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文档简介

1、交流阻抗之详解电解池等效电路和极化1. 四个基本电极过程:电化学反应、反应物和产物扩散,溶液中离子迁移,电极界面双层的充放电。电化学反应表现为电化学反应电阻Rr(纯电阻)反应物和产物扩散表现为浓差极化阻抗Zc(电阻和电容串联)双电层充放电表现为电容Cd离子在溶液中电迁移表现为电阻RL电解池的交流阻抗可表示为图:图一、电解池交流阻抗等效电路 图中A、B分别表示电极两端;RA、RB为电极本身电阻;CAB为两电极之间的电容;RL为溶液电阻;Cd、Cd分别表示两电极的双电层电容;Zf、Zf分别表示两电极的交流阻抗(电化学阻抗或法拉第阻抗)a) 电化学极化交流阻抗如果电极过程由电化学步骤控制,则通过交流

2、电时不会出现反应粒子的浓度极化,此时法拉第阻抗只包括电阻项,采用大面积电极时,电解池等效电路可表示为: 图二、只有电化学极化的电解池等效电路即电解池的法拉第阻抗Zf就等于反应电阻Rr,在电学知识中i. 纯电阻R的阻抗为R,纯电容C的阻抗为1/jc= -j/c,纯电感L的阻抗为jL;式中j为(-1)1/2,为正弦波角频率=2pf,f为正弦波频率ii. 阻抗用Z表示,阻抗的倒数称导纳,用Y表示,即Y=1/Z,因此纯电阻导纳Y=1/R,纯电容导纳为Y=jC,纯电感导纳为Y=1/jL.iii. 电阻电容电感等元件串联组合时,总阻抗为各元件阻抗的复数和,各元件并联组合时,总的导纳为各元件导纳的复数和。因

3、此图2的总阻抗为:Rr (1- jCdRr)1+ 2Cd2Rr2Rr1+ jCdRr11/Rr+jCdZ=RL+ =RL+ =RL+ jCdRr21+ 2Cd2Rr2Rr1+ 2Cd2Rr2 = RL+ (1-1)如测量中溶液电阻不能补偿,则总电路图可用一模拟电路(电解池可用一串联电路模拟) 图3.电解池串联模拟电路由(3)可知其阻抗Z=RS+= RS- (1-2)因总阻抗相等,即Z=Z,所以式1-1和式1-2的实部与虚部分别相等,即Rr1+ 2Cd2Rr2CdRr21+ 2Cd2Rr21CsRs=RL+ (1-3) = (1-4)1RsRL1Rr将13整理得 = +2Cd2Rr (1-5)

4、1RsRL在15中,以 对2 做图可得一直线如图4截距可求得Rr,斜率可求得Cd1截距即Rr= (16) Cd= (17)1+2Cd2Rr212CdRr22CdRr2再将14整理得CS= Cd+ (18)2 以Cs对 做图亦可得一直线如图5 2截距为Cd,斜率为1截距斜率12Cd=截距 (19) Rr =( ) (110)因此只要用各种方法如交流电桥法测得不同频率下的Rs和Cs,则可求得Rr和Cd,用1-5式做求Rr时,要先求得RL,这可在高频下获得,因为在高频下f,=2pf,因此双电层容抗1/Cd很小,由图2可见,电流几乎全部从电容通过,Rr上几乎无电流,电路可简化为RL与Cd的串联,此时测

5、得的Rs就等于RL。Cs即等于Cd,不再随频率变化。以上方法为极限简化法。对于图2、图3的等效电路,总阻抗Z由式1-1式1-2得出实数与虚数部分,现分别用X、Y表示Rr1+ 2Cd2Rr22CdRr21+ 2Cd2Rr21CsX=Rs=RL+ (111) y= = (112)X、Y不仅与等效电路元件有关(RL、Rr、Cd),也与交流电频率有关,由实验测出各频率下的Rs、Cs就可得相应频率下的X、Y,用相应频率下的X、Y值作图,可得复数平面图,如图6: X为实数轴,Y为虚数轴,此图为半圆形,由式1-11和1-12得 CdRr= (1-13)1-13代入1-11得 (X-RL)2-(x-RL)Rr

6、+y2=0改写二次线标准方程式得:(X-RL-Rr)2+y2=(Rr)2 (1-14) 显然这里一个圆心为(RL+1/2Rr,0),半径为1/2Rr的圆的曲线方程。因此由实验得到不同频率下的X和Y值,在XY坐标系中得到半圆ABC及圆心D,可求出电极反应的有关参数,距离OA表示溶液电阻Rl,距离AC为电极反应电阻Rr,而双层电容Cd可由图6中B点横坐标求得,由式1-11可知,当CdRr=1时,正好为B点横坐标X=RL+1/2Rr,由B点相应频率和Rr,可求得Cd,所以Cd=1/Rr (1-15)3. 纯浓度极化交流阻抗22 若不考虑双电层影响,近似地认为通过电解池的全部电量都用来引起表面层的浓度

7、变化,同时电极表面液层中的传质过程完全是电扩散作用引起,没有电极反应0+ne=R,在正弦交流电通过电解时,只有极电粒子的扩散过程,则电极溶液界面上的浓度变化遵循获克第二定律, =D。 (3-1)要解此方程,可以考虑如下初始条件和边界条件:初始条件:t=0时,C。=C。边界条件:X=0时,I=I0sint=nFD。()X=0X=D。时,C。=CoINF。在上述条件下解(1)得C。= C。- C。= exp(-)sin t-(+) (3-2)INF。C。为与交流电频率相同的表面液层中氧化态O粒子的浓度波动。振辐C。为C。= exp(-) (3-3) oINF由3-3式可见,X增大,C。很快衰减,频

8、率增高,波动振辐按减小,式2中(+)表示液层中浓度波动落后于交流电流的相位角,距电极表面越远,浓度波动的相位也越大。s在X=0处的浓度波动Cs。为Cs。 = sin(t-) (3-4) 因此,电极表面上的反应粒子浓度波动的的相位角正好比交流落后45,同样可证明如果反应产物R可溶,其浓度波动可表示为:INF()CR = exp(-)sin (t-+) (3-5)3 4S在电极表面上(X=0处)浓度波动CR = 。 sin (t+ ) (3-6)由式3-2、3-5比较可看出,在同一点处C。和CR相位角正好相差180,电极反应完全可逆,是还原态R的活度为常数时,电极表面反应物浓度的波动所引起的电极电

9、势波动可用涅恩斯特公式表示RTnFC。SC。 44220= = Sin(t- )= 0Sin(t- ) (3-7)220式中= 为电极电动势波动的振辐。由上式可得到电极法检第阻抗ZfI220|Zf|= = =|Zw| (3-8)式中Zw为浓度极化阻抗,即由扩散引起的等效阻抗。在电极过程为纯扩散控制时,法检第阻抗Zf就等于浓度极化阻抗Zw,Zw也称沃伯克阻抗,由式7可见,交流浓度极化比交流电流超前45,因此可认为扩散控制的电极阻抗由两部分组成,即电阻部分和电容部分串联组成,如下图1图1扩散控制时电极的正弦交流等效电路如用复数表示为:220220ZW=- - (3-9) 220= (3-10)RT

10、N2F2 1212则ZW=- -j-如氧化态O和还原态R均可溶,则= (+) (3-11)考虑到相角为45,故由扩散控制的沃伯克阻抗中电阻部分Rw和容抗部分|Zc|w之间存在如下关系,Rw=|Zc|w= (3-12)在直角坐标图上,Rw及|Zc|W随-1/2的变化是两条重迭直线,如图2根据这一特性,可以识别通过交流电时,电极反应的速 度仍然是受扩散控制的电极过程,因为直线斜率为,由10式可求得扩散系数D04. 极化与浓度差极化混合控制下的交流阻抗Rwo Cwo分别为反应物浓差极化所表现的电阻和电容。Rwr、Cwr分别为产物浓差极化所表现的电阻和电容,Cd为双电层微分电容Rr为电化学反应电阻 R

11、c为溶液电阻通过电极的瞬态电流由法拉第电流(电化学反应产生的)和非法拉第电流(由双电层充放电引起)两部分组成,每类电流可由一条支路表示;以由于通过电极总电流为各分支路之和,所以每条支路并联,相应的法拉第电流的阻抗叫法拉第阻抗,它包含了电化学反应电阻和浓差极化电阻,图4-1相应的电极交流阻抗为:图4-3混合控制时阻抗系数平面图21211Rr+- -j-1JCd+ Z=RL+ (4-1)将1式分解为实数与虚数部分的Rr+-(Cd +1)2+2Cd2 (Rr+- )2 212121Z=RL+ 21212121Cd(Rr2+2Rr- )+- (2Cd +1) (Cd +1)2+2Cd2 (Rr+- )

12、2 21-j=x-jy (4-2)特别复杂的方程式,只研究三种情况:1) 低频情况如使用的正弦波交流讯号频率比较低,则式(4-2)中含有和1/2项可略去,而含有-1/2项保留,这样可近似得到下列方程:2121x=RL+Rr+- (4-3)y=- +22Cd (4-4) 消除得,y=X-RL-Rr+22Cd (4-5)4-5式表明,此时电极阻抗的复数平面图为斜率45的直线段,该直线段外推到实轴的截距为RL+Rr-22Cd,如图2交流讯号频率低时,电极过程由扩散步骤控制,电极的交流阻抗是由浓差极化引起的。2)高频情况正弦波讯号频率足够高时,扩散来不及发生,浓差极化可以忽略,因而方程式(2)中的含d项均略去,得Rr1+(CdRr)2CdRr21+(CdRr)2Z=RL+ -j (4-6)这与(1-1)为同一方程高频时,电极过程由电化控制,复数平面图为一半圆3)一般情况在恒定的反应物浓度及交换电流不太大的情况下,如果正弦波讯号在频率

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