内存芯片容量表

1、KM开头三星颗粒一、三星颗粒一般以、内存颗粒类型： 4表示DDR SDRAM三、芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位四、工作电压： H=DDR SDRAM3.3V、L=DDR SDRAM2.5V五、内存颗粒位数：4: 4Mbit、8: 8 Mbit、16: 16 Mbit、32: 32 Mbit、64: 64 Mbit、12: 128 Mbit、25: 256 Mbit、51: 512 Mbit六、芯片容量及刷新速度：0: 64m/4K 15.6s、1 : 32m/2K 15.6s、2 : 128m/8K 15.6s、3 : 64m/8K 7.8s、4:

2、 128m/16K7.8 ix s七、内存 BANK 3: 4排、4: 8排八、电压：iS合接口 LVTTL+SSTL3(3.3V)、1 : SSTL2(2.5V)九、封装类型： T: 66 针 TSOP II、B: BGA C:微型 BGA(CSP)十、工作频率：0: 10ns、100MHz(200Mbps); 8: 8ns、125MHz(250Mbps); Z: 7.5ns、133MHz(266Mbps); Y: 6.7ns、150MHz(300Mbps);6: 6ns、166MHz(333Mbps); 5: 5ns、200MHz(400Mbps)HYUNDAI、HY是现代颗粒的标志.、内

3、存颗粒类型：(57=SDRAM 5D=DDR SDRAM)三、工作电压：空白 =5V, V=3.3V,U=2.5V四、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref; 64=64Mbits、8K Ref; 65=64Mbits、4K Ref=128Mbits、8K Ref; 129=128Mbits、4K Ref; 256=256Mbits、16K Ref; 257=256Mbits、8K Ref五、芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位六、内存BANK 1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的募次关系七、电压代表：1:SSTL_3、2:

4、SSTL_2八、芯片版本：可以为空白或 A B、C、D等字母，越往后代表内核越新九、功耗：L=低功耗芯片，空白 噌通芯片十、封装类型：JC=400mil SOJ , TC=400mil TSOP- U , TD=13mm TSOP- , T TG=16mm TSOP-一、工作频率：55 :183MH25 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ4 :250MH233 :300NHZ、L :DDR200、H:DDR266BK :DDR266AMicron (美光)MTXXxx nXXXXXXXXXX一三B-E大七AK十MT是代表Micron的产品.、内存颗粒类型：48=SDRA

5、M 4=DRAM 46=DDR SDRAM6=Rambus三、工作电压： C=5V Vcc CMOS LC=3.3V Vdd CMOS, V=2.5V Vdd CMOS四、设备号码五、内存容量：无字母=Bits , K=Kilobits(KB) , M=Megabits (MB , G=Gigabits (GB)六、芯片输出的数据位宽：4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位七、代表封装：TG=TSOP封装，DJ=SOJ DW宽型 SOJ, F=54 针 4 行 FBGA FB=60 针 8*16 FBGA, FC=60针 11*13 FBGA, FP= 反转芯片封装，FQ支转芯片

6、密封，F1=62针2行FBGA F2=84针2行FBGA LF=90针FBGA LG=TQFP R1=62针2行微型FBGA R2=84针2行微型 FBGA U=g BGA八、内存颗粒速度：分为四大类 DRAM SD RAMBUS DDR1、DRAM-4=40ns , -5=50ns , -6=60ns , -7=70ns2、 SDRAM x32 DDR SDRAM(时钟频率 CL3)-15=66MHz, -12=83MHz, -10+=100MHz, -8x+=125MHz, -75+=133MHz, -7x+=143MHz, - 65=150MHz, -6=167MHz, -55=183M

7、Hz, -5=200MHz3、 DDR SDRAMx4, x8, x16)时钟频率 CL=2.5-8+=125MHz, -75+=133MHz, -7+=143MHz4、 Rambus （时钟频率）-4D=400MHz 40ns, -4C=400MHz 45ns, -4B=400MHz 50ns , -3C=356MHz 45ns, -3B=356MHz 50ns, -3M=300MHz 53ns+的含义-8E 支持 PC66和 PC100 (CL2 和 CL3)- 75 支持 PC66 PC100 (CL2和 CL3)、PC133 ( CL=3)- 7 支持 PC66 PC100 (CL2

8、和 CL3)、PC133 ( CL2和 CL3)- 7E 支持 PC66 PC100 ( CL2和 CL3)、PC133 ( CL2饼口 CL3)- 8 支持 PC20O ( CL2)- 75 支持 PC200 (CL2)和 PC266B (CL=2.5)- 7 支持 PC200 (CL2) , PC266B ( CL2) , PC266A (CL=2.5)九、功耗：Lh氐耗，blank=普通WINBOND 华邦)wmt3DCsot1二五、WI示内存颗粒是 Winbond生产.、内存类型：98为SDRAM 94为DDR RAM三、内存的版本号：常见的版本号为B和H;四、封装类型，H为TSOP寸

9、装，B为BGA封装，D为LQFP封装五、工作日t钟频率：0 : 10ns、100MHz; 8: 8ns、125MHz; Z: 7.5ns、133MH4 Y: 6.7ns、150MHz; 6: 6ns、166MHz 5: 5ns、200MHz但现今有一部分内存条在内存颗粒表面覆盖上了散热金属片，那这就看不到颗粒上的编码。这时候我们可以用一款内存检测软件来识别，他就是最近走红的AIDA。通过它我们可以轻易地看到内存的真面目。最后，提醒那些刚入门DIYer们，内存品牌并不是代表内存颗粒的品牌，这一点要十分注意。不是说散装HY内存颗粒的内存条就是HY原厂内存，那些往往就是一些散户加工而成，质量总的来说

10、没什么保障。同样的，作为世界第一大内存生产厂商的Kingston ,其使用的内存颗粒确是五花八门，既有Kingston自己颗粒的产品，更多的则是现代（Hynix ）、华邦（Winbond）、三星（Samsung）、南亚（Nanya）、英飞7菱（Infinoen ）、美光（Micron ）等等众多厂商的内存颗粒。JS的骗人手法天天在变，所以我们也要用知识武装自己，买之前一定要先了解清楚，务必打赢每一次DIY商战。对于内存的超频，很多网友都反映 HY（现代）的D43颗粒很好超，综合网上白文章，D43内存颗粒在编号上分为 AT-D43、BT-D43、CT-D43 和DT-D43。其中又以BT-D43和DT-D43最为常见，口碑也是最好。标称 DDR40硼格的DT-D43颗粒可以超到 DDR50睐使用，D43颗粒对 电压却并不是特别敏感，加到 2.8V以上基本没有任何意义。一般来说 D43颗粒在DDR400勺参数可以最优化为 2-3-3-5 ,超频到DDR500 后的参数为3-3-3-8。D5则是一款标准的 DDR500®粒，和D43颗粒一样，其中以 CT-D5和DT-D5最为常见。金士顿 ValueRAM DDRg存编号： ValueRAM KVR