(完整word版)半导体专业实验补充silvaco器件仿真

1、实验2 PN结二极管特性仿真1、实验内容(1) PN结穿通二极管正向I-V特性、反向击穿特性、反向恢复特性等仿真。(2)结构和参数：PN结穿通二极管的结构如图1所示，两端高掺杂，n-为耐压层，低掺杂， 具体参数：器件宽度4”，器件长度20”，耐压层厚度16(im, p+区厚度2n+区厚度2掺杂浓度：p+区浓度为1X1019cm-3, n+区浓度为1X1019cm-3,耐压层参考浓度为5X1015 cm-3。+ p- n+ n0W图1普通耐压层功率二极管结构2、实验要求(1)掌握器件工艺仿真和电气性能仿真程序的设计(2)掌握普通耐压层击穿电压与耐压层厚度、浓度的关系。3、实验过程# 启动 Ath

2、enago athena# 器件结构网格划分；line x loc=0.0 spac= 0.4line x loc=4.0 spac= 0.4line y loc=0.0 spac=0.5line y loc=2.0 spac=0.1line y loc=10 spac=0.5line y loc=18 spac=0.1line y loc=20 spac=0.5# 初始化Si衬底；init silicon c.phos=5e15 orientation=100 two.d# 沉积铝；deposit alum thick=1.1 div=10# 电极设置electrode name=anode

3、 x=1 electrode name=cathode backside# 输出结构图structure outf=cb0.strtonyplot cb0.str# 启动Atlasgo atlas# 结构描述doping p.type conc=1e20 x.min=0.0 x.max=4.0 y.min=0 y.max=2.0 uniformdoping n.type conc=1e20 x.min=0.0 x.max=4.0 y.min=18 y.max=20.0 uniform# 选择模型和参数models cvt srh printmethod carriers=2impact sel

4、b# 选择求解数值方法method newton# 求解solve initlog outf=cb02.logsolve vanode=0.03solve vanode=0.1 vstep=0.1 vfinal=5 name=anode# 画出IV特性曲线tonyplot cb02.log# 退出quit图2为普通耐压层功率二极管的仿真结构。正向I-V特性曲线如图3所示，导通电压接近0.8V。图2普通耐压层功率二极管的仿真结构MAS国立世宣处小：科图3普通耐压层功率二极管的正向I-V特性曲线运用雪崩击穿的碰撞电离模型，加反向偏压，刚开始步长小一点，然后逐渐加大步长。solve vanode=-

5、0.1 vstep=-0.1 vfinal=-5 name=anodesolve vanode=-5.5 vstep=-0.5 vfinal=-20 name=anodesolve vanode=-22 vstep=-2vfinal=-40 name=anodesolve vanode=-45 vstep=-5vfinal=-240 name=anode求解二极管反向IV特性，图4为该二极管的反向I-V特性曲线。击穿时的纵向电场分布如图 所示，最大电场在结界面处，约为 2.5 M05v?cm-1,在耐压层中线性减小到 80000 V?Cm-1。A71ASaJUuS:西卡 mttWCGH：.Tl

6、e5- =_Mr*cwxmjf箸攵小4E6fr4 241fr4 cnar 一2 MS2 4KM5IMSMW -«XK<MqkI Eiue.-izritui 那即照图5普通耐压层功率二极管击穿时的电场分布导通的二极管突加反向电压，需要经过一段时间才能恢复反向阻断能力。电路图如图 6 所示。设t= 0前电路已处于稳态，Id= Ifo。t= 0时，开关K闭合，二极管从导通向截止过 渡。在一段时间内，电流Id以di。/ dt = - Ur/ L的速率下降。在一段时间内电流Id会变成负值 再逐渐恢复到零。仿真时先对器件施加一个1V的正向偏压，然后迅速改变电压给它施加一个反向电压增大到 2

7、V。solve vanode=1 log outf=cj2_1.log solve vcathode=2.0 ramptime=2.0e-8 tstop=5.0e-7 tstep=1.0e-10反向恢复特性仿真时，也可以采用如图7的基本电路，其基本原理为：在初始时刻，电阻Ri的值很小，电阻R2的值很大，例如可设Ri为1X103。，R2为1X106Q ；电感Li可设为3nH; 电压源及电流源也分别给定一个初始定值vi, ii；那么由于R2远大于Ri,则根据KCL可知，电流ii主要经过Ri支路，即ii的绝大部分电流稳定的流过二极管，二极管正向导通，而R2支路几乎断路，没有电路流过。然后，在短暂的时

8、间内，使电阻R2的阻值骤降。此时，电阻器R2作为一个阻源，其阻值在极短的时间间隔内以指数形式从i M06建下降到i xio-3建。这一过程本质上是使与其并联的连在二极管阳极的电流源ii短路，这样电流ii几乎全部从R2支路流过，而二极管支路就没有ii的分流，此刻电压源 vi开始起作用，二极管两端就被施加了反 偏电压，由于这些过程都在很短的时间内完成，因而能够很好的实现二极管反向恢复特性的模拟。反向恢复特性仿真图如图8所示，PN结功率二极管的反向恢复时间约为50ns。L图6反向恢复特性测试原理电路图R1VAL1+独立电压源V1二极管图8器件反向恢复特性曲线R2独立电流源i1图7二极管反向恢复特性模

9、拟电路图实验3 PN结终端技术仿真1、实验内容由于PN结在表面的曲率效应， 使表面的最大电场常大于体内的最大电场，器件的表面易击穿，采用终端技术可使表面最大电场减小，提高表面击穿电压。场限环和场板是功率器件中常用的两种终端技术。场限环技术是目前功率器件中被大量使用的一种终端技术。其基本原理是在主结表面和衬底之间加反偏电压后，主结的PN结在反向偏压下形成耗尽层，并随着反向偏置电压的增 加而增加。当偏置电压增加到一定值是，主结的耗尽层达到环上，如图1所示，这样就会使得有一部分电压有场环分担，将主结的电场的值限制在临界击穿电压以内，这将显著的减小主结耗尽区的曲率，从而增加击穿电压。阳极图1场限环场板

10、结构在功率器件中被广泛应用。场板结构与普通PN结的区别在于场板结构中PN区引线电极横向延伸到 PN区外适当的距离。而普通 PN结的P区引线电极的横向宽度一般 不超过P扩散区的横向尺寸。PN结反向工作时，P区相对于N型衬底加负电位。如果场板 下边的二氧化硅层足够厚，则这个电场将半导体表面的载流子排斥到体内，使之表面呈现出载流子的耗尽状态，如图 2所示，就使得在同样电压作用下，表面耗尽层展宽，电场减小， 击穿电压得到提高。2、实验要求(1)场限环特性仿真场限环：击穿电压 200V,设计3个环，环的宽度依次为 6、5、5、5dm，间距为4、5、 6 pm,外延层浓度为1X1015 cm-3,观察表面

11、电场。(2)场板特性仿真场板：氧化层厚度1(im,结深1(im,场板长度分别为 0 pm、2(im、4(im、6(im、8(im、 10m,外延层浓度为1X1015 cm-3,观察表面电场。阳极SiO2N-外延层N+衬底I图2场板3、场板的应用实例：场板对大功率 GaN HEMT击穿电压的影响(1)内容(a) GaN HEMT的工作机理、击穿特性刻画以及对场板结构的GaN HEMT击穿特性的进行仿真分析。(b)结构和参数：场板结构的 GaN HEMT的结构尺寸及掺杂浓度如图 3所示。0.05 Limn-GaN 1 x 1015/cms 0.18 即1图3场板结构的大功率 GaN HEMT(2)

12、 要求(a)掌握定义一个完整半导体器件结构的步骤，并能对其电性能进行仿真研究。(b)理解场板技术对器件击穿电压提高的作用原理并能结合仿真结果给出初步分析。( 3)实验过程#启动internal ，定义结构参数# 场板长度从1um增大到2.25um,步长为0.25um,通过改变l取值来改变场板长度 set l= 1.0# drain-gate distanceset Ldg=5.1# field plate thickness set t=1.77355# AlGaN composition fractionset xc=0.295# set trap lifetimeset lt=1e-7se

13、t light=1e-5# mesh locations based on field plate geometryset xl=0.9 + $lset xd=0.9 + $Ldgset y1= 0.3 + $tset y2= $y1 + 0.02set y3= $y2 + 0.04set y4= $y2 + 0.18# 启动二维器件仿真器 go atlasmesh width=1000# 网格结构x.m l=0.0 s=0.1x.m l=0.05 s=0.05x.m l=0.5s=0.05x.m l=0.9s=0.025x.m l=(0.9+$xl)/2s=0.05x.m l=$xl s=0

14、.025x.m l=($xl+$xd)/2s=0.25x.m l=$xd-0.05s=0.05x.m l=$xd s=0.05#y.m l=0.0 s=0.1000y.m l=0.3 s=0.1000y.m l=$y1s=0.0020y.m l=$y2s=0.0020y.m l=$y3s=0.0100y.m l=$y4s=0.0500# device structure# POLAR.SCALE is chosen to match calibrated values# of 2DEG charge concentrationregion num=1 mat=SiN y.min=0 y.max

15、=$y1region num=2 mat=AlGaN y.min=$y1 y.max=$y2donors=1e16 p=$xc polarcalc.strain polar.scale=-0.5regionnum=3 mat=GaNy.min=$y2 y.max=$y4 donors=1e15 polar calc.strainpolar.scale=-0.5#elect name=source x.max=0 y.min=$y1 y.max=$y3elect name=drain x.min=6.0 y.min=$y1 y.max=$y3elect name=gate x.min=0.5 x

16、.max=0.9 y.min=0.3 y.max=$y1elect name=gate x.min=0.5 x.max=$xl y.min=0.3 y.max=0.3#doping gaussian characteristic=0.01 conc=1e18 n.type x.left=0.0 x.right=0.05 y.top=$y1 y.bottom=$y3 ratio.lateral=0.01 direction=ydoping gaussian characteristic=0.01 conc=1e18 n.type x.left=$xd-0.05 x.right=$xd y.top

17、=$y1 y.bottom=$y3 ratio.lateral=0.01 direction=yff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff “ kk “ “ kk “ “ kk “ “ kk ”Il II II II II II II II

18、II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II# KM parameter setII II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II I

19、I II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II “ kk “ “ kk “ “ kk “ “ kk ”Il II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II I

20、I II II II II II II IImaterial material=GaN eg300=3.4 align=0.8 permitt=9.5 mun=900 mup=10 vsatn=2e7 nc300=1.07e18 nv300=1.16e19 real.index=2.67 imag.index=0.001 taun0=$lt taup0=$ltmaterial material=AlGaN affinity=3.82 eg300=3.96 align=0.8 permitt=9.5 mun=600 mup=10 nc300=2.07e18 nv300=1.16e19 real.

21、index=2.5 imag.index=0.001 taun0=$lt taup0=$ltff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff ff “ kk “ “ kk “ “ kk “ “ kk ”Il II II II II II II II II

22、 II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II II IImodel print fermi fldmob srhimpact material=GaN selb an1=2.9e8 an2=2.9e8 bn1=3.4e7 bn2=3.4e7 ap1=2.9e8 ap2=2.9e8 bp1=3.4e7 bp2

23、=3.4e7#contact name=gate work=5.23# 人为引进光照以利于实现阻断状态下仿真收敛，这是仿真研究击穿的常用手段beam number=1 x.o=0 y.o=$y4+0.1 angle=270 wavelength=0.3#output con.band val.band band.param charge e.mob h.mob flowlines qss# IdVg 特性求解solvelog outf=ganfetex02_0.logsolve vdrain=0.05solve vstep=-0.2 vfinal=-2 name=gatesolve vstep

24、=-0.1 vfinal=-4 name=gate log offsave outfile=ganfetex02_0.strextract init infile="ganfetex02_0.log"extract name="Vpinchoff" xintercept(maxslope(curve(v."gate",i."drain")# IdVd 击穿曲线method autonr gcarr.itlimit=10 clim.dd=1e3 clim.eb=1e3 nblockit=25 solve init#

25、turn on optical source to help initiate breakdown# # 人为引进光照以利于实现阻断状态下仿真收敛solve b1=$light index.check#solve nsteps=10 vfinal=$Vpinchoff name=gate b1=$lightlog outf=ganfetex02_$'index'.logsolve vstep=0.1 vfinal=1 name=drain b1=$lightsolve vstep=1 vfinal=10 name=drain b1=$lightsolve vstep=2 vfi

26、nal=20 name=drain b1=$lightsolve vstep=5 vfinal=1200 name=drain b1=$light cname=drain compl=0.5# change to current contact to resolve breakdowncontact name=drain currentsolvesolve imult istep=1.1 ifinal=1 name=drain#save outfile=ganfetex02_$'index'.str#extract init infile="ganfetex02_1$

27、'index'.log"extract name="a" slope(maxslope(curve(i."drain",v."drain")extract name="b" xintercept(maxslope(curve(i."drain",v."drain")extract name="Vdmax" max(curve(i."drain",v."drain")extract name=

28、"Idmax" x.val from curve(i."drain",v."drain") where y.val=$Vdmaxextract name="Vd1" $Vdmax - 20extract name="Id1" y.val from curve(v."drain",i."drain") where x.val=$Vd1extract name="c" grad from curve(v."drain",

29、i."drain") where x.val=$Vdmaxextract name="d" $Idmax - $c*$Vdmaxextract name="Vbr" ($b - $d)/($c - (1/$a)extract name="Is" $b + $Vbr/$atonyplot ganfetex02_1.str ganfetex02_2.str ganfetex02_3.str ganfetex02_4.strganfetex02_5.str ganfetex02_6.str -set ganfetex02

30、_1.settonyplot -overlay ganfetex02_1.log ganfetex02_2.log ganfetex02_3.log ganfetex02_4.logganfetex02_5.log ganfetex02_6.log -set ganfetex02_0.setquit图4-9为不同场板长度下半导体层中碰撞离化率的分布图。正向I-V特性曲线如图5所示,导通电压接近0.8V。图4场板长度L=1um的沟道中电子碰撞产生率模拟分布GaN HEMT Breakdowi SimutionField PlHIe Length -1.25 miciun图6场板长度L=1.25u

31、m的沟道中电子碰撞产生率模拟分布GaN HEMT Breakdowi SimulationFwld Plale Lflfigth - 1.S micronI 13图7场板长度L=1.75um的沟道中电子碰撞产生率模拟分布Uicrans图6场板长度L=1.5um的沟道中电子碰撞产生率模拟分布GaN HEMT Breakdowi SimutionField Plate Length -1.75 nKnm-GaN HEMT Breakdowi SimulationField Plale Length - 2.0 micronMicronsi11:的 qn 二图10场板长度L=2.25um的沟道中电子

32、碰撞产生率模拟分布图8场板长度L=2um的沟道中电子碰撞产生率模拟分布GaN HEMT Breakdowi SimutionField Plate Length - 2_2$ miciunMicrons图10-12是半导体中电场强度分布随场板长度的变化。5000000 40000003000000 20000001000000 _图10不同场板长度的沟道中总电场分布-1000000 -2000000 -3000000-4000000-5000000 4,1,y0123456L(um)图11不同场板长度的沟道中X电场分布2000000-1000000-3000000-40000001000000

33、 ,0 .-2000000 一L(um)图12不同场板长度的沟道中 Y电场分布图13是Id-Vd击穿曲线，可以清楚看到击穿电压从l=1um时的300V左右增大了 l=2.25um时的800V以上。期GaN FET BrgakwwnVarioLPE F»eld Plate LwgthsDran 炳13口匕(V)图13不同长度的场板在关断情况下的输出I-V特性通过对电场分布和碰撞离化率分布的分析知道，场板变长一方面会减弱漏端电场峰值, 但另一方面也使发生碰撞离化的区域增大，所以这种构型的场板不是越长越好。实验4短沟道MOS晶体管特性仿真1、实验内容(1)短沟道LDD-MOS晶体管结构定义

34、。(2)转移特性、输出特性。(3)结构和参数：器件结构下图所示，宽度1.2 衬底为P型、厚度0.8wm、浓度1><1014cm-3、 晶向<100>,栅氧化层厚度13nm,栅为n+掺杂多晶硅。2、实验要求(1)掌握器件工艺仿真和电气性能仿真程序的设计(2)改变表面浓度，改变栅氧化层厚度，观察阈值电压变化。3、实验过程# 启动 Athenago athena# 器件结构网格划分；line x loc=0.0 spac=0.1line x loc=0.2 spac=0.006line x loc=0.4 spac=0.006line x loc=0.6 spac=0.01l

35、ine y loc=0.0 spac=0.002line y loc=0.2 spac=0.005line y loc=0.5 spac=0.05line y loc=0.8 spac=0.15(建议定义左边一半)# 初始化；# 栅氧化，干氧11分钟，温度950.diffus time=11 temp=950 dryo2 press=1.00 hcl.pc=3提取栅氧化层厚度，extract name="Gateoxide“ thickness material="Sio-2" mat.occno=1x.val=0.3# 阈值电压调整；implant boron

36、dose=9.5e11 energy=10 crystal提取表面浓度# 淀积多晶硅；depo poly thick=0.2 divi=10# 定义多晶硅栅etch poly left p1.x=0.35# 多晶硅氧化，湿氧，900度，3分钟；method fermi compressdiffuse time=3 temp=900 weto2 press=1.0# 多晶硅掺杂implant phosphor dose=3.0e13 energy=20 crystal# 侧墙的形成淀积氧化层：depo oxide thick=0.12 divisions=10干法刻蚀：etch oxide dr

37、y thick=0.12# 源漏砷注入，快速退火implant arsenic dose=5.0e15 energy=50 crystalmethod fermidiffuse time=1 temp=900 nitro press=1.0# 金属化etch oxide left p1.x=0.2deposit alumin thick=0.03 divi=2etch alumin right p1.x=0.18# 提取器件参数：结深，源漏方块电阻，侧墙下的方块电阻，阈值电压# extract final S/D Xjextract name="nxj" xj silico

38、n mat.occno=1 x.val=0.1 junc.occno=1# extract the N+ regions sheet resistanceextract name="n+ sheet rho" sheet.res material="Silicon" mat.occno=1 x.val=0.05 region.occno=1# extract the sheet rho under the spacer, of the LDD regionextract name="ldd sheet rho" sheet.res m

39、aterial="Silicon" mat.occno=1 x.val=0.3 region.occno=1# extract the surface conc under the channel.extract name="chan surf conc" surf.conc impurity="Net Doping" material="Silicon" mat.occno=1 x.val=0.45# extract a curve of conductance versus bias.extract start

40、 material="Polysilicon" mat.occno=1 bias=0.0 bias.step=0.2 bias.stop=2 x.val=0.45extract done name="sheet cond v bias" curve(bias,1dn.conduct material="Silicon" mat.occno=1 region.occno=1) outfile="extract.dat"# extract the long chan Vtextract name="n1dvt

41、" 1dvt ntype vb=0.0 qss=1e10 x.val=0.49# 右边结构生成structure mirror right# 设置电极electrode name=gate x=0.5 y=0.1electrode name=source x=0.1electrode name=drain x=1.1electrode name=substrate backside# 输出结构图structure outfile=mos1ex01_0.strtonyplot mos1ex01_0.str(每一道工艺定义后，都需要输出/画出结构图)# 启动器件仿真器go atlas#

42、设置模型models cvt srh print# 设置界面电荷contact name=gate n.polyinterface qf=3e10# 设置迭代模型method newton# 解初始化solve init# 设置漏极电压0.1Vsolve vdrain=0.1# Ramp the gatelog outf=mos1ex01_1.log master# 对栅极电压扫描solve vgate=0 vstep=0.25 vfinal=3.0 name=gatesave outf=mos1ex01_1.str# 画出转移特性曲线tonyplot mos1ex01_1.log -set

43、mos1ex01_1_log.set# 提取器件参数extract name="nvt" (xintercept(maxslope(curve(abs(v."gate"),abs(i."drain") - abs(ave(v."drain")/2.0)extract name="nbeta" slope(maxslope(curve(abs(v."gate"),abs(i."drain") - (1.0/abs(ave(v."drain"

44、;)extract name="ntheta" (max(abs(v."drain") * $"nbeta")/max(abs(i."drain") - (1.0 / (max(abs(v."gate") - ($"nvt")#对不同的Vg ,求Id与Vds的关系曲线solve initsolve vgate=1.1 outf=solve_tmp1solve vgate=2.2 outf=solve_tmp2solve vgate=3.3 outf=solve_tmp3solve v