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文档简介

1、Last Updated: Dec. 2004 HY XX X XX XX X X XX X X X - XX XHYNIX MEMORYPRODUCT FAMILY57: SDRAMPROCESS & POWER SUPPLYV : VDD=3.3V & VDDQ=3.3VY : VDD=3.0V & VDDQ=3.0VU : VDD=2.5V & VDDQ=2.5VW : VDD=2.5V & VDDQ=1.8VS: VDD=1.8V & VDDQ=1.8VDENSITY16: 16M32: 32M64: 64M28: 128M2A : 128M with TCSR56: 256M5A :

2、 256M with TCSR12: 512MORGANIZATION4: x48: x816: x1632: x32# of BANK1: 2Banks2: 4BanksINTERFACE0: LVTTL1: SSTL_3TEMPERATUREBlank : Commercial(070E I : Extended (-2585: Industrial (-4085SPEED5: 200MHz55: 183MHz6: 166MHz7: 143MHzK : PC133, CL2H : PC133, CL38: 125MHzP : PC100, CL2S : PC100, CL310: 100M

3、HzPACKAGE MATERIALBLANK : NormalP : Lead freeH : Halogen freeR: Lead & Halogen freePACKAGE TYPET : TSOPS : Stack Package (HynixK : Stack Package (M & TJ : Stack Package (OthersW: KGDPOWER CONSUMPTIONBLANK : Normal PowerL : Low PowerS: Super Low PowerDIE GENERATIONIchon Cheong-ju Blank : 1st Gen.H :

4、1st Gen.A : 2nd Gen.HA : 2nd Gen.B : 3rd Gen.HB : 3rd Gen.C : 4th Gen.HC : 4th Gen.D : 5th Gen.HG: 5th Gen.E: 6th Gen.Last Updated: Jun. 2004HY X X X X X X XX X - XX XHYNIX MEMORYPRODUCT FAMILY5: SDRAMPOWER SUPPLYV : VDD=3.3V & VDDQ=3.3VY : VDD=3.0V/3.3V & VDDQ=3.0V/3.3VW : VDD=2.5V & VDDQ=1.8V/2.5V

5、S: VDD=1.8V & VDDQ=1.8VDENSITY1: 16M3: 32M6: 64M2: 128M5: 256M7: 512MORGANIZATION4: x48: x86: x162: x32DIE GENERATIONBlank : 1st Gen.A: 2nd Gen.B: 3rd Gen. All SDRAM FBGA follow above Part Numbering SystemTEMPERATUREBLANK : Commercial (070E : Extended (-2585 I : Industrial(-4085 SPEED5: 200MHz, CL35

6、5: 183MHz, CL36: 166MHz, CL37: 143MHz, CL3K : 133MHz, CL2 2-2-2H : 133MHz, CL3 3-3-3J : 133MHz, CL3 3-2-28: 125MHz, CL3P : 100MHz, CL2S : 100MHz, CL3B: 66MHz, CL2PACKAGE MATERIALBlank : NormalP : Lead freeH : Halogen freeR: Lead & Halogen freePACKAGE TYPEF : FBGAF6: 60Ball FBGAM : DDPW: KGDPOWERBlan

7、k: NormalL : Low PowerS: Super Low Power2002 Part Number Decoder HY XX X XX XX X X XX X X X - XX XHYNIX MEMORYPRODUCT FAMILY57: SDRAMsPROCESS & POWER SUPPLYV : VDD=3.3V & VDDQ=2.5VY : VDD=3.0V & VDDQ=3.0VU : VDD=2.5V & VDDQ=2.5VW : VDD=2.5V & VDDQ=1.8VS: VDD=1.8V & VDDQ=1.8VDENSITY & REFRESH16: 16M

8、2K Refresh32: 32M 4K Refresh64: 128M 4K Refresh2A : 128M With TCSR 4K Refresh56: 256M 8K Refresh12: 512M 8K RefreshORGANIZATION4: x48: x816: x1632: x32# Of Bank1: 2Banks2: 4BanksINTERFACE: LVTTL1: SSTL_3* Applicable Part List(Examples of x4 Model-64M G HY57V64420HGT(Cheong-ju-256M 1st HY57V5620T(Ich

9、on 2nd HY57V56420AT(Ichon-128M 3rd HY57V28420AT(Ichon C HY57V28420CT(Choeng-juTemperatureI : Industrial TemperatureE: Extended TemperatureSPEED5: 200MHz55: 183MHz6: 166MHz7: 143MHzK : PC133, CL2H : PC133, CL38: 125MHzP : PC100, CL2S : PC100, CL310: 100MHzPACKAGE MATERIALBlank : NormalP : Pb freeH :

10、Halogen freeR: Pb & Halogen freePACKAGE TYPET :TSOPS : Stack PKG.(HynixK : Stack PKG.(M&TJ: Stack PKG.(OthersPOWERBlank : NormalL : Low PowerS : Super Low PowerDIE GENERATIONIchonCheong-juBlank : 1st Gen.H : 1st Gen.A : 2nd Gen.HA : 2nd Gen.B : 3rd Gen.HB : 3rd Gen.C: 4th Gen.HC: 4th Gen.2001 Part N

11、umber Decoder HY XX X XX XX X X XX X X - XX XHYNIX MEMORYPRODUCT Group57: SDRAMPROCESS & POWER SUPPLYV: CMOS, 3.3VDENSITY & REFRESH64: 64M, 4K Refresh65: 64M, 8K Refresh28: 128M, 4K Refresh56: 256M, 8K RefreshORGANIZATION4: x48: x816: x1632: x32BANK1: 2Banks2: 4BanksINTERFACE: LVTTL1: SSTL_3TEMPERAT

12、UREI : Industrial TemperatureE: Extended TemperatureSPEED5: 200MHz55: 183MHz6: 166MHz7: 143MHzK : PC133, CL2H : PC133, CL38: 125MHzP : PC100, CL2S : PC100, CL310: 100MHzPACKAGET : TSOPQ : TQFPF : FBGAL : CSP(LF-CSPS : Stacked(A-TypeK: Stacked(B-TypePOWER CONSUMPTIONBlank : Normal PowerL : Low PowerD

13、IE GENERATIONIchon Cheong-ju Blank : 1st Gen.H : 1st Gen.A : 2nd Gen.HA : 2nd Gen.B : 3rd Gen.HB : 3rd Gen.C: 4th Gen.HC: 4th Gen.2001 Part Number Decoder HY XX X XXX XX X X X XX XX - XXX XHYNIX I-SiteMemory ProductPRODUCT Group57: SDRAM5D: DDR SDRAMPROCESS & POWER SUPPLYV : CMOS, 3.3VU: CMOS, 2.5VD

14、ENSITY & REFRESH4: 4M, 1K Refresh16: 16M, 4K Refresh64: 64M, 8K Refresh65: 64M, 4K Refresh129: 128M, 4K Refresh257: 256M, 8K RefreshDATA WIDTH40: x480: x816: x1632: x32BANK1: 2Bank2: 4BankINTERFACE0: LVTTL1: SSTL2: SSTL_2TEMPERATUREI : Industrial TemperatureE: Extended TemperatureSPEED5: 5ns(200MHz5

15、5: 5.5ns(183MHz6: 6ns(166MHz7: 7ns(143MHz75: 7.5ns(133MHz8: 8ns(125MHz10P : 10ns(100MHz CL2&310S : 10ns(100MHz CL310: 10ns(100MHz12: 12ns(83MHz15: 15ns(66MHzPACKAGETC : 400mil TSOPIIJQ: 100Pin-TQFPPOWER CONSUMPTIONBlank : Normal PowerL: Low PowerDIE GENERATIONBlank : 1st Gen.A : 2nd Gen.B : 3rd Gen.

16、C : 4th Gen.D: 5th Gen.2001 Part Number Decoder SDRAM PART NUMBERING(Cheong Ju GM 72 X XX XX X X X X X - XXX HYNIX C-Site Memory Product SPEED 6 65 7 75 8 7K 7J 10K 10J 12 15 : : : : : : : : : : : 166MHz 153MHz 143MHz 133MHz 125MHz PC100 2-2-2 PC100 3-2-2 PC66* PC66* 83MHz 66MHz PRODUCT GROUP SDRAM

17、PROCESS & POWER SUPPLY V : CMOS, 3.3V DENSITY & REFRESH 16 17 28 64 65 66 : : : : : : 16M, 4K Refresh 16M, 2K Refresh 128M, 4K Refresh 64M, 16K Refresh 64M, 8K Refresh 64M, 4K Refresh PACKAGE T R I S : : : : TSOP(Normal TSOP(Reverse BLP Stack ORGANIZATION 4 8 16 32 : : : : x4 x8 x16 x32 POWER CONSUMPTION Blank L : Normal Power : Low Power BANK 1 2 4 8 : : : : 1Bank 2Bank 4Bank

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