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文档简介

1、（1）Hall系数 Hall系数 对于自由电子：q =e，所以， 其中，n为单位体积中的载流子数，即载流子浓度。 由Hall系数的测量不仅可以判断载流子的种类（带正电还是带负电），而且还是测量载流子浓度的重要手段。载流子浓度越低，Hall系数就越大，Hall效应就越明显。（2）F-D分布函数 FermiDirac分布函数 其中 m是电子的化学势，其物理意义是在体积不变的情况下，系统增加一个电子所需的自由能。从分布几率看，当Em时，f(m)1/2 ，代表填充几率为1/2的能态。 当Em 几个kBT时，exp(Em)/ kBT 1 ， 有：这时，FermiDirac分布过渡到经典的Boltzman

2、n分布。且f(E)随E的增大而迅速趋于零。这表明： Em 几个kBT的能态是没有电子占据的空态。（3）Bloch函数及其物理意义Bloch函数 行进波因子 表明在晶体中运动的电子已不再局域于某个原子周围，而是可以在整个晶体中运动的，这种电子称为共有化电子。它的运动具有类似行进平面波的形式。那么，周期函数 的作用则是对这个波的振幅进行调制，使它从一个原胞到下一个原胞作周期性振荡，但这并不影响态函数具有行进波的特性。（4）波失k的物理意义，态空间点阵，分布密度，简约区，k取值总数波失k的物理意义:表示不同原胞间电子波函数的位相变化。 不同的波矢量k表示原胞间位相差不同，即描述晶体中电子不同的运动状

3、态。态空间点阵:k取值不连续，在k空间中，k的取值构成一个空间点阵，称为态空间点阵。分布密度：在k空间中，波失k的分布密度为简约区： （ 简约区）k取值总数：在简约区中波失k的取值总数为（5）金属，半导体电导率随温度变化的差异金属而言：Fermi能级位于导带内，所以温度变化激发的载流子的贡献可以基本不用考虑；那么：随温度升高，晶格的振动加剧，从而导致载流子受到晶格振动所引起的散射，也就是声子的散射加强；从而电阻率增加，电导率下降；半导体而言：Fermi能级位于导带和价带之间，温度变化激发的载流子的贡献必须考虑；随温度升高，从价带激发到导带的载流子数目增加，即有更多的载流子参与了导电，从而电阻率

4、降低，电导率上升。半导体的电导率对温度比较敏感，温度上升会使电导率明显增加。（6）光吸收及光发射光吸收：当光通过材料时，光与材料中的原子（离子）、电子相互作用时即可发生光的吸收光发射：物体依赖外界光源进行照射，从而获得能量，产生激发导至发光的现象。它大致经过吸收、能量传递及光发射三个主要阶段，光的吸收及发射都发生于能带之间的跃迁，都经过激发态。（7）二次电子，透射电子及其应用二次电子（SE）：从距样品表面100A左右深度范围内激发出来的低能电子（50ev）。主要特点：对样品表面形貌敏感；空间分辨率高；信号收集率高；应用：扫描垫子显微镜（SEM）透射电子（TE）：如果样品够薄（KBT，所以，在T0时，只有费

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