个电阻值。 比较两次读取值的大小。 连接着小读数的黑色时钟笔的是集电极c,另一个是发射器e。 PNP型的判定方法与NPN型晶体管的判定方法一致,但必须更换钟表的极性并作出响应,e、b、c、e、b、c、3db201、3dbg12、9013、e、c、b、晶体管电极的判别、思考,NPN型:黑钟晶体管性能判断,1,电阻值小,贯通电流大,接近破坏,稳定性差,结论: 2,电阻值零,管被破坏,3,电阻值无限大,管内部被切断,4,电阻值不稳定或电阻值逐渐下降,管噪音大,不用万用表Rx10K切断,测量晶体管的贯通电流ICEO。 对于PNP型:将红表笔连接到收集器c,将黑表笔连接到发射器e。 1、电阻值小,贯通电流大,接近破坏,稳定性差,结论: 2、电阻值为零,管被破坏,3、电阻值无限大,管内部被切断,4、电阻值不稳定或电阻值逐渐下降,管噪声大,不稳定,采用注意:在测试中,把烙铁靠近测试晶体管,将其加热,观察测试器的指针变化确定ICEO的变化,说明加热后的电阻值比加热前显着降低,晶体管的热稳定性差。 晶体管的性能判断、1、测量方法,首先把万用表设为“范围”(通常是Rx100或Rx1K )。 2、用黑色的钟表笔连接晶体管的一极,用红色的钟表笔接触另外两个电极,测量到两个电阻变小为止,连接黑色的钟表笔的电极是晶体管,晶体管是晶体管。用红色的钟表笔连接晶体管的某极,用黑色的钟表笔与另外两个电极接触,连接红色的钟表笔的是晶体管,直到测量的两个电阻值变小。 3、确定NPN型晶体管、基极后,假设其馀两个电极中的一个为集电极,连接到该电极,并连接到设想的发射极。 请用手指捏住设想的收集器和基极。 看表针的指示,记录这个电阻值的读数。 然后做相反的假设,进行相同的测试,记录这个电阻值。 比较两次读取值的大小。 读数小的黑色钟表的笔接触极大,另一个极大。
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