(完整版)模拟电子技术基础胡宴如自测题答案分解

1、模拟电子技术胡宴如（第 3 版）自测题第 1 章半导体二极管及其基本应用1. 1 填空题1 半导体中有 空穴 和自由电子 两种载流子参与导电。2本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数 载流子是 电子 ；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数 载流子是空穴 。3. PN 结在 正偏 时导通反偏 时截止，这种特性称为_单向导电性。4当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 增大 ，正向压降将 减小。5整流电路是利用二极管的单向导电一性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。6发光二极管是一种通以正向电流就会 发光 的二极管。

2、7光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号，它工作时需加 反向 偏置 电压。8.测得某二极管的正向电流为 1 mA，正向压降为 0.65 V,该二极管的直流 电阻等于 650Q,交流电阻等于 26Qo1. 2 单选题1. 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（C ）oA .温度B .掺杂工艺C.掺杂浓度D .晶格缺陷2. PN 结形成后，空间电荷区由（D ）构成。A .价电子B .自由电子C.空穴D .杂质离子3.硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（B）。A .减小B .基本不变C.增大4. 流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将（C ）oA .增大B .基本不变C.减小5.

3、 变容二极管在电路中主要用作（D ）o、A .整流B .稳压C.发光D .可变电容器1. 3 是非题1.在 N 型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。 （v）2.因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（X）3. 二极管在工作电流大于最大整流电流 IF时会损坏。（X）4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。（X）1. 4 分析计算题1.电路如图 T1 . 1 所示，设二极管的导通电压 UD（on）=0.7V，试写出各电路 的输出电压 Uo 值。X解：(a)二极管正向导通，所以输出电压 Uo= (6 0.7)V= 5.3 V。(b) 令二极管断开，可得

4、 UP=6 V、UN=10 V, UPVUN,所以二极管反向 偏压而截止，Uo= 10 V。(c) 令 Vi、V2均断开，UN1= 0V、UN2= 6V、UP=10V, UPUNiUp UN2，故 Vi优先导通后，V2截止，所以输出电压 U0= 0.7 V。2.电路如图 T1. 2 所示，二极管具有理想特性，已知ui = (sin t)V，试对应画出 Ui、U0、iD的波形。解：输入电压 Ui为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零,即 U0= 0,而流过二极管的电流 iD= Ui/R,为半波正弦波， 其最大值 lDm= 10 V /1 kQ=10mA;当 Ui为负半周时，二极管反偏

5、截止，iD= 0, u0= ui为半波正弦 波。因此可画出电压 U0电流 iD的波形如图(b)所示。2kQ島Q.5kQT1.36 V图TL ITL2及其匸作波形3.稳压二极管电路如图 T1. 3 所示，已知 UZ= 5 V, IZ= 5 mA，电压表中 流过的电流忽略不计。试求当开关 s 断开和闭合时，电压表和电流表 3、读 数分别为多大？解：当开关 S 断开，R2支路不通，|A2= 0,此时 R1与稳压二极管 V 相串联， 因此由图可得可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为 5 V。 当开关 S 闭合，令稳压二极管开路，可求得 R2两端压降为而电压表的读数，即 R2两端压降为 3.6

6、 V。第 2 章半导体三极管及其基本应用2. 1 填空题1 晶体管从结构上可以分成PNP 和 NPN 一两种类型，它工作时有2 种载流子参与导电。2 晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结 反偏_。3.晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、 截止 _。4.当温度升高时，晶体管的参数B增大，ICBO增大，导通电压 UBE减小_。5. 某晶体管工作在放大区，如果基极电流从 10 叭变化到 20 小时，集电极电流从 1mA 变为 1.99 mA，则交流电流放大系数B约为99。6. 某晶体管的极限参数 IcM=20mA、PcM=100mW、U（BR）CEO=30V，因此

7、， 当工作电压 UCE=10V 时，工作电流 IC不得超过 10 mA;当工作电压 UCE=1V 时，Ic不得超过 20 mA ;当工作电流 IC=2 mA 时，UCE不得超过 30 V。7.场效应管从结构上可分为两大类：结型 、 MOS ;根据导电沟道的不同又可分为 N 沟道 、P 沟道 两类；对于 MOSFET，根据栅源电 压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型 、 增强型_。8.UGS（off）表示 夹断 电压,IDSS表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型 场效应管的参数。2. 2 单选题1.某 NPN 型管电路中，测得 UBE=0 V,UBC= 5 V，则可知管子工作于（C

8、）状态。A.放大 B .饱和 C.截止 D .不能确定IA1 ZRi(18 5)V2K6.5mA IZR2R2Ui618 36-故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态,联电路，电流表 A1、A2的读数相同，即因此，R1、R2构成串,U1IA1IA2R，1R218V(20.5)K7.2mA2根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6 为（B ）。A NPN 型低频小功率硅晶体管B NPN 型高频小功率硅晶体管C. PNP 型低频小功率锗晶体管D . NPN 型低频大功率硅晶体管3输入（C ）时，可利用 H 参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。A.正弦小信号 B 低频大信号C 低频

9、小信号D 高频小信号4.（ D ）具有不同的低频小信号电路模型。A . NPN 型管和 PNP 型管B 增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N 沟道场效应管和 P 沟道场效应管D晶体管和场效应管5当 UGS=0 时，（B ）管不可能工作在恒流区。A . JFETB .增强型 MOS 管 C.耗尽型 MOS 管 D . NMOS 管6 .下列场效应管中，无原始导电沟道的为（B ）。A . N 沟道 JFETB.增强 AI PMOS 管C .耗尽型 NMOS 管 D .耗尽型 PMOS 管2. 3 是非题1 .可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。（x）2 . MOSFET 具有输入阻抗非常

10、高、噪声低、热稳定性好等优点。（V）3 . EMOS 管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。（x）4 .结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的 PN 结反偏。（V）5.场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。（V）2 . 4 分析计算题1 .图 T2 . 1 所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。3V解：）UBE=UB UE= 0.7 0= 0.7V，发射结正偏； UBC=UBUC=0.73= 2.3 V,集电结反偏 因此晶体管工作在放大状态。（b）UBE=UB UE= 23 = 1V,发射结反偏； UBC=UBUC=2 5=3 V,集电结反偏 因此晶体管工作在截止状态。（c）UB

11、E=UBUE= 32.3= 0.7V，发射结正偏； UBC=UBUC=3 2.6=0.4V，集电结正偏 因此晶体管工作在饱和状态。0 V3 V3)(d)图T2. 1（d）该管为 PNP 型晶体管UEB=UE UB= （2）（ 2.7）= 0.7V，发射结正偏;UCB=UCUB=(5) (2.7)= 2.3V，集电结反偏 因此晶体管工作在放大状态。图T2.2解：(a)方法一：,(6 0.7)V ccAIB0.053mA100K设晶体管工作在放大状态，则有IC=BI=100X0.053 = 5.3mAUCE=125.3X3= 3.9 VIBS，所以晶体管处于饱和状态，因而有IB= 0.053 mA

12、、IC=ICS=3.9 mA、UCE=UcE(sat)= 0.3 V(b) IB(60.0084mA 8.4 A510K设晶体管工作在放大状态，则有IC=100X0.008 4 mA=0.84 mAUCE=5 V0.84X3=2.48 V UcE(sat)1CSVCCUCE(sat)RC12 0.313.9因此可得晶体管的方法二：(6 0.7)V100KIB= 0.053 mA、IC= ICS=3.9 mA、UCE=UcE(sat)= 0.3 V0.053mA1CSVCCUCE(sat)RC33.9mA11BS1CS2图 T2. 2 所示电路中，晶体管均为硅管，B=100,试判断各晶体管工 作

13、状态，并求各管的 IB、|c、UCE。(a)(b)(c)说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果正确。(C)基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则lB=0, lc= 0，UCE=5 V3放大电路如图 T2. 3 所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零， 试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。图T2. 3解：(a)将 Ci、C2断开，即得直流通路如下图(a)所示；将 Ci、C2短路、直流 电源对地短接，即得交流通路如下图(b)所示；将晶体管用小信号电路模型代人， 即得放大电路小信号等效电路如下图(c)所示。灿( (C3)的査匱通岛与交锻尊效电路(b

14、)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图(a)、(b)、(c)所示。4场效应管的符号如图 T2. 4 所示，试指出各场效应管的类型，并定性画 出各BV2代*巧管的转移特性曲线。图T2.4解： (a)为P沟道耗尽型MOS管， 它的转移特性曲线如下图(a)所示， 其特点 是 UGS=0 时，iD= IDSS(b) 为 N 沟道增强型 MOS 管，它的转移特性曲线如下图(b)所示，其特 点是UGS= 0 时，iD= 0(c) 为 N 沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图(c)所示，其特点 是UGS= 0 时，iD= IDSS，且 UGSU02D.U0lVU02图 T

15、3, i5 .选用差分电路的原因是（A ）oA .减小温漂B .提高输入电阻 C.减小失真 D .稳定放大倍数6 .差分放大电路中适当增大公共发射极电阻，将会使电路的（D ）增大。A .差模电压增益 D .共模电压增益 C .差模输入电阻 D .共模抑制比7. 功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高（B ）oA .输出功率 B .放大器效率C.放大倍数D .负载能力8. 由两管组成的复合管电路如图 T3 . 2 所示，其中等效为 PNP 型的复合管 是（A ）。圏T3.29. OTL 电路负载电阻 RL= 10Q,电源电压 Vcc=10 V，略去晶体管的饱和压 降，其最大不失真输出功率为（B

16、 ）W。A. 10B，5C. 2.5D . 1.2510. 集成运算放大器构成的放大电路如图 T3. 3 所示，已知集成运算放大器 最大输出电压 Uom = 10 V，ui = 5 V，则该放大电路的输出电压为（C ）V。3. 3 是非题1. 放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无 关。（X）2. 共发射极放大电路由于输出电压与输人电压反相，输入电阻不是很大而 且输出电阻又较大，故很少应用。，（X）3. 单端输出的具有电流源的差分放大电路，主要靠电流源的恒流特性来抑 制温漂。（V）4. 乙类互补对称功率放大电路输出功率越大， 功率管的损耗也越大， 所以 放大器效率也越小

17、。（X）5.OCL 电路中输入信号越大，交越失真也越大。（X）6 .直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度影响。（V）3. 4 分析计算题1.放大电路如图 T3.4 所示，已知晶体管的 UBEQ= 0.7 V,99, rbb-200Q，各电容在工作频率上的容抗可略去。试：（1）求静态工作点 ICQ、UCEQ；画出放大电路的交流通路和微变等效电路，求出rbe；（3）求电压放大倍数 Au = uo/ui及输入电阻 Ri、输出电阻 R0。A. -5C. 5D. 10AQBDG+CRE2990陷OO卄RB1RB2RB2121 (1.71CQUBQ1BQUBQ1EQ(+12V)UBkf

18、l图T3.4解：求 ICQ、UCEQ、IBQ电路构成分压式电流负反馈偏置电路，所以1mAUBEQ2.79 0.7画出放大电路的交流通路和微变等效电路，分别如图(a)、(b)所示。交族通路和就匪予敷电rberbb(1)26mV200(199)互2.8KIEQ112V2.79V1033UCEQVCC1CQ(RCRE)0.01mA10 A2)5.3VICQ1mA求 Au, Ri、Ro由图(b)可得AUu0UiRc/RL99 A”5.12.887rbeRiRB1/ RB2/ rbe33102.8 2KRoRC4.7K2.差分放大电路如图 T3. 5 所示，已知 Io= 2 mA。试：(1)求放大电路的

19、静态工作点 ICQ2、UCQ2；(2)当 ui= 10 mV 时，ici= 1.2 mA，求 V2管集电极电位 uc2、输出电压 uo以及电压放大倍数 Au = uo/ uio解：求 ICQ2和 UCQ212由图 3. 42 可知：ICQ21mA22求 uC2、u0及 Au根据差分放大电路的传输特性可知当 id= 1.2mA 时，ic2= |0 id = 21.2 = 0.8 mA 所以 V2管集电极电位为uc2=Vcc 一 iC2Rc=6 V 一 0.8x3=3.6 V放大电路的输出电压 u0为u0= uc2一 UCQ2=3.6 3= 0.6 V所以，电压放大倍数为Au0.6V60ui10m

20、V3.放大电路如图 T3. 6 所示。试：说明二极管 V3、V4的作用；说明晶体管 V1、V2工作在什么状态？(3)当 Uim= 4 V 时，求出输出功率 P0的大小。UCQ2VCCICQ2RC6 1 3 3V解：(1)V3、V4正向导通，其压降提供给功率管 VI、V2作为发射结小正向偏 置电压，用以克服交越失真。因 V1、V2管发射结加有小正向偏置电压，所以它们工作在甲乙类状态。(3)因 Uom Uim= 4 V,所以输出功率为Pom出空丛空 0.08WRL1004.集成运算放大器构成的反相和同相放大电路如图T3. 7 所示，试分别求出它们的电压放大倍数 Au = u。/ui及输入电阻 Ri

21、。(a)(b)图73. 7解：图(a)为反相放大电路，所以A60230图(b)为同相放大电路，所以uouPuo4040代一0匕一0(1) 2Vu u uP20 4020Ri=20+40=60 KQ第 4 章负反馈放大电路4. 1 填空题1.将反馈引入放大电路后，若使净输入减小，则引人的是负 反馈，若 使净输入增加，则引入的是 正 反馈。2.反馈信号只含有直流量的，称为 直流 反馈，反馈信号只含有交流量 的，称为交流_反馈。3. 反馈放大电路中，若反馈信号取自输出电压，则说明电路引入的是_电压 反馈，若反馈信号取自输出电流，则是 电流 反馈；在输入端， 反馈信号与输入信号以电压方式进行比较， 则

22、是 串联 反馈，反馈信号与输入 信号以电流方式进行比较，则是 并联 反馈。Ri=30KQ60 kQ40 kQ4.负反馈虽然使放大电路的增益 减小，但能使增益的稳定提高,通频带展宽，非线性失真减小。5. 电压负反馈能稳定 一输出电压 ，使输出电阻一减小；电流负反馈能稳定输出电流，使输出电阻增大 。6放大电路中为了提高输入电阻应引入串联 反馈，为了降低输入电阻应引入并联反馈。7. 负反馈放大电路中，其开环电压放大倍数 Au=90，电压反馈系数 Fu=0.1,则反馈深度为 10 ，闭环放大倍数为 9。8.深度负反馈放大电路有：Xi Xf，即 Xid 0。4. 2 单选题1. 放大电路中有反馈的含义是

23、（C ）。A .输出与输入之间有信号通路B .输出与输入信号成非线性关系C.电路中存在反向传输的信号通路 D .除放大电路以外还有信号通路2. 直流负反馈在放大电路中的主要作用是（D ）。A .提高输入电阻B .降低输人电阻C.提高增益D .稳定静态工作点3. 并联负反馈能使放大电路的（B ）。A .输人电阻增大B .输入电阻减小C.输入电阻不变D .输出电阻减小4. 在放大电路中，如果希望输出电压受负载影响很小，同时对信号源的影 响也要小，贝嚅引入负反馈的类型为（A ）。A .电压串联B .电压并联 C.电流串联D .电流并联5. 负反馈放大电路中，A 为开环放大倍数，F 为反馈系数，则在深

24、度负反馈 条件下，放大电路的闭环放大倍数且，近似为（B ）。A . F B . 1/FC. A D . 1+AF4. 3 是非题1. 直流负反馈只存在于直接耦合电路中，交流负反馈只存在于阻容耦合电 路中。（x）2.若放大电路的 A 0，则接入的反馈一定是正反馈，若 AV0，则接入的 反馈一定是负反馈。（x）3. 共集电极放大电路，由于且 Au0 时，A比较 器输出高电平，uo2= Uz = 6 V;当 uoiO 时，A比较器输出低电平，uo2= Uz =6 V。U02的波形如图(b)所示。uoi的振荡频率 fo为第 7 章直流稳压电源7.1 填空题1 直流稳压电源一般由变压器 、 整流电路 、

25、 滤波电路 和稳压电路组成。2桥式整流电容滤波电路的交流输入电压有效值为U2，电路参数选择合12 R3C11216K0.01 F1592HzUo2U2，当滤波电容开路时，Uo0.9 U2适，则该整流滤波电路的输出电压Uo 1.2 U2当负载电阻开路时，3 串联型晶体管线性稳压电路主要由取样电路 、基准电压、比较放大器 和 调整管等四部分组成。4 线性集成稳压器调整管工作在放大 状态，而开关稳压电源工作在开关 状态，所以它的效率高 。7.2 单选题1 将交流电变成单向脉动直流电的电路称为（B ）电路。A .变压 B .整流 C.滤波 D .稳压2.桥式整流电容滤波电路，输入交流电压的有效值为10V，用万用表测得直流输出电压为 9V，则说明电路中（A ）。-A .滤波电容开路B .滤波电容短路C.负载开路D .负载短路3.下列型号中是线性正电源可调输出集成稳压器是（C ）。A . CW7812 B. CW7905C. CW317 D. C