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文档简介

1、1会计学半导体工艺技术半导体工艺技术设计设计芯片检测芯片检测单晶、外单晶、外延材料延材料掩膜版掩膜版芯片制芯片制造过程造过程封装封装测试测试 物理原理物理原理制造业制造业芯片制造过程芯片制造过程由氧化、淀积、离子注入或蒸由氧化、淀积、离子注入或蒸发形成新的薄膜或膜层发形成新的薄膜或膜层曝曝 光光刻刻 蚀蚀硅片硅片测试和封装测试和封装用掩膜版用掩膜版重复重复20-30次次 50 m100 m头发丝粗细头发丝粗细 30 m1 m 1 m(晶体管的大小晶体管的大小)3050 m(皮肤细胞的大小皮肤细胞的大小)90年代生产的集成电路中晶体管大小与人年代生产的集成电路中晶体管大小与人类头发丝粗细、皮肤细

2、胞大小的比较类头发丝粗细、皮肤细胞大小的比较N沟道沟道MOS晶体管晶体管CMOS集成电路集成电路(互补型互补型MOS集成电路集成电路)：目前应用最为广泛的一种集成电路，约占目前应用最为广泛的一种集成电路，约占集成电路总数的集成电路总数的95%以上。以上。正胶：曝光正胶：曝光后可溶后可溶负胶：曝光负胶：曝光后不可溶后不可溶三种光刻方式三种光刻方式掩膜版掩膜版光学系统光学系统光源光源光刻胶光刻胶硅片硅片接触式接近式投影式杂质横向扩散示意图杂质横向扩散示意图离子注入系统的原理示意图离子注入系统的原理示意图离子注入到无定形靶中的高斯分布情况离子注入到无定形靶中的高斯分布情况进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示

3、意图进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图APCVD反应器的结构示意图反应器的结构示意图 LPCVD反应器的结构示意图反应器的结构示意图平行板型平行板型PECVD反应器的结构示意图反应器的结构示意图蒸蒸发发原原理理图图热氧化生成SiO2；第一次光刻：打开N阱离子注入窗口；进行N阱的离子注入与二次扩散；刻蚀氧化物；1热氧化生成SiO2缓冲层；CVD淀积Si3N4；第二次光刻：定义有效沟道区域；氮化硅刻蚀；氧化层刻蚀；2热氧化生成场氧；氮化硅刻蚀；缓冲层刻蚀；清洗表面；阈值电压调整的离子注入；栅氧生长；3CVD淀积N+多晶硅栅；第三次光刻：形成多晶硅图形，定义栅极；4第四次光刻：打开N+区的离子注入窗口；磷注入；5光刻胶掩蔽条；第五次光刻：P+区离子注入；5光刻胶掩蔽条；CVD淀积SiO2；离子注入退火；6第六次光刻：接触孔刻蚀；7金属Al淀积；第七次光刻：生成金属化图形；8l形成多晶硅栅l 生长栅氧化层l 淀积多晶硅l 光刻多晶硅栅l 刻蚀多晶硅栅l形成N管源漏区l光刻，利用光刻胶将PMOS区保护起来l离子注入磷或砷，形成N管源漏区l形成P管源漏区l光刻，利用光刻胶将NMOS区保护起来l离子注入硼，形成P管源漏区AA双极集成电路工艺双极集成电路工艺PN结隔离工艺结隔离工艺绝缘绝缘介质介质隔离隔离工艺工艺LOCOS隔离工艺隔离工艺LOCOS隔离工艺隔离工艺沟槽

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