硅局部氧化（LOCOS）_第1页
硅局部氧化（LOCOS）_第2页
硅局部氧化（LOCOS）_第3页
硅局部氧化（LOCOS）_第4页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、【硅局部氧化】硅局部氧化硅局部氧化技术的原理是：在特定的区域有选择地生成场氧化物，而不是在氧化物生成后有选择地刻蚀出有源区。通过在氧化过程中用氮化硅（一般为Si3N4）屏蔽有源区可以实现有选择地生长氧化物。这是因为（Si3N4）能有效抑制氧化物的形成。首先，在硅表层形成一层很薄的氧化物垫层（又叫应力释放的氧化层）。紧接着淀积氮化硅层并成型以确定有源区。氮化硅下面的薄氧化物垫层用来保护硅表面，使其在后面的工序中不受氮化物产生的应力的影响。在硅表层上用来产生隔离区的暴露区域中，通过p型掺杂形成环绕晶体管的沟道停止注入。硅局部氧化（LOCOS=LOCLOCal O Oxidation of S Si

2、licon）硅局部氧化技术的原理是：在特定的区域有选择地生成场氧化物，而不是在氧化物生成后有选择地刻蚀出有源区。通过在氧化过程中用氮化硅（一般为Si3N4）屏蔽有源区可以实现有选择地生长氧化物。这是因为（Si3N4）能有效抑制氧化物的形成。v 首先，在硅表层形成一层很薄的氧化物垫层（又叫应力释放的氧化层）。紧接着淀积氮化硅层并成型以确定有源区v 氮化硅下面的薄氧化物垫层用来保护硅表面，使其在后面的工序中不受氮化物产生的应力的影响。在硅表层上用来产生隔离区的暴露区域中，通过p型掺杂形成环绕晶体管的沟道停止注入在没有覆盖氮化硅的区域生成一层厚的场氧化物，由于热氧化作用要消耗掉一部分硅，所以场氧化物是部分凹进硅表层中的。此外，场氧化物在氮化硅层下面会形成侧向的延伸部分，称为鸟嘴区。这种侧向的侵蚀会导致有源区减小。通过刻蚀氮化硅层和氧化物垫层形成部分凹进的场氧化物包围的有源区。硅局部氧化v 在没有覆盖氮化硅的区域生成一层厚的场氧化物，由于热氧化作用要消耗掉一部分硅，所以场氧化物是部分凹进硅表层中的。此外，场氧化物在氮化硅层下面会形成侧向的延伸部分，称为鸟嘴区。这种侧向的侵蚀

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 辅导培训

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论