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1、模 拟 电 子 技 术胡宴如(第3版)自测题第1章 半导体二极管及其基本应用11 填空题1半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。2本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N 型半导体,其多数载流子是 电子 ;若掺入微量的三价元素,则形成 P 型半导体,其多数载流子是 空穴 。3PN结在 正偏 时导通 反偏 时截止,这种特性称为 单向导电 性。4当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 增大 ,正向压降将 减小 。5整流电路是利用二极管的 单向导电 性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特性实现稳压的。6发光二极管是一种通以 正向 电流就会 发光 的

2、二极管。7光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号,它工作时需加 反向 偏置电压。8测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为0.65 V,该二极管的直流电阻等于 650 ,交流电阻等于 26 。12 单选题1杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A温度 B掺杂工艺 C掺杂浓度 D晶格缺陷2PN结形成后,空间电荷区由( D )构成。 A价电子 B自由电子 C空穴 D杂质离子3硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。 A减小 B基本不变 C增大4流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。 A增大 B基本不变 C减小5变容二极管在电路中主要用作( D

3、)。 、 A整流 B稳压 C发光 D可变电容器13 是非题1在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( )2因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) 3二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。( × )4只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 14 分析计算题1电路如图T11所示,设二极管的导通电压UD(on)=0.7V,试写出各电路的输出电压Uo值。解:(a)二极管正向导通,所以输出电压U0(60.7)V5.3 V。 (b)令二极管断开,可得UP6 V、UN10 V,UP<UN,所以二极管反向偏

4、压而截止,U010 V。 (c)令V1、V2均断开,UN10V、UN26V、UP10V,UPUN1>UpUN2,故V1优先导通后,V2截止,所以输出电压U00.7 V。 2电路如图T12所示,二极管具有理想特性,已知ui(sint)V,试对应画出ui、u0、iD的波形。解:输入电压ui为正半周时,二极管正偏导通,所以二极管两端压降为零,即u00,而流过二极管的电流iDuiR,为半波正弦波,其最大值IDm10 V1 k10 mA;当ui为负半周时,二极管反偏截止,iD0,u0ui为半波正弦波。因此可画出电压u0电流iD的波形如图(b)所示。3稳压二极管电路如图T13所示,已知UZ5 V,I

5、Z5 mA,电压表中流过的电流忽略不计。试求当开关s 断开和闭合时,电压表和电流表、读数分别为多大?解:当开关S断开,R2支路不通,IA20,此时R1与稳压二极管V相串联,因此由图可得可见稳定二极管处于稳压状态,所以电压表的读数为5 V。当开关S闭合,令稳压二极管开路,可求得R2两端压降为 故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态,因此,R1、R2构成串联电路,电流表A1、A2的读数相同,即而电压表的读数,即R2两端压降为3.6 V。第2章 半导体三极管及其基本应用21 填空题1晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型,它工作时有 2 种载流子参与导电。 2晶体管具有电流放大作

6、用的外部条件是发射结 正偏 ,集电结 反偏 。 3晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分别是 放大 、 饱和 、 截止 。 4当温度升高时,晶体管的参数 增大 ,ICBO 增大 ,导通电压UBE 减小 。 5某晶体管工作在放大区,如果基极电流从10A变化到20A时,集电极电流从1mA变为1.99 mA,则交流电流放大系数约为 99 。 6某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V,因此,当工作电压UCE=10V时,工作电流IC不得超过 10 mA;当工作电压UCE=1V时,IC不得超过 20 mA;当工作电流IC=2 mA时,UCE不得超过 30 V。

7、7场效应管从结构上可分为两大类: 结型 、 MOS ;根据导电沟道的不同又可分为 N沟道 、 P沟道 两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种: 耗尽型 、 增强型 。 8UGS(off)表示 夹断 电压,IDSS表示 饱和漏极 电流,它们是 耗尽 型场效应管的参数。 22 单选题 1某NPN型管电路中,测得UBE=0 V,UBC= 5 V,则可知管子工作于( C )状态。 A放大 B饱和 C截止 D不能确定2根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为( B )。 ANPN型低频小功率硅晶体管 BNPN型高频小功率硅晶体管 CPNP型低频小功率锗晶体管 D

8、NPN型低频大功率硅晶体管3输入( C )时,可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。 A正弦小信号 B低频大信号 C低频小信号 D高频小信号4( D )具有不同的低频小信号电路模型。 ANPN型管和PNP型管 B增强型场效应管和耗尽型场效应管 CN沟道场效应管和P沟道场效应管 D晶体管和场效应管5当UGS0时,( B )管不可能工作在恒流区。 AJFET B增强型MOS管 C耗尽型MOS管 DNMOS管6下列场效应管中,无原始导电沟道的为( B )。 AN沟道JFET B增强AI PMOS管 C耗尽型NMOS管 D耗尽型PMOS管23 是非题 1可以采用小信号电路模型进行静态工作点

9、的分析。( × ) 2MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。( ) 3EMOS管存在导电沟道时,栅源之间的电压必定大于零。( × ) 4结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。( ) 5场效应管用于放大电路时,应工作于饱和区。( )24 分析计算题 1图T21所示电路中的晶体管为硅管,试判断其工作状态。解:(a)UBE=UBUE0.700.7V,发射结正偏;UBC=UBUC0.732.3 V,集电结反偏 因此晶体管工作在放大状态。 (b) UBE=UBUE231V,发射结反偏;UBC=UBUC253 V,集电结反偏 因此晶体管工作在截止状态。

10、(c) UBE=UBUE32.30.7V,发射结正偏;UBC=UBUC32.60.4V,集电结正偏 因此晶体管工作在饱和状态。(d)该管为PNP型晶体管UEB=UEUB(2)(2.7)0.7V,发射结正偏;UCB=UCUB(5)(2.7)2.3V,集电结反偏 因此晶体管工作在放大状态。 2图T22所示电路中,晶体管均为硅管,=100,试判断各晶体管工作状态,并求各管的IB、IC、UCE。解:(a)方法一: 设晶体管工作在放大状态,则有 ICIB100×0.0535.3mAUCE125.3×33.9 V<0 说明上述假设不成立,晶体管已工作在饱和区。令晶体管的饱和压降U

11、CE(Sat)0.3 V,则集电极电流为 因此可得晶体管的IB0.053 mA、ICICS3.9 mA、UCEUCE(Sat)0.3 V方法二:因为IB>IBS,所以晶体管处于饱和状态,因而有IB0.053 mA、ICICS3.9 mA、UCEUCE(Sat)0.3 V (b) 设晶体管工作在放大状态,则有 IC100×0.008 4 mA0.84 mA UCE5 V0.84×32.48 V> UCE(Sat)说明晶体管工作在放大状态,故上述假设成立,计算结果正确。 (c)基极偏压为负电压,发射结和集电结均反偏,所以晶体管截止,则IB0,IC0,UCE5 V 3

12、放大电路如图T23所示,试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零,试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。解:(a)将C1、C2断开,即得直流通路如下图(a)所示;将C1、C2短路、直流电源对地短接,即得交流通路如下图(b)所示;将晶体管用小信号电路模型代人,即得放大电路小信号等效电路如下图(c)所示。 (b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图 (a)、(b)、(c)所示。4场效应管的符号如图T24所示,试指出各场效应管的类型,并定性画出各管的转移特性曲线。解:(a)为P沟道耗尽型MOS管,它的转移特性曲线如下图(a)所示,其特点是uGS0时,iDID

13、SS (b)为N沟道增强型MOS管,它的转移特性曲线如下图(b)所示,其特点是uGS0时, iD0 (c)为N沟道结型场效应管,它的转移特性曲线如下图(c)所示,其特点是uGS0时,iDIDSS,且uGS0第3章 放大电路基础31 填空题1放大电路的输入电压Ui10 mV,输出电压U01 V,该放大电路的电压放大倍数为 100 ,电压增益为 40 dB。2放大电路的输入电阻越大,放大电路向信号源索取的电流就越 小 ,输入电压也就越 大 ;输出电阻越小,负载对输出电压的影响就越 小 ,放大电路的负载能力就越 强 。3共集电极放大电路的输出电压与输入电压 同 相,电压放大倍数近似为 1 ,输入电阻

14、 大 ,输出电阻 小 。4差分放大电路的输入电压Ui11 V,Ui20.98 V,则它的差模输入电压Uid 0.02 V,共模输入电压UiC 0.99 V。5差分放大电路对 差模 输入信号具有良好的放大作用,对 共模 输入信号具有很强的抑制作用,差分放大电路的零点漂移 很小 。6乙类互补对称功放由 NPN 和 PNP 两种类型晶体管构成,其主要优点是 效率高 。7两级放大电路,第一级电压增益为40 dB,第二级电压放大倍数为10倍,则两级总电压放大倍数为 1000 倍,总电压增益为 60 dB。8集成运算放大器输入级一般采用 差分 放大电路,其作用是用来减小 零点漂移 。9理想集成运算放大器工

15、作在线性状态时,两输入端电压近似 相等 ,称为 虚短 ;输入电流近似为 0 ,称为 虚断 。10集成运算放大器的两输入端分别称为 同相输入 端和 反相输入 端,前者的极性与输出端 反相 ,后者的极性与输出端 同相 。32 单选题1测量某放大电路负载开路时输出电压为3 V,接入2 k的负载后,测得输出电压为1 V,则该放大电路的输出电阻为( D )k。 A0.5 B1.0 C2.0 D42为了获得反相电压放大,则应选用( A )放大电路。 A共发射极 B共集电极 C共基极 D共栅极3为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合,可以在信号源与负载之间接入( B )放大电路。 A共发射极 B共集电极

16、C共基极 D共源极4放大电路如图T31所示,已知RSRD,且电容器容量足够大,则 该放大电路两输出电压u0l与u02之间的大小关系为( B )。 A u0l = u02 Bu0l = u02 C u0lu02 D u0lu02 5选用差分电路的原因是( A )。 A减小温漂 B提高输入电阻 C减小失真 D稳定放大倍数6差分放大电路中适当增大公共发射极电阻,将会使电路的( D )增大。 A差模电压增益D共模电压增益 C差模输入电阻D共模抑制比7功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高( B )。 A输出功率 B放大器效率 C放大倍数 D负载能力8由两管组成的复合管电路如图T32所示,其中等效为P

17、NP型的复合管是( A )。9OTL电路负载电阻RL10,电源电压VCC=10 V,略去晶体管的饱和压降,其最大不失真输出功率为( B )W。 A10 B,5 C2.5 D1.2510集成运算放大器构成的放大电路如图T33所示,已知集成运算放大器最大输出电压Uom±10 V,ui5 V,则该放大电路的输出电压为( C )V。 A-5 B0 C5 D1033 是非题1放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关,而与输入信号源内阻无 关。( × )2共发射极放大电路由于输出电压与输人电压反相,输入电阻不是很大而且输出电阻又较大,故很少应用。,( × )3单端输出的具有电

18、流源的差分放大电路,主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。( )4乙类互补对称功率放大电路输出功率越大,功率管的损耗也越大,所以放大器效率也越小。( × )5OCL电路中输入信号越大,交越失真也越大。( × )6直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度影响。( )34 分析计算题1放大电路如图T34所示,已知晶体管的UBEQ0.7 V,99,rbb200,各电容在工作频率上的容抗可略去。试:(1)求静态工作点ICQ、UCEQ;(2)画出放大电路的交流通路和微变等效电路,求出rbe;(3)求电压放大倍数Auuou i及输入电阻Ri、输出电阻R0。解:(1)求ICQ

19、、UCEQ、IBQ 电路构成分压式电流负反馈偏置电路,所以 (2)画出放大电路的交流通路和微变等效电路,分别如图(a)、(b)所示。 (3)求Au,Ri、R0 由图 (b)可得2差分放大电路如图T35所示,已知I02 mA。试:(1)求放大电路的静态工作点ICQ2、UCQ2;(2)当u i 10 mV时,iC11.2 mA,求V2管集电极电位uc2、输出电压u0以及电压放大倍数Auuou i。解:(1)求ICQ2和UCQ2 由图342可知: (2)求uC2、u0及Au 根据差分放大电路的传输特性可知当iC11.2mA时,iC2I0一iC121.20.8 mA 所以V2管集电极电位为 uC2Vc

20、c一iC2 Rc6 V一0.8×33.6 V 放大电路的输出电压u0为 u0uC2一UCQ23.630.6 V 所以,电压放大倍数为 3放大电路如图T36所示。试:(1)说明二极管V3、V4的作用;(2)说明晶体管V1、V2工作在什么状态?(3)当Uim4 V时,求出输出功率P0的大小。解:(1)V3、V4正向导通,其压降提供给功率管V1、V2作为发射结小正向偏置电压,用以克服交越失真。 (2)因V1、V2管发射结加有小正向偏置电压,所以它们工作在甲乙类状态。 (3)因UomUim4 V,所以输出功率为4集成运算放大器构成的反相和同相放大电路如图T37所示,试分别求出它们的电压放大倍

21、数Auuou i及输入电阻Ri。解:图(a)为反相放大电路,所以 Ri30K 图(b)为同相放大电路,所以 Ri20+4060 K第4章 负反馈放大电路41 填空题1,将反馈引入放大电路后,若使净输入减小,则引人的是 负 反馈,若使净输入增加,则引入的是 正 反馈。2反馈信号只含有直流量的,称为 直流 反馈,反馈信号只含有交流量的,称为 交流 反馈。3反馈放大电路中,若反馈信号取自输出电压,则说明电路引入的是 电压 反馈,若反馈信号取自输出电流,则是 电流 反馈;在输入端,反馈信号与输入信号以电压方式进行比较,则是 串联 反馈,反馈信号与输入信号以电流方式进行比较,则是 并联 反馈。4负反馈虽

22、然使放大电路的增益 减小 ,但能使增益的 稳定 提高,通频带 展宽 ,非线性失真 减小 。5电压负反馈能稳定 输出电压 ,使输出电阻 减小 ;电流负反馈能稳定 输出电流 ,使输出电阻 增大 。6放大电路中为了提高输入电阻应引入 串联 反馈,为了降低输入电阻应引入 并联 反馈。7负反馈放大电路中,其开环电压放大倍数Au=90,电压反馈系数Fu=0.1,则反馈深度为 10 ,闭环放大倍数为 9 。8深度负反馈放大电路有:xi xf ,即xid 0 。42 单选题1放大电路中有反馈的含义是( C )。 A输出与输入之间有信号通路 B输出与输入信号成非线性关系 C电路中存在反向传输的信号通路 D除放大

23、电路以外还有信号通路2直流负反馈在放大电路中的主要作用是( D )。 A提高输入电阻 B降低输人电阻 C提高增益 D稳定静态工作点3并联负反馈能使放大电路的( B )。 A输人电阻增大 B输入电阻减小 C输入电阻不变 D输出电阻减小4在放大电路中,如果希望输出电压受负载影响很小,同时对信号源的影响也要小,则需引入负反馈的类型为( A )。 A电压串联 B电压并联 C电流串联 D电流并联5负反馈放大电路中,A为开环放大倍数,F为反馈系数,则在深度负反馈条件下,放大电路的闭环放大倍数且,近似为( B )。 AF B1F CA D1+AF43 是非题1直流负反馈只存在于直接耦合电路中,交流负反馈只存

24、在于阻容耦合电路中。( × )2若放大电路的A0,则接入的反馈一定是正反馈,若A0,则接入的反馈一定是负反馈。( × )3共集电极放大电路,由于且Au1,故该电路没有负反馈。( × )4当输入信号是一个失真的正弦波,加人负反馈后能使失真减小。( × )5负反馈只能改善反馈环路以内电路的放大性能,对反馈环路之外电路无效。( )6在深度负反馈放大电路中,只有尽可能地增大开环放大倍数,才能有效地提高闭环放大倍数。( × )44分析计算题1反馈放大电路如图T41所示,试指出电路的反馈类型,判断其反馈极性。+解:(a)在图T41(a)中标出反馈信号uf,

25、如下图(a)所示,可见ufu0,反馈信号取样于输出电压u0,故输出端为电压反馈。由图(a)可见,ui、uid、uf三者串联,形成电压比较关系uid uiuf,故输入端为串联反馈。令ui为 ,则得输出电压u0 ,uf为 ,如图(a)所示,反馈电压uf使净输入ui减小,故为负反馈。所以图T41 (a)所示电路为电压串联负反馈放大电路。+ (b)由图T41 (b)可见,负载RL、反馈网络、基本放大电路(即集成运放)三者为串联,故输出端为电流反馈。输入端输入信号与反馈信号都由集成运放的反相端加入,故为并联反馈,因此可在图中标出反馈电流if如下图 (b)所示。令输入电压ui为 ,如下图(b)所示,此时集

26、成运放输出端对地电位为 ,因此电压uR3为 ,if由输入端流向输出端,如下图(b)所示,可见札iidiiif,反馈使净输入iid减小,故为负反馈。因此,图T41 (b)所示电路为电流并联负反馈放大电路。+ (c)由图T41 (c)可见,放大电路的输出端RL、基本放大器、反馈网络三者并联,故为电压反馈。输入端信号源、反馈网络、基本放大器三者并联,故为并联反馈。令输入信号ui为 ,根据共发射极放大电路特性,可知u0为 ,反馈信号if由输入端流向输出端,由下图(c)可得iidiiif,反馈使净输入iid减小,故为负反馈。因此,图T41 (c)所示电路为电压并联负反馈放大电路。2深度负反馈放大电路如图

27、T42所示,在图中标出反馈信号xf,指出反馈类型,求出闭环电压放大倍数Aufuou i。解:(a)为电压并联负反馈,反馈信号为if ,标于下图 (a)中。在深度电压并联负反馈电路中有iiif,而ii(uiuN)/R1ui/R1,if(uNu0)/R1u0/R2,因此可得 (b)为电流串联负反馈,反馈信号为uf,标于下图(b)中。在深度电流串联负反馈电路中有:uiuf。又由图下(b)可得:u0i0RL,ufi0R2。所以可得 (c)为电压串联负反馈,反馈信号为uf,标于下图(c)中。在深度电压串联负反馈放大电路中有:uiuf。现由下图(c)可知ufu0,所以可得第5章 集成运算放大器的应用电路5

28、1 填空题1运算电路中的集成运算放大器应工作在 线性 区,为此运算电路中必须引入 深度负 反馈。2反相比例运算电路的主要特点是输入电阻 较小 ,运算放大器共模输入信号为 零 ;同相比例运算电路的主要特点是输入电阻 很大 ,运算放大器共模输入信号 较大 。3简单RC低通电路在截止频率处输出电压是输入电压的 0.707 倍,即衰减 3 dB,相移为 -45° 。4晶体管有三个频率参数f称为 共射截止频率 ,f称为 共基截止频率 ,fT称为 特征频率 。5集成运算放大器开环差模电压增益值比直流增益下降3 dB所对应的信号频率称为 开环带宽 ,开环差模电压增益值下降到0dB所对应的信号频率称

29、为 单位增益带宽 。6集成运算放大器交流放大电路采用单电源供电时,运算放大器两个输入端的静态电位不能为 零 ,运算放大器输出端必须接有输出 电容 。52 单选题1图T51所示比例运算电路中,设A为理想运算放大器,已知运算放大 器最大输出电压U0M±12 V,当uI=1 V时,则输出电压u0为( C )V。 A24 B21 C12 D、122若实现函数u0uI1+4uI24uI3,应选用( B )运算电路。 A比例 B加减 C积分 D微分3欲将方波电压转换成三角波电压,应选用( B )运算电路。 A微分 B积分 C乘法 D除法4集成运算放大器开环电压增益为106,开环带宽BW=5 Hz

30、,若用它构 成闭环增益为50倍的同相放大电路,则其闭环带宽BWf为( B )Hz。 A5×105 B105 C250 D553 是非题1凡是集成运算放大器构成的电路,都可用“虚短”和“虚断”概念加以分析。( × )2放大电路低频段没有转折频率,则说明该电路采用了直接耦合方式。( )3某集成运算放大器开环带宽为5 Hz,由于其非常低,所以该运算放大器只能用于构成直流放大电路。 ( × )4与无源滤波器相比较,有源滤波器具有可提供通带内增益,负载对滤波特性影响小等优点。( )54 分析计算题1电路如图T52所示,试写出各电路输出电压与输入电压的函数关系式并指出电路名称

31、。解:(a) 经整理可得,为减法运算电路 (b),为积分运算电路 (c),为乘法运算电路 (d),为一阶有源低通滤波器2运算电路如图T53所示,试求各电路输出电压的大小。解:(a) 采用叠加定理,则得 (b ) 采用叠加定理,则得 3电路如图T54所示,试用比例运算关系求出输出电压。解:(a)采用叠加定理,将uI分别从反相端和同相端输入,使之构成反相比例运算电路和同相比例运算电路,则得 (b)采用叠加定理,将uI分别从反相端和同相端输入,则得 第6章 信号产生电路61 填空题1正弦波振荡电路主要由 放大电路 、 正反馈网络 、 选频网络 、 稳幅环节 四部分组成。2设放大电路的放大倍数为反馈网

32、络的反馈系数为则正弦波振荡电路的振幅平衡条件是 ,相位平衡条件是 。3RC桥式振荡电路输出电压为正弦波时,其反馈系数 1/3 ,放大电路的电压放大倍数 3 ;若RC串并联网络中的电阻均为R,电容均为C,则振荡频率f0 1/(2RC) 。4RC桥式正弦波振荡电路中,负反馈电路必须采用 非线性 元件构成,其主要目的是为了 稳幅 。5用晶体管构成的三点式LC振荡电路中,谐振回路必须由 三个 个电抗元件组成,在交流通路中接于发射极的两个电抗元件必须 同 性质,不与发射极相接的电抗元件必须与之 异 性质,方能满足振荡的相位条件。6石英晶体在并联型晶体振荡电路中起 电感 元件作用,在串联型晶体振荡器中起

33、短路 元件作用,石英晶体振荡器的优点是 频率稳定度高 。7电压比较器输出只有 高电平 和 低电平 两种状态,由集成运算放大器构成的电压比较器运算放大器工作在 非线性 状态。8迟滞比较器中引人中引入了 正 反馈,它有两个门限电压。9三角波产生电路由 迟滞比较器 和 线性RC积分电路 组成。62 单选题1信号产生电路的作用是在( B )情况下,产生一定频率和幅度的正弦或非正弦信号。 A外加输入信号 B没有输入信号 C没有直流电源电压 D没有反馈信号2正弦波振荡电路的振幅起振条件是( D )。 A B C D3正弦波振荡电路中振荡频率主要由( D )决定。 A放大倍数 B反馈网络参数 C稳幅电路参数

34、 D选频网络参数4常用正弦波振荡电路中,频率稳定度最高的是( D )振荡电路。 ARC桥式 B电感三点式 C改进型电容三点式 D石英晶体5电路如图T61所示,它是( C )正弦波振荡电路。 A电容三点式 B电感三点式 C并联型晶体 D串联型晶体 6电路如图T6,2所示,它称为( C )。 ARC振荡电路 B单限电压比较器 C迟滞比较器 D方波产生电路63 是非题1信号产生电路用于产生一定频率和幅度的信号,所以信号产生电路工作时不需要接入直流电源。( × )2电路存在反馈,且满足,就会产生正弦波振荡。 ( × )3RC桥式振荡电路中,RC串并联网络既是选频网络又是正反馈网络。

35、( )4选频网络采用LC回路的振荡电路,称为LC振荡电路。( ) 5电压比较器输出只有高电平和低电平两种状态,输入高电平时,输出为高电平;输入低电平时输出为低电平。( × )6非正弦波产生电路中没有选频网络,其状态的翻转依靠电路中定时电容的能量变化来实现。( )64 分析题l振荡电路如图T63所示,试回答下列问题:(1)指出电路名称;(2)反馈信号uf取自哪个元件的电压?(3)画出电路的交流通路,判断电路是否构成正反馈。若电路满足振荡条件,求出振荡频率。+解:(1)画出交流通路如图 (b)所示,由图可见,反馈信号uf取自反馈电容C2两端电压。设基极输入电压瞬时极性为 (对参考点地电位

36、),在回路谐振频率上放大电路输出电压的瞬时极性为 ,所以,反馈电压的瞬时极性为 ,可见与同相,电路构成正反馈。(2)为电容三点式LC振荡电路,其振荡频率f0等于 2方波产生电路如图T64所示,试指出图中三个错误并改正。解:图 (a)中的错误有如下三处:(1)集成运放输出端缺稳压管的限流电阻;(2)积分电路中R和C的位置接反;(3)集成运放同相与反相输入端接反。改正电路如图 (b)所示。3电路如图T65所示,试回答下列问题:(1)集成运算放大器A1、A2各构成什么电路?(2)设u01的幅值为2V,对应画出u01 、u02 的波形;(3)求出u01的频率。解:(1)A1构成RC桥式振荡电路,A2构成过零电压比较器。 (2)u01为幅度为2 V的正弦波,波形如图 (a)所示。当u01>0时,A2比较器输出高电平,u02Uz6 V;当u01<0时,A2比较器输出低电平,u02Uz6 V。u02的波形如图 (b)所示。 (3) u01的振荡频

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