厦门IGBT芯片生产线建设项目投资计划书

1、泓域咨询/厦门IGBT芯片生产线建设项目投资计划书厦门IGBT芯片生产线建设项目投资计划书泓域咨询/规划设计/投资分析承诺书申请人郑重承诺如下：“厦门IGBT芯片生产线建设项目”已按国家法律和政策的要求办理相关手续，报告内容及附件资料准确、真实、有效，不存在虚假申请、分拆、重复申请获得其他财政资金支持的情况。如有弄虚作假、隐瞒真实情况的行为，将愿意承担相关法律法规的处罚以及由此导致的所有后果。公司法人代表签字：xxx投资公司（盖章）xxx年xx月xx日项目概要工业控制为IGBT最大市场需求领域，需求稳定增长。IGBT模块是变频器、逆变焊机等传统工业控制及电源行业的核心元器件，且已在此领域中得到

2、广泛应用。目前，随着工业控制及电源行业市场的逐步回暖，预计IGBT模块在此领域的市场规模亦将得到逐步扩大。IGBT的全称是InsulatedGateBipolarTransistor，即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，既具备MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面有突出的产品竞争力，已成为电力电子领域开关器件的主流发展方向。该IGBT芯片项目计划总投资14724.95万元，其中：固定资产投资12381.85万元，占项目总投资的84.09%；流

3、动资金2343.10万元，占项目总投资的15.91%。达产年营业收入20274.00万元，总成本费用16101.87万元，税金及附加254.14万元，利润总额4172.13万元，利税总额5001.74万元，税后净利润3129.10万元，达产年纳税总额1872.64万元；达产年投资利润率28.33%，投资利税率33.97%，投资回报率21.25%，全部投资回收期6.21年，提供就业职位413个。本报告所描述的投资预算及财务收益预评估均以建设项目经济评价方法与参数（第三版）为标准进行测算形成，是基于一个动态的环境和对未来预测的不确定性，因此，可能会因时间或其他因素的变化而导致与未来发生的事实不完全

4、一致，所以，相关的预测将会随之而有所调整，敬请接受本报告的各方关注以项目承办单位名义就同一主题所出具的相关后续研究报告及发布的评论文章，故此，本报告中所发表的观点和结论仅供报告持有者参考使用；报告编制人员对本报告披露的信息不作承诺性保证，也不对各级政府部门（客户或潜在投资者）因参考报告内容而产生的相关后果承担法律责任；因此，报告的持有者和审阅者应当完全拥有自主采纳权和取舍权，敬请本报告的所有读者给予谅解。报告主要内容：项目承担单位基本情况、项目技术工艺特点及优势、项目建设主要内容和规模、项目建设地点、工程方案、产品工艺路线与技术特点、设备选型、总平面布置与运输、环境保护、职业安全卫生、消防与节

5、能、项目实施进度、项目投资与资金来源、财务评价等。第一章 项目承办单位基本情况一、公司概况通过持续快速发展，公司经济规模和综合实力不断增长，企业贡献力和影响力大幅提升。 本公司集研发、生产、销售为一体。公司拥有雄厚的技术力量，先进的生产设备以及完善、科学的管理体系。面对科技高速发展的二十一世纪，本公司不断创新，勇于开拓，以优质的产品、广泛的营销网络、优良的售后服务赢得了市场。产品不仅畅销国内，还出口全球几十个国家和地区，深受国内外用户的一致好评。未来，在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时，公司以“和谐发展”为目标，践行社会责任，秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任，服务全国。公司自建成投

6、产以来，每年均快速提升生产规模和经济效益，成为区域经济发展速度较快、综合管理效益较高的企业之一；项目承办单位技术力量相当雄厚，拥有一批知识丰富、经营管理经验精湛的专业化员工队伍，为研制、开发、生产项目产品奠定了良好的基础。公司坚持以市场需求为导向、以科技创新为中心，在品牌建设方面不断努力。先后获得国家级高新技术企业等资质荣。公司通过了ISO质量管理体系认证，并严格按照上述管理体系的要求对研发、采购、生产和销售等过程进行管理，同时以客户提出的品质要求为基础，建立了完整的产品质量控制体系，保证产品质量的优质、稳定。为实现公司的战略目标，公司在未来三年将进一步坚持技术创新，加大研发投入，提升研发设计

7、能力，优化工艺制造流程；扩大产能，提升自动化水平，提高产品品质；在巩固现有业务的同时，积极开拓新客户，不断提升产品的市场占有率和公司市场地位；健全人才引进和培养体系，完善绩效考核机制和人才激励政策，激发员工潜能；优化组织结构，提升管理效率，为公司稳定、快速、健康发展奠定坚实基础。二、所属行业基本情况近年来全球新能源汽车销量快速增长，全球新能源乘用车的销量将由2019年的221万辆增长到2025年的1200万辆，年均复合增长率将达到32.6%，而中国作为全球最大的新能源汽车市场，占比将维持在40-50%份额。功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交

8、流转换等。功率半导体细分为功率器件（分立器件的一支）和功率IC（集成电路的一支）。理想情况下，完美的转化器在打开的时候没有任何电压损失，在开闭转换的时候没有任何的功率损耗，因此功率半导体这个领域的产品和技术创新，其目标都是为了提高能量转化效率。三、公司经济效益分析上一年度，xxx投资公司实现营业收入12239.41万元，同比增长23.79%（2352.19万元）。其中，主营业业务IGBT芯片生产及销售收入为9949.54万元，占营业总收入的81.29%。上年度主要经济指标序号项目第一季度第二季度第三季度第四季度合计1营业收入2570.283427.033182.253059.8512239.4

9、12主营业务收入2089.402785.872586.882487.399949.542.1IGBT芯片(A)689.50919.34853.67820.843283.352.2IGBT芯片(B)480.56640.75594.98572.102288.392.3IGBT芯片(C)355.20473.60439.77422.861691.422.4IGBT芯片(D)250.73334.30310.43298.491193.942.5IGBT芯片(E)167.15222.87206.95198.99795.962.6IGBT芯片(F)104.47139.29129.34124.37497.482

10、.7IGBT芯片(.)41.7955.7251.7449.75198.993其他业务收入480.87641.16595.37572.472289.87根据初步统计测算，公司实现利润总额2966.93万元，较去年同期相比增长593.61万元，增长率25.01%；实现净利润2225.20万元，较去年同期相比增长266.52万元，增长率13.61%。上年度主要经济指标项目单位指标完成营业收入万元12239.41完成主营业务收入万元9949.54主营业务收入占比81.29%营业收入增长率（同比）23.79%营业收入增长量（同比）万元2352.19利润总额万元2966.93利润总额增长率25.01%利润

11、总额增长量万元593.61净利润万元2225.20净利润增长率13.61%净利润增长量万元266.52投资利润率31.17%投资回报率23.38%财务内部收益率26.47%企业总资产万元29929.76流动资产总额占比万元30.05%流动资产总额万元8992.45资产负债率36.19%第二章 项目技术工艺特点及优势一、技术方案（一）技术方案选用方向1、对于生产技术方案的选用，遵循“自动控制、安全可靠、运行稳定、节省投资、综合利用资源”的原则，选用当前较先进的集散型控制系统，由计算机统一控制整个生产线的各项工艺参数，使产品质量稳定在高水平上，同时可降低物料的消耗。严格按行业规范要求组织生产经营活

12、动，有效控制产品质量，为广大顾客提供优质的产品和良好的服务。2、遵循“高起点、优质量、专业化、经济规模”的建设原则。积极采用新技术、新工艺和高效率专用设备，使用高质量的原辅材料，稳定和提高产品质量，制造高附加值的产品，不断提高企业的市场竞争能力。3、在工艺设备的配置上，依据节能的原则，选用新型节能型设备，根据有利于环境保护的原则，优先选用环境保护型设备，满足项目所制订的产品方案要求，优选具有国际先进水平的生产、试验及配套等设备，充分显现龙头企业专业化水平，选择高效、合理的生产和物流方式。4、生产工艺设计要满足规模化生产要求，注重生产工艺的总体设计，工艺布局采用最佳物流模式，最有效的仓储模式，最

13、短的物流过程，最便捷的物资流向。5、根据该项目的产品方案，所选用的工艺流程能够满足产品制造的要求，同时，加强员工技术培训，严格质量管理，按照工艺流程技术要求进行操作，提高产品合格率，努力追求产品的“零缺陷”，以关键生产工序为质量控制点，确保该项目产品质量。6、在项目建设和实施过程中，认真贯彻执行环境保护和安全生产的“三同时”原则，注重环境保护、职业安全卫生、消防及节能等法律法规和各项措施的贯彻落实。（三）工艺技术方案选用原则1、在基础设施建设和工业生产过程中，应全面实施清洁生产，尽可能降低总的物耗、水耗和能源消费，通过物料替代、工艺革新、减少有毒有害物质的使用和排放，在建筑材料、能源使用、产品

14、和服务过程中，鼓励利用可再生资源和可重复利用资源。2、遵循“高起点、优质量、专业化、经济规模”的建设原则，积极采用新技术、新工艺和高效率专用设备，使用高质量的原辅材料，稳定和提高产品质量，制造高附加值的产品，不断提高企业的市场竞争力。（四）工艺技术方案要求1、对于生产技术方案的选用，遵循“自动控制、安全可靠、运行稳定、节省投资、综合利用资源”的原则，选用当前较先进的集散型控制系统，控制整个生产线的各项工艺参数，使产品质量稳定在高水平上，同时可降低物料的消耗；严格按照电气机械和器材制造行业规范要求组织生产经营活动，有效控制产品质量，为广大顾客提供优质的产品和良好的服务。2、建立完善柔性生产模式；

15、本期工程项目产品具有客户需求多样化、产品个性差异化的特点，因此，产品规格品种多样，单批生产数量较小，多品种、小批量的制造特点直接影响生产效率、生产成本及交付周期；益而益（集团）有限公司将建设先进的柔性制造生产线，并将柔性制造技术广泛应用到产品制造各个环节，可以在照顾到客户个性化要求的同时不牺牲生产规模优势和质量控制水平，同时，降低故障率、提高性价比，使产品性能和质量达到国内领先、国际先进水平。二、项目工艺技术设计方案（一）技术来源及先进性说明项目技术来源为公司的自有技术，该技术达到国内先进水平。（二）项目技术优势分析本期工程项目采用国内先进的技术，该技术具有资金占用少、生产效率高、资源消耗低、

16、劳动强度小的特点，其技术特性属于技术密集型，该技术具备以下优势：1、技术含量和自动化水平较高，处于国内先进水平，在产品质量水平上相对其他生产技术性能费用比优越，结构合理、占地面积小、功能齐全、运行费用低、使用寿命长；在工艺水平上该技术能够保证产品质量高稳定性、提高资源利用率和节能降耗水平；根据初步测算，利用该技术生产产品，可提高原料利用率和用电效率，在装备水平上，该技术使用的设备自动控制程度和性能可靠性相对较高。2、本期工程项目采用的技术与国内资源条件适应，具有良好的技术适应性；该技术工艺路线可以适应国内主要原材料特性，技术工艺路线简洁，有利于流程控制和设备操作，工艺技术已经被国内生产实践检验

17、，证明技术成熟，技术支援条件良好，具有较强的可靠性。3、技术设备投资和产品生产成本低，具有较强的经济合理性；本期工程项目采用本技术方案建设其主要设备多数可按通用标准在国内采购。4、节能设施先进并可进行多规格产品转换，项目运行成本较低，应变市场能力很强。第三章 背景及必要性一、IGBT芯片项目背景分析功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率半导体细分为功率器件（分立器件的一支）和功率IC（集成电路的一支）。理想情况下，完美的转化器在打开的时候没有任何电压损失，在开闭转换的时候没有任何的功率损耗，因此功率半导体这个领域的产品和技术创新，

18、其目标都是为了提高能量转化效率。根据IHS统计，2019年全球功率半导体市场规模约为400亿美元，预计2019-2025年全球功率半导体CAGR4.5%；根据华润微招股说明书，中国是全球最大的功率半导体消费国，2018年市场需求规模达到138亿美元，增速为9.5%，占全球需求比例达35.3%。功率分立器件的演进路径基本为二极管晶闸管MOSFETIGBT，其中，IGBT是功率半导体新一代中的典型产品。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的全控-电压驱动的功率半导体，IGBT既

19、有MOSFET的开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能比拟的，因而是电力电子领域较为理想的开关器件，也被誉为“电力电子器件里的CPU”。根据Yole等相关统计，目前全球功率半导体中约50%是功率IC，其余的一半是功率分立器件；在功率分立器件销售2017年占比中，MOSFET占比最高，约占31%，其次是二极管/整流桥占比约29%，晶闸管和BJT等占分立器件约21%，IGBT占比19%，但是其复合增速是所有产品中最快的。IGBT的价格相对稳定：就算在行业下行的2019年大厂商的

20、出厂价格都没有下降，显示出很健康的价格浮动。总结来看，IGBT芯片的更新换代相对比较慢，且是渐进式的创新，不断优化升级，具体到某款IGBT产品，可以用到10年之久；同时供给端来看，IGBT行业巨头主要是德系和日系厂商，风格相对比较保守，不会激进扩张产能和打价格战。需求稳定且价格波动相对小，即使在半导体整体需求不好的2019。电路的设计核心在于逻辑设计，可通过EDA等软件，而功率半导体和模拟IC类似，需要根据实际产品参数进行不断调整与妥协，因此，对工程师的经验要求也更高，优秀的设计师需要10年甚至更长时间的经验。大学里功率半导体和模拟IC部分教材也基本相当于是过去几十年从业者的“经验笔记”，并没

21、有像数字集成电路那样相对有“标准范式”，而研发也是通过研发工程师团队不断修改参数权衡性能和成本的过程。2017年全球IGBT市场规模为52.55亿美元，同比2016年增长16.5%，2018年全球IGBT市场规模在58.36亿美元左右，同比增长11%，在功率半导体各个细分中属于景气度最高的。我国IGBT行业发展至今，已取得较大进展，虽然仍需大量进口，但已有一部分企业具备规模化生产能力。2010年我国IGBT功率电器模块产量为190万只，2018年增长至1115万只。国内的IGBT需求增长远超全球增长：根据智研咨询的数据，2018年中国IGBT市场规模为161.9亿元，同比增长22.19%，增速

22、显著高于全球平均水平；受益于新能源车、风电和光伏等我国强势领域的持续发展，预计未来国内IGBT的复合增速继续保持20%以上。IGBT市场竞争格局较为集中，主要竞争者包括英飞凌、三菱、富士电机、安森美、瑞士ABB等，2017年全球前五大IGBT厂商的份额超过70%，国内企业目前的市场份额普遍偏小。国产替代空间广阔。目前国内IGBT模块打入全球前10的只有斯达半导，但也仅仅是占全球IGBT模块市场份额2.2%，由于IGBT的下游应用新能源车、光伏、风电等这些新兴领域，我国在世界上的话语权高于过去的传统燃油车领域和工控领域，因此在IGBT的增量空间中有一半以上需求都在中国，未来几年我国的IGBT市场

23、需求占比将从2019年不35%提升到2025年的50%或以上，为我国的IGBT厂商提升份额和竞争力创造了良好的条件，国产IGBT厂商市场份额和业务量的提升潜力非常大。按照2019年单车IGBT平均用量为460美元，受益于BEV占比持续提升，预计2019-2022年单车用量逐年增长至2022年的490美元/车，2023年开始，SIC-MOS的成熟后单车平均IGBT用量逐渐下滑至2025年的430美元/车，2025年预测新能源车销量504万辆（根据国家新能源汽车产业发展规划2025年电动乘用车渗透率约25%推算得出。）按照以上假设思路，简单测算中国2025年车载IGBT市场规模达22亿美金，同时算

24、个大数，届时全球新能源车数量预计为国内的3倍（即海外销量为国内的2倍），全球车载IGBT市场规模达66亿美金，相当于再造一个IGBT市场（2019年全球总的IGBT在60亿美金量级）。风电和光伏中的整流器和逆变器都需要用到IGBT模块。根据能源局数据，2019年国内光伏装机30.11GW，全球光伏装机115GW。国内2019年光伏发电量占总发电量3%，未来持续提升潜力大。根据联合国马德里气候变化大会的中国2050年光伏发展展望，从2020年至2025年这一阶段开始，中国光伏将启动加速部署；2025年至2035年，中国光伏将进入规模化加速部署时期，到2050年，光伏将成为中国第一大电源，约占当年

25、全国用电量的40%左右，未来光伏发展的空间和潜力仍然较大。风电和光伏2025年对应IGBT的全球需求量级在15亿美金：由前述智研咨询和英飞凌预计的IGBT总体空间和新能源发电占比可以推算出（IGBT2018年全球市场空间58亿美金，其中光伏风电等IGBT应用占比9%），2018年光伏风电IGBT市场空间约5.22亿美金。目前的能源结构里，太阳能和风能合计占比不足10%。在全球节能减排大背景下，降低对化石能源的依赖，增加太阳能、风能的使用已经成为世界各国的共识。据BloombergNEF预测，预计2025年全球光伏新增装机接近300GW，风电也比照光伏5年2.5倍左右的增长，则测算风电和光伏20

26、25年对应IGBT的全球需求量级在12-15亿美金。IGBT是“变频器”的核心部件之一，变频白色家电的推广可以为IGBT的IPM带来稳定的市场。目前白色家电的变频渗透率还有提升空间：根据产业在线网，近年来国内白电变频渗透率在持续提升：1）空调：2012年到2018年，国内变频空调销量从3016万台提升到6434万台，渗透率从28.94%提升到42.70%；2）冰箱：2012年到2018年，国内变频冰箱销量从363万台提升到1665万台，渗透率从4.80%提升到22.15%；3）洗衣机：2012年到2018年，国内变频洗衣机销量从577万台提升到2163万台，渗透率从10.36%提升到32.97

27、%。Yole预计2022年白色家电变频驱动IGBT市场规模达9.9亿美金，较17年增长22%。变频白电这块的IGBT国产化低：国内仅有士兰微和华微电子有一些白电IPM模块出货，家电IPM模块虽然单价较低，替换供应商的动力不强，并且下游集中，目前龙头企业的供应商均为日本，美国的企业，例如美的主要是Sanyo、Fairchild；格力/海尔主要是Mitsubishi，还有一些IR、LS等在供应，在供应链安全因为外部环境受到威胁时，国内的IGBT厂商未来在这一块利基市场还是有比较大的替代潜力。我国变频器行业的市场规模总体呈上升态势。IGBT模块在变频器中不仅起到传统的三极管的作用，亦包含了整流部分的

28、作用。2016年我国变频器行业的市场规模为416.77亿元，平均4年复合增长率为8.74%。2017年我国变频器市场规模约453.2亿元。未来几年，具有高效节能功能的高压变频器市场将受政策驱动持续增长，到2023年，高压变频器的市场将达到175亿元左右。逆变式弧焊电源，又称弧焊逆变器，是一种新型的焊接电源。这种电源一般是将三相工频（50赫兹）交流网路电压，先经输入整流器整流和滤波，变成直流，再通过大功率开关电子元件（IGBT）的交替开关作用，逆变成几千赫兹至几万赫兹的中频交流电压，根据国家统计局数据，2018年我国电焊机产量为853.3万台，同比2017年增加了58.46万台。电焊机市场的持续

29、升温亦将保证IGBT需求量逐步增大。全球工控IGBT下游市场较为分散：根据集邦咨询数据，2019年全球工控市场IGBT市场规模约为140亿元，中国工控市场IGBT市场规模约为30亿元。由于工控市场下游需求分散，单一下游需求的增长难以拉动整体行业需求提升，因此工控IGBT市场需求较为稳定，假设未来每年保持3%的规模增速，预计到2025年全球工控IGBT市场规模将达到170亿元。这一块是IGBT行业的基本盘，需求稳定且波动相对较小。全球多家功率半导体巨头均有布局下一代基于氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的功率半导体，为在市场上与传统硅基功率半导体件进行对决奠定基础。成本下降和产品稳定需要时间验证

30、，国产厂商的核心矛盾是国产替代。SiCMOSFET产品的稳定性需要进一步验证，根据英飞凌2020年功率半导体应用大会上专家披露，目前SiCMOSFET真正落地的时间还非常短，在车载领域才刚开始商用，一些诸如短路耐受时间等技术指标没有提供足够多的验证，一个高端功率半导体从客户认证到产品试应用再到产品批量应用要比较长的时间，因此，未来3-5年IGBT还是主流的高端功率半导体产品，SiC会在部分高端新能源车领域有一些逐步缓慢的渗透。但是对于国内厂商来说，未来5年核心矛盾是国产替代（龙头市占率从2%到20%）。因此，目前来看，SiC产业链被国外高度垄断，未来2-3年当SiC成本由目前是Si基4-5倍下

31、降至2倍，并且国内SIC上下游产业链也更加成熟、打破国外垄断时，预计SIC才会在国内开始提升渗透率，并且SiC只是一种基材，未来随着SiC技术的逐渐成熟，也会有SiCIGBT相关产品。总结来看，未来3-5年SiIGBT还是应用主流，国内厂商的核心逻辑在于工控家电新能源领域进行国产替代提升份额，5年后SiC基材逐渐侵占Si基材份额的大趋势下，相信国内的技术领先优质的龙头功率半导体也能够积极储备相关技术和产品，积极拥抱迎接这一行业创新。二、鼓励中小企业发展“十三五”时期，国内外经济发展形势依然错综复杂。从国际看，世界经济深度调整、复苏乏力，外部环境的不稳定不确定因素增加，中小企业外贸形势依然严峻，

32、出口增长放缓。从国内看，发展阶段的转变使经济发展进入新常态，经济增速从高速增长转向中高速增长，经济增长方式从规模速度型粗放增长转向质量效率型集约增长，经济增长动力从物质要素投入为主转向创新驱动为主。新常态对经济发展带来新挑战，中小企业遇到的困难和问题尤为突出。加强统筹规划，完善服务网络和服务设施，积极培育各级中小企业综合服务机构。通过资格认定、业务委托、奖励等方式，发挥工商联以及行业协会（商会）和综合服务机构的作用，引导和带动专业服务机构的发展。建立和完善财政补助机制，支持服务机构开展信息、培训、技术、创业、质量检验、企业管理等服务。三、宏观经济形势分析坚持稳中求进工作总基调，坚持新发展理念，

33、坚持推进高质量发展，坚持以供给侧结构性改革为主线，按照中央经济工作会议部署和“六稳”要求，立足制造强国、网络强国建设全局，在“巩固、增强、提升、畅通”上下功夫，坚定深化市场化改革、扩大高水平开放，着力激发微观主体活力，强化创新驱动、改革推动、融合带动，统筹推进稳增长、强基础、补短板、调结构，保持工业通信业平稳健康发展，不断增强创新力和竞争力，为全面建成小康社会提供有力支撑，以优异成绩庆祝中华人民共和国成立70周年。四、IGBT芯片项目建设必要性分析工业控制为IGBT最大市场需求领域，需求稳定增长。IGBT模块是变频器、逆变焊机等传统工业控制及电源行业的核心元器件，且已在此领域中得到广泛应用。目

34、前，随着工业控制及电源行业市场的逐步回暖，预计IGBT模块在此领域的市场规模亦将得到逐步扩大。变频器是应用变频技术与微电子技术，通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器靠内部IGBT的开断来调整输出电源的电压和频率，根据电机的实际需要来提供其所需要的电源电压，进而达到节能、调速的目的，另外，变频器还有很多的保护功能，如过流、过压、过载保护等等。随着工业自动化程度的不断提高，变频器也得到了非常广泛的应用。IGBT模块在变频器中不仅起到传统的三极管的作用，同时包含了整流部分的作用。控制器产生的正弦波信号通过光藕隔离后进入IGBT，IGBT再根据信号的变化将380V（220

35、V）整流后的直流电再次转化为交流电输出。近年来，国内变频器行业的市场规模总体呈上升态势。2016年国内变频器行业的市场规模为416.77亿元，平均4年复合增长率为8.74%。2017年国内变频器市场规模约453.2亿元。近年来，变频器市场中国内自主研发能力有所提升，特别是高压变频器在2017年的专利申请数稳定在160项以上。同时，在实体经济的拉动作用下，变频器已进入新能源领域，在冶金、煤炭、石油化工等工业领域将保持稳定增长，在城市化率提升的背景下，变频器在市政、轨道交通等公共事业领域的需求也会继续增长，从而促进市场规模扩大。未来几年，具有高效节能功能的高压变频器市场将受政策驱动持续增长，到20

36、23年，高压变频器的市场将达到175亿元左右。逆变式弧焊电源，又称弧焊逆变器，是一种新型的焊接电源。这种电源一般是将三相工频（50赫兹）交流网路电压，先经输入整流器整流和滤波，变成直流，再通过大功率开关电子元件（IGBT）的交替开关作用，逆变成几千赫兹至几万赫兹的中频交流电压，同时经变压器降至适合于焊接的几十伏电压，后再次整流并经电抗滤波输出相当平稳的直流焊接电流。近年来，国内电焊机数量保持稳定增长趋势。2018年国内电焊机产量为853.3万台，同比2017年增加了58.46万台。电焊机市场的持续升温亦将保证IGBT需求量逐步增大。IGBT模块在新能源汽车领域中发挥着至关重要的作用，是新能源汽

37、车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的核心元器件。其中电机控制器+锂电池+汽车电机=新能源汽车动力系统，电机控制器相当于传统汽车的发动机，而其中的IGBT模块相当于是汽车动力系统的“CPU”。随着新能源汽车从48V/MHEV（轻混合电动车）逐渐向PHEV/FHEV（混合电动车）再向BEV（纯电动车）发展，单台汽车中功率半导体含量大幅提升，48V/MHEV和PHEV/FHEV车型，2018年的单台汽车的功率半导体含量相对于传统汽车分别增加了75美金和300美金，而BEV纯电动车中功率半导体的含量为455美金。由于IGBT是新能源电动汽车的核心元器件之一，单台电动汽车的功率半导体含量的大幅提升，必

38、将带来单台电动汽车IGBT价值量的提升。从新能源电动汽车成本来看，占比较大的零部件是电池、电机、电控系统、电驱动零部件等，分别大概占到40%、15%、12%、8%。IGBT模块作为电控系统的核心零部件，大概占到电控系统成本的30-40%左右，粗略估计IGBT模块占到整车成本的4-5%左右。五、IGBT芯片行业分析近年来全球新能源汽车销量快速增长，全球新能源乘用车的销量将由2019年的221万辆增长到2025年的1200万辆，年均复合增长率将达到32.6%，而中国作为全球最大的新能源汽车市场，占比将维持在40-50%份额。2016年全球电动车销量大概200万辆，共消耗了大概9亿美金的IGBT，平

39、均每辆车450美金。预计随着全球电动车的销量提升，IGBT在电动车领域的市场将在2022年达到20亿美金。此外，随着新能源汽车的不断普及，对于充电桩的需求日益增加，也会拉动IGBT的需求。由于中国新能源汽车市场最大，每年新增的充电桩数量也是全球最多。从2010年的1000桩左右的建设规模到2018年的30万桩左右的建设规模，2019年上半年又新增22.5万桩。直流充电桩中，IGBT是最核心的部分，占总成本达到30%。随着充电桩的新增规模不断提升，也会进一步拉动IGBT的需求。随着节能环保的大力推行，具有变频功能的白色家电将具有广阔的市场前景。具有变频功能的白色家电最核心的部件之一是其内部的“变

40、频器”，而IGBT模块作为变频器的核心元器件，其高频开闭合功能能够带来以下优点：1、较小的导通损耗和开关损耗；2、出色的EMI性能，可通过改变驱动电阻的大小满足EMI需求的同时保持开关损耗在合理范围内；3、强大的抗短路能力；4、较小的电压尖峰（对家电起到保护作用）。中国作为全球最大的家电市场和生产基地，亦孕育着大规模的IGBT市场。变频白色家电的推广不仅仅能够促进IGBT模块市场的持续扩张，更能够给IGBT模块提供稳定的市场需求。近年来国内白色家电变频系列销量占比逐渐提升。空调系列：2012年到2018年，国内变频空调销量从3016万台提升到6434万台，渗透率从28.94%提升到42.70%

41、，仍有较大的提升空间；冰箱系列：2012年到2018年，国内变频冰箱销量从363万台提升到1665万台，渗透率从4.80%提升到22.15%，仍有很大提升空间；洗衣机系列：2012年到2018年，国内变频洗衣机销量从577万台提升到2163万台，渗透率从10.36%提升到32.97%，同样有很大提升空间。新能源发电主要以光伏发电和风力发电为代表。由于新能源发电输出的电能不符合电网要求，需通过光伏逆变器或风力发电逆变器将其整流成直流电，再逆变成符合电网要求的交流电后输入并网。IGBT模块是光伏逆变器和风力发电逆变器的核心器件，新能源发电行业的迅速发展将成为IGBT模块行业持续增长的又一动力。近年

42、来国内新能源发电设备容量保持快速增长趋势。从2016年到2019年，国内新能源发电设备容量一直保持快速增长，并网风电发电设备容量从14864万千瓦增加到21005万千瓦，并网太阳能发电设备容量从7742万千瓦增加到20468万千瓦，新能源发电设备容量（风电和太阳能发电）占全口径发电设备容量比重从13.74%增加到20.63%。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，既有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、

43、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面是其他功率器件不能比拟的，因而是电力电子领域较为理想的开关器件，是未来应用发展的主要方向。正是由于具有上述优点，IGBT自20世纪80年代末开始工业化应用以来发展迅速，不仅在工业应用中取代了MOSFET和GTR，甚至已扩展到SCR及GTO占优势的大功率应用领域，还在消费类电子应用中取代了BJT、MOSFET等功率器件的许多应用领域。IGBT技术的发展目标是：大电流、高电压、低损耗、高频率、功能集成化和高可靠性。传动领域（如电力牵引机车）和智能电网领域都需要大功率IGBT的应用，英飞凌、东芝、三菱、西门子等公司高压IGBT器件已可做到6500V，ARPAE

44、（先进能源研究计划署）更是推出了SiCIGBT模块，电压能达到15kV。IGBT芯片发展趋势是：薄片工艺，主要是减少热阻，减小衬底电阻从而减小通态损耗;管芯，主要是提高器件电流密度，十余年来管芯面积减少了23；大硅片，硅片由5英寸变为12英寸，面积增加了5.76倍，折算后每颗芯粒的成本可大为降低；新材料方面主要以SiC和GaN宽禁带半导体材料为代表。六、IGBT芯片市场分析预测IGBT的全称是InsulatedGateBipolarTransistor，即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，既具备MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、

45、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面有突出的产品竞争力，已成为电力电子领域开关器件的主流发展方向。IGBT功率半导体最大的优势是节能，传统的功率半导体损耗非常大，需要多个器件才能达到电能转换的效果。IGBT通过调节电机的转速来提升能源转换效率，从而达到节能的作用。需求上，IGBT的需求最主要来自新能源汽车带动的增长；工业领域属于稳健的需求，增量来自于新基建；新能源变电和电网来自国家政策的推动发展；轨道交通是中国的优势领域。但是，相对于传统功率半导体，IGBT工艺流程长达2.5-3个月，只要有一个参数变生偏差，就需要工艺流程重新这工，1年时

46、间内没有几次试错的机会。IGBT广泛应用于工业、汽车、通信及消费电子领域，其主要电压应用范围在600V到1200V之间。由于经济的飞速发展，我国能源需求量大幅上升，在节能减排政策的背景下，工业控制、变频白色家电等节能效果明显的产品近年来市场规模不断扩大。低压领域：IGBT主要应用于变频白色家电，例如冰箱、空调等家用消费电子必需品与重要耗能品。在汽车领域，IGBT低导通状态压降低特性有利于传统燃油汽车电子点火系统对燃料效率的提升。同时随着新能源汽车替代率逐步上升，将持续拉动IGBT模块市场的需求。在工业领域，随着新基建步伐的加快，我国建成5G基站、人工智能产业、新能源充电基础设施快速发展。中压领

47、域：随着信息产业与高端制造业的快速发展，新能源并网和电网工程建设工程逐步加强，我国工业逆变焊机、逆变频器市场持续升温，USB电源不新能源变电市场稳步增长。IGBT行业增长动力：节能减排推动市场增长。根据各国电动汽车动力来源及碳排放量数据可知，以煤炭为主要动能的国家碳排放量最多，印度碳排放量高达370gCo2e/km。中国电动汽车同样以煤炭为主要动能，其碳排放量为258gCo2e/km。由于经济的飞速发展，我国能源需求量大幅上升，在节能减排政策的背景下，工业控制、变频白色家电等节能效果明显的产品近年来市场规模不断扩大。第四章 项目建设主要内容和规模（一）用地规模该项目总征地面积46269.79平

48、方米（折合约69.37亩），其中：净用地面积46269.79平方米（红线范围折合约69.37亩）。项目规划总建筑面积76807.85平方米，其中：规划建设主体工程59193.76平方米，计容建筑面积76807.85平方米；预计建筑工程投资6726.15万元。（二）设备购置项目计划购置设备共计166台（套），设备购置费4530.25万元。二、产值规模项目计划总投资14724.95万元；预计年实现营业收入20274.00万元。第五章 项目建设地点一、IGBT芯片项目建设选址原则为了更好地发挥其经济效益并综合考虑环境等多方面的因素，根据IGBT芯片项目选址的一般原则和IGBT芯片项目建设地的实际情况

49、，“IGBT芯片项目”选址应遵循以下原则：1、布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动。2、与IGBT芯片项目建设地的建成区有较方便的联系。3、地理条件较好，并有足够的发展潜力。4、城市基础设施等配套较为完善。5、以城市总体规划为依据，统筹考虑用地与城市发展的关系。6、兼顾环境因素影响，具有可持续发展的条件。二、IGBT芯片项目选址方案及土地权属（一）IGBT芯片项目选址方案1、IGBT芯片项目建设单位通过对IGBT芯片项目拟建场地缜密调研，充分考虑了IGBT芯片项目生产所需的内部和外部条件：距原料产地的远近、企业劳动力成本、生产成本以及拟建区域产业配套情况、基础设施条件及土地成本等

50、。2、通过对可供选择的建设地区进行比选，综合考虑后选定的IGBT芯片项目最佳建设地点IGBT芯片项目建设地，所选区域完善的基础设施和配套的生活设施为IGBT芯片项目建设提供了良好的投资环境。厦门，简称厦或鹭，别称鹭岛，是福建省副省级市、计划单列市，国务院批复确定的中国经济特区，东南沿海重要的中心城市、港口及风景旅游城市。截至2019年，全市下辖6个区，总面积1700.61平方公里，建成区面积389.48平方公里，常住人口429万人，户籍人口261.10万人。厦门地处中国华东地区、福建省东南端，是国家综合配套改革试验区、国家物流枢纽、东南国际航运中心、自由贸易试验区、国家海洋经济发展示范区，已成

51、为两岸新兴产业和现代服务业合作示范区、两岸区域性金融服务中心和两岸贸易中心。厦门由岛内（厦门本岛）、离岛鼓浪屿、西岸海沧半岛、北岸集美半岛、东岸翔安半岛、大嶝岛、小嶝岛、内陆同安、九龙江等组成，陆地面积1699.39平方公里，海域面积390多平方公里。厦门通行闽南语厦门话，与漳州、泉州同为闽南地区的组成部分。截至2018年，厦门的综合信用指数在36个省会及副省级城市排名第2，营商环境居副省级城市第1位，外贸综合竞争力居全国第5位，厦门港集装箱吞吐量位居全球第14位。2018年重新确认国家卫生城市（区）。2019年厦门地区生产总值（GD）5995.04亿元，按可比价格计算，比上年增长7.9%，排

52、名福建省第3位。2020年1月22日，被住房和城乡建设部命名为国家生态园林城市。（二）工程地质条件1、根据建筑抗震设计规范（GB50011）标准要求，IGBT芯片项目建设地无活动断裂性通过，无液化土层及可能震陷的土层分布，地层均匀性密实较好，因此，本期工程IGBT芯片项目建设区处于地质构造运动相对良好的地带，地下水为上层滞水，对混凝土无腐蚀性，各土层分布稳定、均匀而适宜建筑。2、拟建场地目前尚未进行地质勘探，参考临近建筑物的地质资料，地基土层由第四系全新统（Q4）杂填土、粉质粘土、淤泥质粉土、圆砾卵石层组成，圆砾卵石作为建筑物的持力层，Pk=300.00Kpa；建设区域地质抗风化能力较强，地层

53、承载力高，工程地质条件较好，不会受到滑坡及泥石流等次生灾害的影响，无不良地质现象，地壳处于稳定状态，场地地貌简单适应本期工程IGBT芯片项目建设。三、IGBT芯片项目用地总体要求（一）IGBT芯片项目用地控制指标分析1、“IGBT芯片项目”均按照项目建设地建设用地规划许可证及建设用地规划设计要求进行设计，同时，严格按照建设规划部门与国土资源管理部门提供的界址点坐标及用地方案图布置场区总平面图。2、建设IGBT芯片项目平面布置符合轻工产品制造行业、重点产品的厂房建设和单位面积产能设计规定标准，达到工业IGBT芯片项目建设用地控制指标（国土资发【2008】24号）文件规定的具体要求。（二）IGBT

54、芯片项目建设条件比选方案1、IGBT芯片项目建设单位通过对可供选择的建设地区进行缜密比选后，充分考虑了IGBT芯片项目拟建区域的交通条件、土地取得成本及职工交通便利条件，IGBT芯片项目经营期所需的内外部条件：距原料产地的远近、企业劳动力成本、生产成本以及拟建区域产业配套情况、基础设施条件等，通过建设条件比选最终选定的IGBT芯片项目最佳建设地点IGBT芯片项目建设地，本期工程IGBT芯片项目建设区域供电、供水、道路、照明、供汽、供气、通讯网络、施工环境等条件均较好，可保证IGBT芯片项目的建设和正常经营，所选区域完善的基础设施和配套的生活设施为IGBT芯片项目建设提供了良好的投资环境。2、由

55、IGBT芯片项目建设单位承办的“IGBT芯片项目”，拟选址在IGBT芯片项目建设地，所选区域土地资源充裕，而且地理位置优越、地形平坦、土地平整、交通运输条件便利、配套设施齐全，符合IGBT芯片项目选址要求。（三）IGBT芯片项目用地总体规划方案本期工程项目建设规划建筑系数56.30%，建筑容积率1.66，建设区域绿化覆盖率6.30%，固定资产投资强度178.49万元/亩。（四）IGBT芯片项目节约用地措施1、土地既是人类赖以生存的物质基础，也是社会经济可持续发展必不可少的条件，因此，IGBT芯片项目建设单位在利用土地资源时，严格执行国家有关行业规定的用地指标，根据建设内容、规模和建设方案，按照

56、国家有关节约土地资源要求，合理利用土地。2、在IGBT芯片项目建设过程中，IGBT芯片项目建设单位根据总体规划以及项目建设地期对本期工程IGBT芯片项目地块的控制性指标，本着“经济适宜、综合利用”的原则进行科学规划、合理布局，最大限度地提高土地综合利用率。第六章 工程方案一、工程设计条件IGBT芯片项目建设地属于建设用地，其地形地貌类型简单，岩土工程地质条件优良，水文地质条件良好，适宜本期工程IGBT芯片项目建设。二、建筑设计规范和标准1、砌体结构设计规范（GB50003-2001）。2、建筑地基基础设计规范（GB50007-2002）。3、建筑结构荷载规范（GB50009-2001）。三、主

57、要材料选用标准要求（一）混凝土要求根据混凝土结构耐久性设计规范（GB/T50476）之规定，确定构筑物结构构件最低混凝土强度等级，基础混凝土结构的环境类别为一类，本工程上部主体结构采用C30混凝土，上部结构构造柱、圈梁、过梁、基础采用C25混凝土，设备基础混凝土强度等级采用C30级，基础混凝土垫层为C15级，基础垫层混凝土为C15级。（二）钢筋及建筑构件选用标准要求1、本工程建筑用钢筋采用国家标准热轧钢筋：基础受力主筋均采用HRB400，箍筋及其他次要构件为HPB300。2、HPB300级钢筋选用E43系列焊条，HRB400级钢筋选用E50系列焊条。四、土建工程建设指标本期工程项目预计总建筑面积76807.85平方米，其中：计容建筑面积76807.85平方米，计划建筑工程投资6726.15万元，占项目总投资的45.68%。第七章 设备选型分析一、设备选型（一）设备选型的原则1、选用的设备必须有较高的生产效率，能降低劳动强度，满足生