模拟电子技术期末试题

1、模拟电子技术期末试题1、在常温下，硅二极管的门槛电压约为 _V，导通后在较大电流下的正向压降约为 _ V；锗二极管的门槛电压约为 _V，导通后在较大电流下的正向压降约为_V。 空1答案：0.5空2答案：0.7空3答案：0.1空4答案：0.22、二极管的正向电阻_ ；反向电阻 _。 空1答案：小空2答案：大3、二极管的最主要特性是_ 。结外加正向电压时，扩散电流_ 漂移电流，耗尽层_ 。 空1答案：单向导电性空2答案：大于空3答案：变窄4、二极管最主要的电特性是 _，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 _。 空1答案：单向导电性空2答案：电阻5、电子技

2、术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为_ 电子技术。 空1答案：模拟6、PN结反向偏置时，PN结的内电场_ 。PN具有 _ 特性。 空1答案：增强空2答案：单向导电性7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为_ 伏；其门坎电压Vth约为 _ 伏。 空1答案：0.7空2答案：0.58、二极管正向偏置时，其正向导通电流由_ 载流子的 _ 运动形成。 空1答案：多数空2答案：扩散9、P型半导体的多子为 _ 、N型半导体的多子为_ 、本征半导体的载流子为_ 。 空1答案：空穴空2答案：电子空3答案：电子-空

3、穴对10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为_ 半导体和 _ 半导体两大类。 空1答案：P空2答案：N11、二极管的最主要特性是 _ ，它的两个主要参数是反映正向特性的_ 和反映反向特性的 _。 空1答案：单向导电性空2答案：最大整流电流空3答案：反向击穿电压12、在常温下，硅二极管的开启电压约为_ V，导通后在较大电流下的正向压降约为_ V。 空1答案：0.7空2答案：0.513、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，_。 空1答案：输出随频率连续变化的稳态响应14、N型半导体中的多数载流子是_ ，少数载流子是_ 。 空1答案：电子空2答案：空穴15、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放

4、大电路可分为_ 、_ 、_ 三种基本类型。 空1答案：甲类空2答案：乙类空3答案：甲乙类16、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是 _ 电容，影响高频信号放大的是_ 电容。 空1答案：耦合和旁路空2答案：结17、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的增加，则IBQ_ ，ICQ _，UCEQ _。 空1答案：增大空2答案：增大空3答案：减小18、三极管的三个工作区域是 _，_ ，_ 。集成运算放大器是一种采用 _耦合方式的放大电路。 空1答案：截止空2答案：饱和空3答案：放大空4答案：直接19、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va =

5、 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是_ 管（材料）， _ 型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的_ 。 空1答案：硅空2答案：NPN空3答案：a20、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为_ dB，总的电压放大倍数为_ 。 空1答案：80空2答案：1000021、三极管实现放大作用的外部条件是：_ 。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这_ 管（硅、锗）， _型，集电极管脚是_ 。 空1答案：发射结正偏、集电结反偏空2答案：硅空3答案：NP

6、N空4答案：a22、三种不同耦合方式的放大电路分别为：_ 、_ 和_，其中 _ 能够放大缓慢变化的信号。 空1答案：电容耦合空2答案：直接耦合空3答案：变压器耦合空4答案：直接耦合23、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的_ ，而前级的输出电阻可视为后级的_ 。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带_ 。 空1答案：负载空2答案：信号源的内阻空3答案：要窄24、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12k的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为_ 。 空1答案：4K25、为了保证三极管工作在放大区，要求：发射结_ 偏置，集电结_ 偏置。对于型三极管，应使VBC

7、_ 。 空1答案：正向空2答案：反向空3答案：026、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和_ 耦合三大类。 空1答案：变压器27、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，_ 组态有电流放大作用，_ 组态有倒相作用；_ 组态带负载能力强， _ 组态向信号源索取的电流小， _ 组态的频率响应好。 空1答案：共射空2答案：共射和工集空3答案：共集空4答案：共集空5答案：共基28、三极管放大电路的三种基本组态是_ 、_ 、_ 。 空1答案：共集空2答案：共基空3答案：共射29、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有_ ，_ ，_ 。 空1答案：直接耦

8、合空2答案：电容耦合空3答案：变压器耦合30、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO和VI的波形，则VO和VI的相位差为 _ ；当为共集电极电路时，则VO和VI的相位差为_ 。 空1答案：180°空2答案：031、放大器有两种不同性质的失真，分别是_ 失真和 _失真。 空1答案：饱和空2答案：截止32、晶体管工作在饱和区时，发射结 _ ，集电结_ ；工作在放大区时，集电结 _ ，发射结 _。 空1答案：正偏空2答案：正偏空3答案：反偏空4答案：正偏33、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用 _组态；希望输入电阻大

9、、输出电压与输入电压同相，可选用_ 组态。 空1答案：共射空2答案：共集34、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻_ ，热稳定性_ 。 空1答案：大空2答案：好35、影响放大电路通频带下限频率fL的是_ 电容和_ 电容。 空1答案：隔直空2答案：极间36、三极管工作在放大区时，它的发射结保持_ 偏置，集电结保持_ 偏置。 空1答案：正向空2答案：反向37、场效应管有_ 、_ 、_ 三种组态。 空1答案：共源空2答案：共栅空3答案：共漏38、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带_ 。 空1答案：窄39、场效应管从结构上分成_ 和 _ 两大类型，它属于_ 控制型器件。 空1答案：结型F

10、ET空2答案：MOSFET空3答案：电压40、场效应管属于 _ 型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是_ 型器件。 空1答案：电压控制电流空2答案：电流控制电流41、场效应管是_ 器件，只依靠 _导电。 空1答案：电压控制电流器件空2答案：多数载流子42、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为 _ 、_ 、_ 和截止区四个区域。 空1答案：可变电阻区空2答案：恒流区空3答案：击穿区43、当栅源电压等于零时，增强型FET _导电沟道，结型FET的沟道电阻_ 。 空1答案：无空2答案：最小44、FET是 _ 器件，BJT是 _器件。 空1答案：电压控制空2答案：电流控制45、在甲类、乙类和甲

11、乙类功率放大电路中，效率最低的电路为_ 。 空1答案：甲类46、一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选额定功耗至少应为_ 的功率管 _只。 空1答案：2W空2答案：247、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为_ ，为了消除交越失真常采用_ 电路。 空1答案：甲类空2答案：甲乙类48、乙类功放的主要优点是_ ，但出现交越失真，克服交越失真的方法是_ 。 空1答案：效率高空2答案：采用甲乙类49、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫 _ 失真。 空1答案：交越50、双电源互补对称功率放大电路（OCL）中VCC=8v，RL=8，电路的最大输出功率为_ ，此

12、时应选用最大功耗大于_ 功率管。 空1答案：4W空2答案：0.8W51、差动放大电路中的长尾电阻e或恒流管的作用是引人一个 _反馈。 空1答案：共模负52、已知某差动放大电路Ad=100、KCMR=60dB，则其AC=_ 。集成电路运算放大器一般由_ 、中间级、输出级、_ 四部分组成。 空1答案：0.1空2答案：差分输入级空3答案：偏置电路53、差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对 _具有放大能力，它对 _具有抑制能力。 空1答案：差模信号空2答案：共模信号54、差动放大电路能够抑制 _和_ 。 空1答案：零漂空2答案：共模输入信号55、电路如图1所示，T1、T2和T3的特性完全相同，则I

13、2_ mA，I30.2mA，则R3_ k。 空1答案：0.4空2答案：1056、集成运放通常由 _ 、中间级；输出级、_ 四个部分组成。 空1答案：输入级空2答案：偏置级57、正反馈是指_ ；负反馈是指_ 。 空1答案：净输入变大空2答案：净输入变小58、电流并联负反馈能稳定电路的_ ，同时使输入电阻_ 。 空1答案：电流空2答案：减小59、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高 _、减小_ 、抑制 _、扩展 _ 、改变输入电阻和输出电阻。 空1答案：增益的稳定性空2答案：非线性失真空3答案：反馈环内噪声空4答案：频带60、为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：降低电路对信号源索取的电流

14、：_ 。当环境温度变化或换用不同值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定：_ 。稳定输出电流：_ 。 空1答案：串联负反馈空2答案：直流负反馈空3答案：电流负反馈61、电压串联负反馈能稳定电路的 _ ，同时使输入电阻 _ 。 空1答案：电压空2答案：变大62、某负反馈放大电路的开环放大倍数=100000，反馈系数0.01，则闭环放大倍数 _。 空1答案：10063、负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 _。 空1答案：|AF+1|=064、负反馈放大电路的四种基本类型是_ 、_ 、_ 、_ 。 空1答案：电压串联空2答案：电压并联空3答案：电流串联空4答案：电流并联65、为稳定电路的输出信

15、号，电路应采用_ 反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用 _ 反馈。 空1答案：负空2答案：正66、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud=_ 、Rid= _、KCMR=_ 、RO = _。 空1答案：无限大空2答案：无限大空3答案：无限大空4答案：067、理想运算放大器的理想化条件中有Avd=_ ，KCMR=_ 。 空1答案：无穷空2答案：无穷68、电流源电路的特点是，直流等效电阻 _，交流等效电阻_ 。 空1答案：小空2答案：大69、电流源的特点是输出电流 _ ，直流等效电阻_ ，交流等效电阻_ 。 空1答案：恒定空2答案：小空3答案：大70、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是_

16、 和_ 。 空1答案：虚短空2答案：虚断71、理想运算放大器，Ad=_ 、Ri= _ 、Ro= _ 。 空1答案：无穷大空2答案：无穷大空3答案：072、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或_ 状态。 空1答案：正反馈73、如果有用信号频率高于1000Hz, 可选用_ 滤波器；如果希望500 Hz以下的有用信号，可选用 _滤波器。 空1答案：高通空2答案：低通74、选取频率高于1000Hz的信号时, 可选用 _ 滤波器；抑制50 Hz的交流干扰时，可选用_ 滤波器；如果希望抑制500 Hz以下的信号，可选用_ 滤波器。 空1答案：高通空2答案：带阻空3答案：高通75、有用信号频率高于1000

17、Hz, 可选用 _滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰，可选用 _滤波器；如果希望只通过500Hz到1kHz的有用信号，可选用 _滤波器。 空1答案：高通空2答案：带阻空3答案：带通76、根据工作信号频率范围滤波器可以分为：低通滤波器、_ 、带通滤波器及_ 。 空1答案：高通滤波器空2答案：带阻滤波器77、集成运算放大器在_ 状态和_ 条件下，得出两个重要结论，它们是：_ 和 _ 。 空1答案：线性空2答案：理想工作空3答案：虚断空4答案：虚短78、通用型集成运算放输入级大多采用_ 电路， 输出级大多采用_电路。 空1答案：差分放大空2答案：共集79、正弦波振荡电路是由_ 、_ 、选频网络

18、、_ 四个部分组成。 空1答案：放大电路空2答案：反馈网络空3答案：稳幅环节80、正弦波振荡电路产生振荡时，幅度平衡条件为 _ ，相位平衡条件为_ 。 空1答案：请设置答案空2答案：n=0、1、281、信号发生器原理是在电路负反馈时= _，例如 _电路。在正反馈时= _，例如_ 振荡电路。 空1答案：-1空2答案：自激空3答案：1空4答案：文氏82、石英晶体振荡器是_ 的特殊形式，因而振荡频率具有很高的稳定性。 空1答案：LC振荡电路83、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是 、其中相位平衡条件是_ ， _、为使电路起振，幅值条件是_ 。 空1答案：|AF|=1空2答案：请设置答案空3答案

19、：|AF|184、正弦波振荡电路必须由_ 、_ 、_ 、_ 四部分组成。 空1答案：放大电路空2答案：反馈网络空3答案：选频网络空4答案：稳幅环节85、RC正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有：=_ 、=_ 、 _。 空1答案：3空2答案：1/3空3答案：请设置答案86、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是_ 、n为整数 _。 空1答案：|AF|=1空2答案：请设置答案87、正弦波振荡电路起振的条件是和_ n整数。 88、有用信号频率高于1000Hz, 可选用_ 滤波器。文氏电桥振荡器中的放大电路电压放大倍数_ ，才能满足起振条件。 空1答案：高通空2答案：Af大于等于389、为了稳定电路的输出信号，电路应