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文档简介
VDD VDD IN OUT Y A1 A2 CMOS反相器 反相器 与非门： 与非门：Y=A1A2 河南工业大学 电气工程学院 3.3 影响集成电路性能的因素和发展趋势 有源器件 无源器件 隔离区 互连线 钝化保护层 寄生效应：电容、有源器件、 寄生效应：电容、有源器件、 电阻、 电阻、电感 河南工业大学 电气工程学院 3.4 影响集成电路性能的因素和发展趋势 器件的门延迟： 器件的门延迟： 迁移率 沟道长度 电路的互连延迟： 电路的互连延迟： 线电阻（线尺寸、电阻率） 线电阻（线尺寸、电阻率） 线电容（介电常数、面积） 线电容（介电常数、面积） 途径： 途径： 提高迁移率， 提高迁移率，如GeSi材料 材料 减小沟道长度 互连的类别： 互连的类别： 芯片内互连、 芯片内互连、芯片间互连 长线互连(Global 长线互连 中等线互连 短线互连(Local 短线互连 河南工业大学 电气工程学院 减小互连的途径： 减小互连的途径： 增加互连层数 增大互连线截面 Cu互连、Low K介质 互连、 互连 介质 多芯片模块（MCM） 多芯片模块（MCM） 系统芯片（ 系统芯片（System on a chip） ） 减小特征尺寸、提高集成度、 互连 系统优化设计、 互连、 减小特征尺寸、提高集成度、
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