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文档简介

1、一、填空题:(每空0.5分,共25分)1、 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的_五_价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为_自由电子_,少数载流子为_空穴,不能移动的杂质离子带 _正_电。P型半导体是 在本征半导体中掺入极微量的 _三_价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 _空穴一,少 数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带 负电。2、三极管的内部结构是由 _基_区、 发射 区、 集电 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。3、 PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于 多数载流子 的扩散 运动而不利于 少子 的 漂移;PN

2、结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相同,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。4、 PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子 空穴向N区进行扩散,N型半导 体中的多数载流子 自由电子 向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区_,其方向由_N_区指向_P_区。空间电荷区_的建立,对多数载流子的_扩散运动_起 削弱作用,对少子的 _漂移运动起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,_PN结_形成。5、 检测二极管极性时, 需用万用表欧姆挡的R X 1K档位,当检测时表针偏转度较大时,则红表棒接触的电极是二极管的阴极;黑表棒接触的电极是

3、二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿损坏;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化不通。6、 单极型晶体管又称为MOS管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。7、 稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的 反向击穿区。8 MOS管在不使用时应避免 _栅_极悬空,务必将各电极短接。二、判断正误:(每小题1分,共10分)1、 P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错)2、 自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。(错)3、 用万用表测试晶体管时,选择欧姆

4、档RX10K档位。(错)4、 PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。(错)5、 无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。(错)6、 双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。(对)7、 二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿损坏。(错)(错)(错)(错)8、 当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流1cm时,该管必被击穿。9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。三、 选择题:(每小题2分,共20分)1、单极型半导体器件是( C)。A、二极管;B、双极型三极管;C、场效应管;D、稳压管。2、P型半导体是在本征半导体中

5、加入微量的( A)元素构成的。A、三价;B、四价;C、五价;D、六价。3、 稳压二极管的正常工作状态是(C)oA、导通状态;B、截止状态;C、反向击穿状态;D、任意状态。4、 用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KQ,说明该二极管(C)oA、已经击穿;B、完好状态;C、内部老化不通;D、无法判断。5、 PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。A、多子扩散;B、少子扩散;C、少子漂移;D、多子漂移。6、 测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为Ve = 2.1V,Vb = 2.8V,Vc= 4.4V,说 明此三极管处在(A)oA、放大区;B、饱和区; C、截止区;D、反向击

6、穿区。7、 绝缘栅型场效应管的输入电流(C)oA、较大;B、较小;C、为零;D、无法判断。&正弦电流经过二极管整流后的波形为(C )oA、矩形方波;B、等腰三角波;C、正弦半波;D、仍为正弦波。9、三极管超过(C)所示极限参数时,必定被损坏。A、集电极最大允许电流1cm ;B、集一射极间反向击穿电压U (BR) CEO ;C、集电极最大允许耗散功率Pcm ;D、管子的电流放大倍数 P o10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C)A、发射结正偏、集电结正偏;B、发射结反偏、集电结反偏;C、发射结正偏、集电结反偏;D、发射结反偏、集电结正偏。四、 简述题:(每小题4分,共28分)

7、1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说 N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?答:这种说法是错误的。因为,晶体在掺入杂质后,只是共价键上多出了电子或少了电子,从而获得了 N型半导体或P型半导体,但整块晶体中既没有失电子也没有得电子,所以 仍呈电中性。2、某人用测电位的方法测岀晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚12V、管脚3V、管脚3.7V,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。答:管脚和管脚电压相差0.7V,显然一个硅管,是基极,一个是发射极,而管脚比管脚和的电位都高,所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原则

8、可判断岀管脚是发射极,管脚是基极,管脚是集电极。3、图6-23所示电路中,已知E=5V,Ui =10sintV,二极管为理想元件(即认为正向导通时电阻 R=0,反向阻断时电阻 R= %),试画岀u0的波形图 6-23答:分析:根据电路可知,当upE时,二极管导通uo=u,当Ui 1的放大器,_反相输入_运算电路可实现 AuR为(A)。A、 00B、 01C、 10D、 113、 按各触发器的状态转换与时钟输入CP的关系分类,计数器可为( A)计数器A、同步和异步B、加计数和减计数C、二进制和十进制4、 按计数器的进位制或循环模数分类,计数器可为(C)计数器。A、同步和异步B、加计数、减计数C、二进制、十进制或任意进制5、 存在空翻问题的触发器是(B)A、D触发器B、钟控RS触发器C、主从JK触发器D、维持阻塞D触发器四、简述题(共10分)1、时序逻辑电路和组合逻辑电路的区别有哪些? (2分)答:主要区别有两点:时序逻辑电路的基本单元是触发器,组合逻辑电路的基本单元是门电路;时序逻辑电路的输出只与现时输入有关,不具有记忆性,组合逻辑电路的输出不仅 和现时输入有关,还和现时状态有关,即具有记忆性。2、何谓“空翻”现象?抑制“空翻”可采取什么措施? (

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