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DZ169悬挂运动控制系统

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DZ169 悬挂 运动 控制系统
资源描述:
DZ169悬挂运动控制系统,DZ169,悬挂,运动,控制系统
内容简介:
介绍AT89C52功能特性概述:AT89C52是美国ATMEL公司生产的低电压,高性能CMOS 8位单片机,片内含8k bytes的可反复擦写的只读程序存储器(PEROM)和256 bytes的随机存取数据存储器(RAM),器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术生产,与标准MCS-51指令系统及8058产品引脚兼容,片内置通用8位中央处理器(CPU)和Flash存储单元,功能强大AT89C52单片机适合于许多较为复杂控制应用场合。AT89C52提供以下标准功能:8k字节Flash闪速存储器,256字节内部RAM,32个I/O口线,3个16位定时/计数器,一个6向量两级中断结构,一个全双工串行通信口,片内振荡器及时钟电路。同时,AT89C52可降至0Hz的静态逻辑操作,并支持两种软件可选的节电工作模式。空闲方式停止CPU的工作,但允许RAM,定时/计数器,串行通信口及中断系统继续工作。掉电方式保存RAM中的内容,但振荡器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一个硬件复位。引脚功能说明Vcc:电源电压GND:地P0口:P0口是一组8位漏极开路型双向I/O口,也即地址/数据总线复用口。作为输出口用时,每位能吸收电流的方式驱动8个TTL逻辑门电路,对端口P0写“1”时,可作为高阴抗输入端用。在访问外部数据存储器或程序存储器时,这组口线分时转换地址(低8位)和数据总线复用,在访问期间激活内部上拉电阻。在Flash编程时,P0口接收指令字节,而在程序校验时,输出指令字节,校验时,要求外接上拉电阻。P1口:P1是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口,P1的输出缓冲可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对端口写“1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作输入口。作输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(IIL)。与AT89C51不同之处是,P1.0和P1.1还可分别作为定时/计数器2的外部计数输入(P1.0/T2)和输入(P1.1/T2EX)。Flash编程和程序校验期间,P1接收低收入位地址。P2口:P2是一个带有内部上拉电阻的8位双向I/O口,P2的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对端口P2写“1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作输入口,作输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(IIL)。在访问外部程序存储器或16位地址的外部数据存储器(例如执行MOVXDPTR指令)时,P2口送出高8位地址数据。在访问8位地址的外部数据存储器(如执行MOVXRI指令)时,P2口输出锁存器的内容。Flash编程或校验时,P2亦接收高位地址和一些控制信号。P3口:P3口是一组带有内部上拉电阻的8位双向I/O口。P3口输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑电路。对P3口写入“1”时,它们被内部上拉电阻拉高并可作为输入端口。此时,被外部低的P3口将用上拉电阻输出电流(IIL)。P3口除了作为一般的I/O口线外,更重要的用途是它的第二功能,如下所示:P3.0 RXD(串行输入口)P3.1 TXD(串行输出口)P3.2 (外中断0)P3.3 (外中断1)P3.4 T0 (定时/计数器0)P3.5 T1 (定时/计数器1)P3.6 (外部数据存储器写选通)P3.7 (外部数据存储器读选通)此外,P3口还接收一些用于Flash闪速存储器编和程序校验的控制信号。RST:复位输入。当振荡器工作时,RST引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。ALE/:当访问外部程序存储器或数据存储器时,ALE(地址锁存允许)输出脉冲用于锁存地址的低8位字节。一般情况下,ALE仍以时钟振荡频率的1/6输出固定的脉冲信号。一般情况下,ALE仍以时钟振荡频率的1/6输出固定的脉冲信号,因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是:每当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE脉冲。对Flash存储器编程期间,该引脚还用于输入编程脉冲(PROG)。如有必要,可通过支特殊功能寄存器(SFR)区中的8EH单元的D0位置位,可禁止ALE操作。该位置位后,只有一条MOVX和MOVC指令才能将ALE激活。此外,该引脚会被微弱拉高,单片机执行外部程序时,应设置ALE禁止位无效。:程序储存允许()输出是外部程序存储器的读选通信号,当AT89C52由外部程序存储器取指令(或数据)时,每个机器周期两次有效,即输出两个脉冲。在此期间,当访问外部数据存储器,将跳过两次信号。/VPP:外部访问允许。欲使CPU公访问外部程序存储器(地址为0000H-FFFFH),端必须保持低电平(接地)。需注意的是:如果加密位LB1被编程,复位时内部会锁存EA端态。如EA端为高电平(接Vcc端),CPU则执行内部程序存储器中的指令。Flash存储器编程时,该引脚加上+12V的编程允许电源Vpp,当然这必须是该项器件是使用12V编程电压Vpp。XTAL1:振荡器反相放大器的及内部时钟发生器的输入端。XTAL2;振荡器反相放大器的输入出端。特殊功能寄存器:在AT89C52片内存储器中,80H-FFH共128个单无为特殊功能寄存器(SFR)。并非所有的地址都被定义,从80H-FFH共128个字节只有一部分被定义,还有相当一部分没有定义。对没有定义的单元读写将是无效的,读出的数值将不确定,而写入的数据也将丢失。不应将数据“1”写入未定义的单元,由于这些单元在将来的产品中可能赋予新的功能,在这种情况下,复位后这些单元数值总是“0”。AT89C52除了与AT89C51所有的定时/计数器0和定时/计数器1外,还增加了一个定时/计数器2。定时/计数器2的控制和状态位位于T2CON,T2MOD,寄存器对(RCA02H、RCAP2L)是定时器2在16位捕获方式或16位自动重装载方式下的捕获/自动重装载寄存器。中断寄存器:AT89C52有6个中断源,2个中断优先级,IE寄存器控制各中断位,IP寄存器中6个中断源的每一个可定为2个优先级。数据存储器:AT89C52有256个字节的内部RAM,80H-FFH高128个字节与特殊功能寄存器(SFR)地址是重叠的,也就是高128字节的RAM和特殊功能寄存器的地址是相同的,但物理上它们是分开的。当一条指令访问7FH以上的内部地址单元时,指令中使用的寻址方式是不同的,也即寻址方式块是访问高128字节RAM还是访问特殊功能寄存器。如果指令是直接寻址方式则为访问特殊功能寄存器。例如,下面的直接寻址指令访问特殊功能寄存器0A0H(即P2口)地址单无。MOV 0A0H,#data间接寻址指令访问高128字节RAM,例如,下面的间接寻址指令中,R0的内容为0A0H,则访问数据字节地址为0A0H,而不是P2口(0A0H)。MOVR0,#data堆栈操作也是间接寻址方式,所以,高128位数据RAM亦作为堆栈区使用。定时器0和定时器1:AT89C52的定时器0和定时器1的工作方式与AT89C51相同。定时器2:定时器2是一个16位定时/计数器。它既或当定时器使用,也可作为外部事件计数器使用,其工作方式由特殊功能寄存器T2CON的C/T2位选择。定时器2有三种工作方式:捕获方式,自动重装载(向上或向下计数)方式和波物率发生器方式,工作方式由T2CON的控制位来选择。定时器2由两个8位寄存器TH2和TL2组成,在定时器工作方式中,每个机器周期TL2寄存器的值加1,由于一个机器周期由12个振荡时钟构成,因此,计数速率为振荡频率1/12。在计数工作方式时,当T2引脚上外部输入信号产生由1至0的下降沿时,寄存器的值加工能力,在这种工作方式下,每个机器周期的5SP2期间,对外部输入进行采样。若在第一个机器周期中采到的值为了,而在下一个机器周期中采到的值为0,则在紧跟着的下一个周期的S3P1期间寄存器加工能力。由于识别
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