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文档简介

1、存储器的种类、特性和结构一、 分类 按元件组成：半导体M，磁性材料存储器（磁芯）， 激光存储器 按工作性质：内存储器：速度快，容量小（64K8Gbyte） 外存储器：速度慢，容量大（20MB640GB）二、半导体存储分类RAM SRAM 静态DRAM 动态IRAM 集成动态ROM掩膜ROMPROM 可编程EPROM 可改写E PROM 可电擦除三、内存储器性能指标1. 容量 M可容纳的二进制信息量，总位数。 总位数=字数×字长 bit，byte，word2. 存取速度 内存储器从接受地址码，寻找内存单元开始，到它 取出或存入数据为止所需的时间，TA。 TA 越小，计算机内存工作速度愈

2、高，半导体M存储 时间为 几十ns几百ns ns=mus3.功耗 维持功耗 操作功耗 CMOS NMOS TTL ECL （低功耗.集成度高） （高速.昂贵.功耗高）4、可靠性 平均故障间隔时间 MTBF（Mean Time Between Failures） 越长，可靠性越高.跟抗电磁场和温度变化的能力有关.5、集成度 位/片 1K位/片1M位/片 在一块芯片上能集成多少个基本存储电路 （即一个二进制位）四、存储器的基本结构随机存储器 RAM 或读写存储器一、基本组成结构存储矩阵 寄存二进制信息的基本存储单元的集合体，为便于读写，基本 存储单元都排列成一定的阵列，且进行编址。N×1位结构：常用于较大容量的SRAM，DRAMN×4 N×8 字结构 常用于较小容量的静态SRAM2、地址译码器它接收来自CPU的地址信号，产生地址译码信号。选中存储矩阵中某一个或几个基本存储单元进行读/写操作两种编址

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