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文档简介

1、第第2章章 集成逻辑门电路集成逻辑门电路 本章主要内容本章主要内容 介绍基本门电路的概念介绍基本门电路的概念 将讨论数字集成电路的几种主要类型将讨论数字集成电路的几种主要类型,重点重点 是双极型是双极型TTL集成门电路集成门电路 MOS型数字集成电路型数字集成电路 TTL电路和电路和MOS电路的特点比较电路的特点比较 第第2章章 集成逻辑门电路集成逻辑门电路 集成逻辑门电路,是把门电路的所有元器集成逻辑门电路,是把门电路的所有元器 件及连接导线制作在同一块半导体基片上件及连接导线制作在同一块半导体基片上 构成的。构成的。 它属于小规模集成电路它属于小规模集成电路(SSI),它是组成一,它是组成

2、一 个较大数字系统的基本单元。个较大数字系统的基本单元。 第第2章章 集成逻辑门电路集成逻辑门电路 集成度集成度 小规模小规模(Small Scale Integrated Circuit ,SSI) 是由十几个门电路构成的。是由十几个门电路构成的。 中规模中规模(Medium Scale Integrated Circuit, MSI)是由上百个门电路构成的。是由上百个门电路构成的。 大规模大规模(Large Scale Integrated Circuit ,LSI) 是由几百个至几千个门电路构成的。是由几百个至几千个门电路构成的。 超大规模超大规模(Very Large Scale In

3、tegrated Circuit ,VLSI)是由一万个以上门电路构成是由一万个以上门电路构成 的。的。 第第2章章 集成逻辑门电路集成逻辑门电路 应用应用 目前,广泛使用的逻辑门有目前,广泛使用的逻辑门有TTL (Transistor-Transistor Logic)和和CMOS两个两个 系列。系列。 TTL门电路属双极型数字集成电路,其输入门电路属双极型数字集成电路,其输入 级和输出级都是三极管结构,故称级和输出级都是三极管结构,故称TTL。 CMOS门电路是由门电路是由NMOS管和管和PMOS管组成管组成 的互补的互补MOS集成电路,属单极性数字集成集成电路,属单极性数字集成 电路。电

4、路。 第第2章章 集成逻辑门电路集成逻辑门电路 我国我国TTL系列数字集成电路型号与国际型系列数字集成电路型号与国际型 号对应列入表号对应列入表2-1中中 标准标准(通用系列通用系列) 高速系列高速系列 肖特基系列肖特基系列 低功耗肖特基系列低功耗肖特基系列 54/74 54/74H 54/74S 54/74LS CT1000 CT2000 CT3000 CT4000 TTL系列系列 分类名称分类名称国际型号国际型号国产型号国产型号系列系列 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 二极管与门二极管与门 实现与逻辑功能的电路,称为与门。实现与逻辑功能的电路,称为与门。 VA=VB=3V。由于。由于

5、R接接 到电源到电源+12V上,故上,故D A、 、 DB均导通,均导通, VF= 3+0.7V=3.7V3V 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 二极管与门二极管与门 实现与逻辑功能的电路,称为与门。实现与逻辑功能的电路,称为与门。 VA=3V,VB=0V,由于,由于 DB优先导通,优先导通,VF=0.7V,因,因 而而DA截止,通常将截止,通常将DB导通,导通, 使使VF=0+0.7V=0.7V0V 称为箝位。称为箝位。 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 二极管与门二极管与门 实现与逻辑功能的电路,称为与门。实现与逻辑功能的电路,称为与门。 VA=0V,VB=3V, 由于由于DA导通

6、,导通, VF=0+0.7V=0.7V0V, DB截止。截止。 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 二极管与门二极管与门 实现与逻辑功能的电路,称为与门。实现与逻辑功能的电路,称为与门。 VA=VB=0V, VF=0.7V,此时,此时DA、 DB均导通。均导通。 VF=0+0.7V=0.7V0V 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 二极管与门二极管与门 实现与逻辑功能的电路,称为与门。实现与逻辑功能的电路,称为与门。 (1)VA=VB=0V VF0V (2) VA=0V, VB=3V,VF0V (3) VA=3V, VB=0V, VF0V (4)VA=VB=3V VF3V 2.1 基本逻辑

7、门电路基本逻辑门电路 二极管与门二极管与门 实现与逻辑功能的电路,称为与门。实现与逻辑功能的电路,称为与门。 0 0 0 3 0 0 0 3 3 0 3 3 输出输出 VF(V) 输入输入 VF(V) VF(V) 电位关系电位关系 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 二极管与门二极管与门 实现与逻辑功能的电路,称为与门。实现与逻辑功能的电路,称为与门。 A B 0 0 0 1 1 0 1 1 F 0 0 0 1 真值表真值表 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 或门或门 实现逻辑或功能的电路,称为或门。实现逻辑或功能的电路,称为或门。 VA=VB=3V,由于,由于R 接到电源接到电源-VE

8、E(-12V)上,)上, 故故DA、DB均导通。均导通。VF因因 此为此为VA-VD=2.3V 3V 。 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 或门或门 实现逻辑或功能的电路,称为或门。实现逻辑或功能的电路,称为或门。 VA=0V,VB=3V,此,此 时时DB导通,将导通,将VF钳位在钳位在 2.3V,DA加反向电压截止。加反向电压截止。 因此因此 VF=VB-VD=2.3V3V 。 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 或门或门 实现逻辑或功能的电路,称为或门。实现逻辑或功能的电路,称为或门。 VA=3V,VB=0V,此,此 时时DA导通,导通,DB截止,截止, VF=VA-VD=2.3V

9、3V 。 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 或门或门 实现逻辑或功能的电路,称为或门。实现逻辑或功能的电路,称为或门。 VA=VB=0V,DA、DB 均导通,均导通,VF=0-VD=-0.7V 0V 。 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 或门或门 实现逻辑或功能的电路,称为或门。实现逻辑或功能的电路,称为或门。 (1)VA=VB=0V:VF0V (2) VA=0V, VB=3V: VF3V (3) VA=3V, VB=0V: VF3V (4)VA=VB=3V: VF3V 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 或门或门 实现逻辑或功能的电路,称为或门。实现逻辑或功能的电路,称为或门。 0

10、 3 3 3 0 0 0 3 3 0 3 3 输出输出 VF(V) 输入输入 VA(V) VB(V) 电位关系电位关系 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 或门或门 实现逻辑或功能的电路,称为或门。实现逻辑或功能的电路,称为或门。 A B 0 0 0 1 1 0 1 1 F 0 1 1 1 真值表真值表 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 非门非门(反相器反相器) 实现逻辑非门功能的电路,称作非门实现逻辑非门功能的电路,称作非门 数字电路中,二极管,数字电路中,二极管, 三极管均工作在开关状三极管均工作在开关状 态。三极管工作在饱和态。三极管工作在饱和 态和截止态。态和截止态。 2.1 基

11、本逻辑门电路基本逻辑门电路 非门非门(反相器反相器) 实现逻辑非门功能的电路,称作非门实现逻辑非门功能的电路,称作非门 饱和时,其集电极输出为饱和时,其集电极输出为 低电平(低电平(VO=Vces);); 截止时,其集电极输出高截止时,其集电极输出高 电平(无箝位时,电平(无箝位时,VO=VCC, 有箝位电路时,有箝位电路时,VO高电平将高电平将 使使DQ导通,由于导通,由于VQ=2.5V, 故故VO=2.5V+0.7V=3.2V)。)。 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 非门非门(反相器反相器) 实现逻辑非门功能的电路,称作非门实现逻辑非门功能的电路,称作非门 VI=0.3V时,一般硅管

12、死时,一般硅管死 区电压为区电压为0.5V,故,故T可能截可能截 止,只考虑到止,只考虑到VEE时时 V kk kV V923. 0 5 . 118 5 . 112 B 只考虑到只考虑到VI时时 V kk kV V277.0 5 .118 183 .0 B 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 非门非门(反相器反相器) 实现逻辑非门功能的电路,称作非门实现逻辑非门功能的电路,称作非门 总的总的VB=-0.646V, T截止,截止,VO为高电平。为高电平。 由于此时钳位二极由于此时钳位二极 管管 D Q 导 通 , 故导 通 , 故 VO=VQ+VDQ=3.2V 3V。 2.1 基本逻辑门电路基

13、本逻辑门电路 非门非门(反相器反相器) 实现逻辑非门功能的电路,称作非门实现逻辑非门功能的电路,称作非门 V kk VV kVB 646. 012354.11 12 5 . 118 3 . 012 18 或:或: 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 非门非门(反相器反相器) 实现逻辑非门功能的电路,称作非门实现逻辑非门功能的电路,称作非门 C CESCC BSB R VV II 当当VI=3.2V时,输入时,输入 高电平,高电平,T应饱和,即应饱和,即 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 非门非门(反相器反相器) 实现逻辑非门功能的电路,称作非门实现逻辑非门功能的电路,称作非门 在本例中在

14、本例中 mA R VV I C CESCC CS 7 .11 1 3 . 012 mA I I CS BS 39. 0 30 7 .11 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 非门非门(反相器反相器) 实现逻辑非门功能的电路,称作非门实现逻辑非门功能的电路,称作非门 BS RRB ImA III 96. 0706. 0667. 1 18 )12(7 . 0 5 . 1 7 . 02 . 3 21 实际上实际上 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 非门非门(反相器反相器) 实现逻辑非门功能的电路,称作非门实现逻辑非门功能的电路,称作非门 IBIBS,三极管饱和。,三极管饱和。 输出为低电平输出

15、为低电平 VO=Vces=0.3V0V 采用正逻辑,可列出采用正逻辑,可列出 非门的真值表。非门的真值表。 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 非门非门(反相器反相器) 实现逻辑非门功能的电路,称作非门实现逻辑非门功能的电路,称作非门 3 0 0 3 VF (V)VI (V) 电位关系电位关系 1 0 0 1 FA 真值表真值表 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 4.与非门电路与非门电路 2.1 基本逻辑门电路基本逻辑门电路 5.或非门电路或非门电路 2.2 TTL集成逻辑门电路集成逻辑门电路 TTL与非门的工与非门的工 作原理作原理 TTL与非门的典与非门的典 型电路型电路 TTL与非

16、门的典与非门的典 型电路如图型电路如图2-6所示,所示, 它分成输入级、中它分成输入级、中 间级和输出级三个间级和输出级三个 部分。部分。 输入级输入级 中间级中间级 输出级输出级 TTL与非门的典型电路与非门的典型电路 输入级输入级由多发射极由多发射极 晶体管晶体管T1和电阻和电阻R1 组成,通过组成,通过T1的各的各 个发射极实现与逻个发射极实现与逻 辑功能。辑功能。 多发射极晶体管多发射极晶体管 T1 的等效电路的等效电路 TTL与非门的典型电路与非门的典型电路 中间级中间级由由T2、R2、 R3组成。组成。 其主要作用是从其主要作用是从T 2 管的集电极管的集电极c 2和发 和发 射极

17、射极e 2同时输出两 同时输出两 个相位相反的信号,个相位相反的信号, 分别驱动分别驱动T3和和T5管,管, 来保证来保证T4和和T5管有管有 一个导通时,另一一个导通时,另一 个就截止。个就截止。 TTL与非门的典型电路与非门的典型电路 输出级输出级由由R4、R5、 T3、T4、T5组成,组成,T5 是反相器,是反相器,T3、T4 组成复合管构成一组成复合管构成一 个射随器,作为个射随器,作为T5 管的有源负载,并管的有源负载,并 与与T5组成推拉式电组成推拉式电 路,使输出无论是路,使输出无论是 高电平或是低电平高电平或是低电平 ,输出电阻都很小,输出电阻都很小 ,提高了带负载能,提高了带

18、负载能 力。力。 工作原理工作原理 则则VB1=VIL+VBE1 =0.3+0.7=1V VB2 =VC1=VCES1+VIL =0.1+0.3=0.4V 0.3V 3.6V 3.6V DA导通导通! 设设A=0 B=1 C=1 (VIL=0.3V) , 1V 0.4V 所以:所以:T2 、T5 截止截止 T3 、T4 导通导通 VF = 5UBE3UBE4 50.70.7 = 3.6V 拉电流拉电流 F = 1 工作原理工作原理 设设A = B = C =1,即,即 VA=VB=VC=VIH=3.6V, 3.6V 3.6V 3.6V 2.1V T1管的基极电位升管的基极电位升 高,使高,使T

19、1管的集电结、管的集电结、 T2和和T5的发射结正向的发射结正向 偏置而导通,偏置而导通,T1管的管的 基极电位基极电位VB1被箝位被箝位 在在2.1V。 1.4V 故故T1管处于倒置工管处于倒置工 作状态(发射结和作状态(发射结和 集电结反向运用状集电结反向运用状 态,发射结反向偏态,发射结反向偏 置、集电结正向偏置、集电结正向偏 置)。置)。 T3 导通导通 ,T4 截止截止 VF = 0.3V , F = 0 VF =0.3V 灌电流灌电流 结论:结论: 电路只要输入有一个为低电路只要输入有一个为低 电平时,输出就为高电平;电平时,输出就为高电平; 只有输入全为高电平时,只有输入全为高电

20、平时, 输出才为低电平。该门为输出才为低电平。该门为 与非门。即与非门。即 1.输入不全为输入不全为1时,输出为时,输出为1 2.输入全为输入全为1时,输出为时,输出为0 真值表为:真值表为: 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 FA B C 真值表真值表 ABCF 2.TTL与非门的电压传输特性及与非门的电压传输特性及 抗干扰能力抗干扰能力 电压传输特性电压传输特性 电压传输特性是描述输出电压电压传输特性是描述输出电压vO与输入电压与输入电压vI 之间对应关系的曲线,如图之间对应关系的曲线,如图2-7

21、所示。所示。 TTL与非门的电压传输特性与非门的电压传输特性 AB段(截止区):段(截止区): vI0.6V,输出电压,输出电压vO 不随输入电压不随输入电压vI变化,变化, 保持在高电平保持在高电平VH。 VC10.7V,T2和和T5管管 截止,截止,T3、T4管导通管导通 ,输出为高电平,输出为高电平, VOH=3.6V。 由于这段由于这段T2和和T5管截管截 止,故称截止区。止,故称截止区。 TTL与非门的电压传输特性与非门的电压传输特性 BC段段(线性区线性区): 0.6VvI1.3V,0.7V VC11.4V。 这时这时T2管开始导通并管开始导通并 处于放大状态,处于放大状态,T2管

22、管 的集电极电压的集电极电压VC2和输和输 出电压出电压vO随输入电压随输入电压vI 的增大而线性降低,的增大而线性降低, 故该段称为线性区。故该段称为线性区。 由于由于T5管的基极电位还低于管的基极电位还低于0.7V,故,故T5管仍截止。管仍截止。 T3、T4管还是处于导通状态。管还是处于导通状态。 TTL与非门的电压传输特性与非门的电压传输特性 CD段段(过渡区过渡区): 1.3VvI1.4V,T5管管 开始导通,开始导通,T2、T3、 T4管也都处于导通状管也都处于导通状 态,态,T4、T5管有一小管有一小 段时间同时导通,故段时间同时导通,故 有很大电流流过有很大电流流过R4电电 阻,

23、阻,T2管提供管提供T5管很管很 大的基极电流大的基极电流; T2、T5管趋于饱和导通,管趋于饱和导通,T4管趋于截止,输出电管趋于截止,输出电 压压vO急剧下降到低电平急剧下降到低电平vO=0.3V。 由于由于vI的微小变化而引起输出电压的微小变化而引起输出电压vO的急剧下降,的急剧下降, 故此段称为过渡区或转折区。故此段称为过渡区或转折区。 TTL与非门的电压传输特性与非门的电压传输特性 CD段段(过渡区过渡区): CD段中点对应的输入段中点对应的输入 电压,既是电压,既是T5管截止管截止 和导通的分界线,又和导通的分界线,又 是输出高、低电平的是输出高、低电平的 分界线,故此电压称分界线

24、,故此电压称 阈值电压阈值电压VT(门槛电(门槛电 压),压),VT=1.4V。 VT是决定与非门状态的重要参数。当是决定与非门状态的重要参数。当vIVT时,时, 与非门截止,输出高电平。与非门截止,输出高电平。 当当vIVT时,与非门饱和导通,输出低电平。时,与非门饱和导通,输出低电平。 VT TTL与非门的电压传输特性与非门的电压传输特性 DE段(饱和区):段(饱和区): vI1.4V以后,以后,T1管处管处 于倒置工作状态,于倒置工作状态,VB1 被箝位在被箝位在2.1V,T2、 T5管进入饱和导通状管进入饱和导通状 态,态,T3管微导通,管微导通,T4 管截止。管截止。 由于由于T2、

25、T5管饱和导管饱和导 通,故称该段为饱和通,故称该段为饱和 区。区。 抗干扰能力抗干扰能力(输入噪声容限输入噪声容限) 关门电平关门电平VOFF:输出为:输出为 标准高电平标准高电平VSH时所允时所允 许的最大输入低电平值。许的最大输入低电平值。 通常通常VOFF=0.8V。 开门电平开门电平VON:输出为:输出为 标准低电平标准低电平VSL时所允时所允 许的最小输入高电平值。许的最小输入高电平值。 通常通常VON=1.8V。 VNL 抗干扰能力(输入噪声容限):不破坏与抗干扰能力(输入噪声容限):不破坏与 非门输出逻辑状态所允许的最大干扰电压。非门输出逻辑状态所允许的最大干扰电压。 VNH

26、输入低电输入低电 平的抗干平的抗干 扰能力扰能力 输入高电平输入高电平 的抗干扰能的抗干扰能 力力 VNL=VOFF-VILmax VNH=VIHmin-VON TTL与非门的输入特性、输出与非门的输入特性、输出 特性和带负载能力特性和带负载能力 了解输入输出特性,可正确处理了解输入输出特性,可正确处理TTL与非与非 门之间和其它电路之间的连接问题。只要门之间和其它电路之间的连接问题。只要 输入端、输出端的电路结构形式和参数与输入端、输出端的电路结构形式和参数与 TTL与非门相同,输入、输出特性对其它与非门相同,输入、输出特性对其它 TTL电路也适用。电路也适用。 TTL与非门的输入特性与非门

27、的输入特性 输入特性是描述输入电流与输入电压之间的关系输入特性是描述输入电流与输入电压之间的关系 曲线,如图曲线,如图2-8所示的特性曲线。规定输入电流流所示的特性曲线。规定输入电流流 入输入端为正,而从输入端流出为负。入输入端为正,而从输入端流出为负。 TTL与非门的输入特性与非门的输入特性 当当vI小于小于0.6V时时T2是截止的,是截止的,T1基极电流均经其基极电流均经其 发射极流出(因集电极的负载电阻很大,发射极流出(因集电极的负载电阻很大,IC1可以可以 忽略不计),这时电流大小可以近似计算为忽略不计),这时电流大小可以近似计算为iI=- (VCC-VBE1-vI)/R1。 TTL与

28、非门的输入特性与非门的输入特性 当当vI=0时,相当于输入端接地,故将此时的输入时,相当于输入端接地,故将此时的输入 电流称为输入短路电流电流称为输入短路电流IIS,IIS=(VCC-VBE1)/R1=(5- 0.7)/31.4mA。 TTL与非门的输入特性与非门的输入特性 当当vI等于等于0.6V时时T2管开始导通,管开始导通,T2管导通以后管导通以后IB1 一部分就要流入一部分就要流入T2管的基极,管的基极,iI的绝对值随之略有的绝对值随之略有 减小;减小;vI继续增加,继续增加,IB2要继续增大,而要继续增大,而iI的绝对值的绝对值 继续减小。继续减小。 0.6V TTL与非门的输入特性

29、与非门的输入特性 当当vI增加到增加到1.3V以后,以后,T5管开始导通,管开始导通,VB1被箝位被箝位 在在2.1V左右;此后,左右;此后,iI的绝对值随的绝对值随vI的增大而迅速的增大而迅速 减小。减小。 TTL与非门的输入特性与非门的输入特性 IB1绝大部分经绝大部分经T1集电结流入集电结流入T2的基极。当的基极。当vI大于大于 1.4V以后,以后,T1就进入倒置工作状态,就进入倒置工作状态,iI的方向由负的方向由负 变为正,就是说变为正,就是说iI由由e1端流入输入端,此时的输入端流入输入端,此时的输入 电流称为输入漏电流电流称为输入漏电流IIH,其值约为,其值约为10A。 IIH T

30、TL与非门的输入端负载特性与非门的输入端负载特性 在实际应用中,有时与非门的输入端需要经外在实际应用中,有时与非门的输入端需要经外 接电阻接电阻RI接地。如图接地。如图2-9(a)图所示。此时就有图所示。此时就有 电流电流II流过流过RI,并在其上产生电压降,并在其上产生电压降vI。 TTL与非门的输入端负载特性与非门的输入端负载特性 当输入端所接电阻当输入端所接电阻RI=0时,即输入端接地时,输时,即输入端接地时,输 出为高电平;而出为高电平;而RI=时,输入电流没有通路,与时,输入电流没有通路,与 输入端加高电平等效,此时输出为低电平。输入端加高电平等效,此时输出为低电平。 TTL与非门的

31、输入端负载特性与非门的输入端负载特性 即即RI比较小时,与非门截止,输出高电平;比较小时,与非门截止,输出高电平;RI较较 大时,与非门饱和,输出为低电平;大时,与非门饱和,输出为低电平;RI不大不小不大不小 时,与非门工作在线性区或转折区。时,与非门工作在线性区或转折区。 TTL与非门的输入端负载特性与非门的输入端负载特性 TTL门输入端所接电阻的大小会影响输出状态。门输入端所接电阻的大小会影响输出状态。 vI和和RI之间的关系曲线叫做输入端负载特性。之间的关系曲线叫做输入端负载特性。 TTL与非门的输入端负载特性与非门的输入端负载特性 发射结导通时发射结导通时 )( BE1CC 1I I

32、I VV RR R v TTL与非门的输入端负载特性与非门的输入端负载特性 在在RIR1条件下,条件下,vI几乎和几乎和RI成正比,成正比,vI随随RI增增 加而增加。如图加而增加。如图2-9(b)所示。所示。 )( BE1CC 1I I I VV RR R v RI ,vI=1.4V,T5管导通,管导通,VB1被箝位在被箝位在2.1V。RI,vI=1.4V。则公式不再适用。则公式不再适用。 TTL与非门的输入端负载特性与非门的输入端负载特性 关门电阻关门电阻ROFF:保证:保证TTL与非门关闭,输出为标与非门关闭,输出为标 准高电平时,所允许的准高电平时,所允许的RI最大值。一般最大值。一般

33、 ROFF=0.8k。 。 R I ROFF时,与非门输出高电平;时,与非门输出高电平; RIROFF时,与非门输出低电平。时,与非门输出低电平。 TTL与非门的输入端负载特性与非门的输入端负载特性 开门电阻开门电阻RON:保证:保证TTL与非门导通,输出为标与非门导通,输出为标 准低电平时,所允许的准低电平时,所允许的RI最小值。一般最小值。一般RON=2k。 TTL与非门的输入端负载特性与非门的输入端负载特性 输入负载特性是输入负载特性是TTL与非门特有的,不能与非门特有的,不能 用于用于ECL和和CMOS门。门。 TTL门的四种系列的门的四种系列的ROFF和和RON的值也不全的值也不全

34、一样。一样。T1000、T2000、T3000系列相差不系列相差不 多,输入电阻多,输入电阻1k左右。但是左右。但是T4000系列差系列差 别很大,输入电阻增加到别很大,输入电阻增加到8k左右,与非左右,与非 门才从输出高电平变成低电平。门才从输出高电平变成低电平。 TTL与非门的输入端负载特性与非门的输入端负载特性 与非门多余端的处理:与非门多余端的处理:输入信号数目少于输入信号数目少于 与非门输入端个数,出现多余端。与非门与非门输入端个数,出现多余端。与非门 输入端悬空相当于接高电平。在实际使用输入端悬空相当于接高电平。在实际使用 时,多余端不采用悬空的方法,以防干扰时,多余端不采用悬空的

35、方法,以防干扰 信号从悬空的输入端引入。通常把多余输信号从悬空的输入端引入。通常把多余输 入端接电源的正端或固定高电平,或者并入端接电源的正端或固定高电平,或者并 联使用联使用. TTL与非门的输出特性与非门的输出特性 TTL与非门实际工作时,输出端总要接负与非门实际工作时,输出端总要接负 载,产生负载电流,此电流也在影响输出载,产生负载电流,此电流也在影响输出 电压的大小。电压的大小。 输出电压与负载电流之间的关系曲线,称输出电压与负载电流之间的关系曲线,称 为输出特性。输出电压有高电平、低电平为输出特性。输出电压有高电平、低电平 两种状态,所以有两种输出特性。两种状态,所以有两种输出特性。

36、 TTL与非门的输出特性与非门的输出特性 当与非门输入全为高电平时,当与非门输入全为高电平时, 输出为低电平。输出为低电平。T1管倒置工作,管倒置工作, T2、T5管饱和导通,管饱和导通,T3管微导管微导 通,通,T4管截止。管截止。 这时输出级等效电路如图这时输出级等效电路如图2-10(a) 所示,即为一个三极管,其基所示,即为一个三极管,其基 极电流很大,负载电流方向是极电流很大,负载电流方向是 流入三极管流入三极管T5的集电极,故称的集电极,故称 为为灌电流负载灌电流负载。 输出为低电平时的输出特性输出为低电平时的输出特性 TTL与非门的输出特性与非门的输出特性 输出为低电平时的输出特性

37、输出为低电平时的输出特性 其输出特性是一个三极管在基极其输出特性是一个三极管在基极 电流为某一值时共射极接法的输电流为某一值时共射极接法的输 出特性曲线如图出特性曲线如图2-10(b)所示。所示。 T5饱和,其导通电阻饱和,其导通电阻rce很小很小 (十几欧姆),所以(十几欧姆),所以iL增加时增加时vO 仅稍有增加,输出低电平仅稍有增加,输出低电平VOL。 当当iL增加到大于某值后,增加到大于某值后,T5管退管退 出饱和进入放大,出饱和进入放大,vO迅速上升,迅速上升, 破坏了输出为低电平的逻辑关系,破坏了输出为低电平的逻辑关系, 因此对灌电流值要有限制。因此对灌电流值要有限制。 TTL与非

38、门的输出特性与非门的输出特性 输出为高电平时的输出特性输出为高电平时的输出特性 当与非门输入端其中有一当与非门输入端其中有一 端为低电平时,输出为高端为低电平时,输出为高 电平。电平。T1管处于饱和状态,管处于饱和状态, T2、T5管截止,管截止,T3、T4管管 导通。这时输出级等效电导通。这时输出级等效电 路如图路如图2-11(a)所示,负载所示,负载 电流方向是由输出端流向电流方向是由输出端流向 负载,故称为负载,故称为拉电流负载拉电流负载。 TTL与非门的输出特性与非门的输出特性 输出为高电平时的输出特性输出为高电平时的输出特性 在在iL较小时,较小时,T5处于饱和边缘,处于饱和边缘,

39、T4管放大,管放大,T3、T4组成的复合管组成的复合管 有一定的放大作用,有一定的放大作用, 输出特性曲线如图输出特性曲线如图2-11(b)所示。所示。 输出电阻很小,输出电阻很小,TTL与非与非 门的输出电压门的输出电压vO 随随iL变化不变化不 大,故输出高电平大,故输出高电平VOH。 当当iL增加到大于某值后,增加到大于某值后,R4 上压降增大,上压降增大,VC3下降,使下降,使 T3进入深饱和,进入深饱和, 复合管跟随器处于饱和状态,复合管跟随器处于饱和状态, 失去跟随作用,输出电阻为失去跟随作用,输出电阻为 Ri, 输出电压输出电压vO随负载电流的增随负载电流的增 加而迅速下降,加而

40、迅速下降, vOVCC-VCES3-VBE4-iLR4。 为了保证为了保证vO为标准高电平。为标准高电平。 对拉灌电流值要有限制。对拉灌电流值要有限制。 带负载能力带负载能力 TTL与非门的输出端接上负载后,负载有灌电流与非门的输出端接上负载后,负载有灌电流 负载和拉电流负载。图负载和拉电流负载。图2-12分别表示灌电流负载分别表示灌电流负载 和拉电流负载。和拉电流负载。 拉电流负载增加会使与非门拉电流负载增加会使与非门 的输出高电平下降;的输出高电平下降; 灌电流负载增加会使与非门的灌电流负载增加会使与非门的 输出低电平上升。输出低电平上升。 带负载能力带负载能力 电路输出高、低电平时有输出

41、电阻,所以输电路输出高、低电平时有输出电阻,所以输 出的高、低电平随负载电流改变,变化小,出的高、低电平随负载电流改变,变化小, 说明门的带负载能力强。说明门的带负载能力强。 用输出电平变化不超过某一规定值(高电平用输出电平变化不超过某一规定值(高电平 不低于高电平下限值不低于高电平下限值VOHmin,低电平不高于,低电平不高于 低电平的上限值低电平的上限值VOLmax)时的最大负载电流,)时的最大负载电流, 来定量描述门电路的带负载能力大小。来定量描述门电路的带负载能力大小。 带负载能力带负载能力 负载电流大,带负载能力强;反之,带负载负载电流大,带负载能力强;反之,带负载 能力弱。能力弱。

42、 一个门的输出电平有高电平、低电平之分,一个门的输出电平有高电平、低电平之分, 因此,说这个门的带负载能力,必须综合考因此,说这个门的带负载能力,必须综合考 虑输出高电平时的带负载能力和输出低电平虑输出高电平时的带负载能力和输出低电平 时的带负载能力。时的带负载能力。 带负载能力带负载能力 扇出系数:扇出系数:门电路驱动同类门的最大数目。门电路驱动同类门的最大数目。 输出高电平时的扇出系数输出高电平时的扇出系数 IHmax OHmax OH I I N 输出低电平时的扇出系数输出低电平时的扇出系数 ILmax OLmax OL I I N 一个门的扇出系数只能是一个。若一个门的扇出系数只能是一

43、个。若NOH和和NOL不不 一样大时,应取一样大时,应取NOH和和NOL中小的一个。中小的一个。 TTL与非门的动态特性与非门的动态特性 平均传输延迟时间平均传输延迟时间 二极管、三极管存在开关时间,由二极管和三极二极管、三极管存在开关时间,由二极管和三极 管构成的管构成的TTL电路的状态转换需要一定的时间,即电路的状态转换需要一定的时间,即 输出不能立即响应输入信号的变化,而有一定的延输出不能立即响应输入信号的变化,而有一定的延 迟。如图迟。如图2-13所示。所示。 而电阻、二极管、三极管等元器件寄生电容的存而电阻、二极管、三极管等元器件寄生电容的存 在,还会使输出电压波形的上升沿和下降沿变

44、得不在,还会使输出电压波形的上升沿和下降沿变得不 那么陡。那么陡。 导通传输导通传输 延迟时间延迟时间 截止传输截止传输 延迟时间延迟时间 平均传输延迟时间平均传输延迟时间 2 PLHPHL pd tt t 传输延迟时间小,传输延迟时间小, 表明门的工作速度表明门的工作速度 可以高,反之,门可以高,反之,门 的工作速度必须降的工作速度必须降 低。低。 TTL与非门的动态特性与非门的动态特性 动态尖峰电流动态尖峰电流 静态时静态时TTL与非门电路的电源电流比较小,在与非门电路的电源电流比较小,在 10mA左右。在动态情况下,由于左右。在动态情况下,由于T5工作在深饱工作在深饱 和状态,和状态,T

45、4必定在必定在T5截止之前就导通了。这样就截止之前就导通了。这样就 出现了瞬间出现了瞬间T4和和T5都导通的状态。这一瞬间电源都导通的状态。这一瞬间电源 电流比静态时的电源电流大,但持续时间较短,电流比静态时的电源电流大,但持续时间较短, 故称之为尖峰电流或浪涌电流。输出由高电平变故称之为尖峰电流或浪涌电流。输出由高电平变 为低电平时,也会出现为低电平时,也会出现T4、T5都导通,导致都导通,导致ICC 出现尖峰。出现尖峰。 TTL与非门的动态特性与非门的动态特性 动态尖峰电流动态尖峰电流 如图如图2-14所示。所示。 在工作频率较高在工作频率较高 时,尖峰电流对电时,尖峰电流对电 源平均电流

46、影响不源平均电流影响不 可忽略。它使电源可忽略。它使电源 的平均电流增大,的平均电流增大, 这就要求加大电源这就要求加大电源 的容量。的容量。 电源的尖峰电流电源的尖峰电流 在电路内部流通时,在电路内部流通时, 会在电源线和地线会在电源线和地线 上产生电压降,形上产生电压降,形 成一个干扰源,为成一个干扰源,为 此,要采取合理的此,要采取合理的 接地和去耦措施,接地和去耦措施, 使之在允许范围内。使之在允许范围内。 2.3 其他类型的其他类型的TTL门电路门电路 TTL门电路除了与非门外,还有其它逻辑功门电路除了与非门外,还有其它逻辑功 能的门电路,如与门、或门、或非门、与或能的门电路,如与门

47、、或门、或非门、与或 非门、异或门、同或门、集电极开路门和三非门、异或门、同或门、集电极开路门和三 态门等,还有与扩展器、或扩展器和与或扩态门等,还有与扩展器、或扩展器和与或扩 展器等。展器等。 主要介绍集电极开路门和三态门。主要介绍集电极开路门和三态门。 集电极开路门集电极开路门(OC门门) 线与线与 :把几个逻辑门把几个逻辑门 的输出端直接连在一的输出端直接连在一 起实现逻辑与。起实现逻辑与。 TTL与非门直接线与与非门直接线与 出现的问题:出现的问题: F1=1,F2=0就会在电就会在电 源和地之间形成一个低源和地之间形成一个低 阻通路,破坏了逻辑关阻通路,破坏了逻辑关 系,而且还会把截

48、止门系,而且还会把截止门 中的导通管中的导通管T4烧坏。烧坏。 集电极开路门集电极开路门(OC门门) 集电极开路门集电极开路门(OC门门) 电路结构:电路结构:把把TTL与非门电路的推拉输出级改与非门电路的推拉输出级改 为三极管集电极开路输出为三极管集电极开路输出,称为集电极开路称为集电极开路(Open Collector)门电路。门电路。 RL 上上 拉拉 电电 阻阻 集电极开路门集电极开路门(OC门门) 集电极开路门集电极开路门(OC门门) 逻辑符号如图逻辑符号如图(b)所示。所示。 逻辑功能:逻辑功能: ABF 几个几个OC门的门的 输出端直接并输出端直接并 联后可共用一联后可共用一 个

49、集电极负载个集电极负载 电阻电阻RL和电源和电源 VCC。 只要恰当地选只要恰当地选 择电源电压和择电源电压和 负载电阻,就负载电阻,就 可以保证输出可以保证输出 电平的高、低电平的高、低 要求,而又有要求,而又有 效地防止输出效地防止输出 管电流过大。管电流过大。 集电极开路门集电极开路门(OC门门) 集电极负载电阻集电极负载电阻RL的选择的选择 利用利用OC门可以实现线与功能。门可以实现线与功能。 当有当有m个个OC门直接并联,并带有门直接并联,并带有n个与非个与非 门作负载时,只要公共外接负载电阻门作负载时,只要公共外接负载电阻RL选选 择适当,就可以保证输出高电平不低于规择适当,就可以

50、保证输出高电平不低于规 定的定的VOHmin值;又可以保证输出低电平不高值;又可以保证输出低电平不高 于规定的于规定的VOLmax。而且也不会在电源和地之。而且也不会在电源和地之 间形成低阻通路。间形成低阻通路。 集电极开路门集电极开路门(OC门门) 集电极负载电阻集电极负载电阻RL的选择的选择 若若m个个OC与非门的输出都为高电平直接并联,则与非门的输出都为高电平直接并联,则 线与结果为高电平,如图线与结果为高电平,如图2-17所示。所示。 为保证并联输出高电为保证并联输出高电 平不低于规定的平不低于规定的VOHmin 值,则要求值,则要求RL取值不取值不 能太大,才能保证能太大,才能保证

51、VCC-IRLRLVOHmin。 OC门门 个数个数 TTL与非门输入与非门输入 端的个数端的个数 OC门输出管截门输出管截 止时的漏电流止时的漏电流 负载门每个输入端负载门每个输入端 为高电平时的输入为高电平时的输入 漏电流漏电流 IRL=mIOH+pIIH VCC-(mIOH+pIIH)RLVOHmin RL最大值最大值RLmax为:为: IHOH OHminCC Lmax pImI VV R VCC-IRLRLVOHmin 集电极开路门集电极开路门(OC门门) 当当OC门线与输出为低电平时,从最不利情门线与输出为低电平时,从最不利情 况考虑,设只有一个况考虑,设只有一个OC门处于导通状态

52、,门处于导通状态, 而其它的而其它的OC门均截止,如图门均截止,如图2-18所示。所示。 RL不能太小,应保证不能太小,应保证 在所有的负载电流全部在所有的负载电流全部 流入唯一导通的流入唯一导通的OC门时,门时, 线与输出低电平仍能低线与输出低电平仍能低 于规定的于规定的VOLmax值,即值,即 VCC-IRLRLVOLmax。 OC门导通时的门导通时的 最大负载电流最大负载电流 TTL与非门输与非门输 入短路电流入短路电流 注注:无论一个门有:无论一个门有 几个输入端接在几个输入端接在VOL 上,上,IIS都是同样大。都是同样大。 IRL=IOL-nIIS VCC-IRLRLVOLmax VCC-(IOL-nIIS)RLVOLmax RL最小值最小值RLmin为:为: ISOL OLmaxCC Lmin nII VV R RLminRLRLm

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