基区对BJT的重要性

1、基区基区对于对于双极型晶体管双极型晶体管的的重要性重要性小组讨论：小组讨论：双极型晶体管的结构：双极型晶体管的结构：由结构可见，由结构可见，BJT是由两个背靠背的是由两个背靠背的pn结组成结组成的，而基区是两个的，而基区是两个pn结中间的公共区域结中间的公共区域载流子在基区的运输：载流子在基区的运输：（以（以npnnpn型为例）型为例）发射结处于正偏，有利于多子的扩散，基区的空穴也会注入到发射区。进入到基区的电子，大部分电子由于扩散扩散和漂移漂移（内电场的存在）运动到达集电结边界，在集电结反向强电场的作用下被扫入集电区。而小部分注入到基区的电子流会和基区中的空穴流复合复合，及转换为空穴流。l通

2、过基区在通过基区在BJTBJT中特殊的位置以及载流子通过基区的过程，中特殊的位置以及载流子通过基区的过程，可见基区是可见基区是BJTBJT结构中一个重要的区域。结构中一个重要的区域。l基区的宽度基区的宽度，参杂浓度参杂浓度以及以及杂质分布杂质分布等都会影响双极性晶等都会影响双极性晶体管的性能。体管的性能。l基区宽度必须很小（即有效基区的宽度要远远小于基区中基区宽度必须很小（即有效基区的宽度要远远小于基区中少数载流子的扩散长度），这才能形成一个有用的晶体管，少数载流子的扩散长度），这才能形成一个有用的晶体管，否则放大性能太差（这也有利于提高频率和速度）。否则放大性能太差（这也有利于提高频率和速度

3、）。l同时，基区的掺杂浓度也必须小于发射区的掺杂浓度，否同时，基区的掺杂浓度也必须小于发射区的掺杂浓度，否则同样性能也很差（但是基区掺杂浓度也不能太低，否则则同样性能也很差（但是基区掺杂浓度也不能太低，否则要影响频率、速度和噪声等性能）。要影响频率、速度和噪声等性能）。基区参杂是否均匀影响了晶体管的直流特性。基区参杂是否均匀影响了晶体管的直流特性。基区的宽度基区的宽度 适当连接晶体管，可使它具有放大功能。其中确保基区宽度很小就是是晶体管具有放大作用的原因之一，因为当有效基区的宽度远远小于基区中少数载流子的扩散长度时，那么从发射区注入到基区的载流子绝大部分可到达集电区，很少的一部分在基区被复合掉

4、。 共基极电流放大系数 * 为提高电流放大系数，需减小基区传输系数*，即减小基区宽度，选用良好的单晶体，使少子寿命较长。 但当基区太薄，基区中存在一定的电阻 ，在多子流过基区时会产生压降，它对晶体管的特性有影响，如发射极电流集边效应，放大，频率特性变差和基极电阻引起的噪声等。 【基区扩展电阻效应会使发射结中心部分的电流密 度大大降低，发射极电流主要集中在发射极的边缘部分，产生发射极电流集边效应】基区的杂质分布基区的杂质分布（以（以npnnpn为例）为例） 基区薄，相比较于发射区，它的浓度要很低，这样到达基区的电子与空穴复合的机会很少，则绝大部分的电子会通过基区到达集电结，再被方向强电场抽入集电区。但当基区的浓度 太小会造成基极电阻增大，功率增益下降，噪声系数上升，大电流特性变坏等弊端。 杂质分布非均匀的基区内存在自建场，加速了基区中少子运动，从而使复合电流减小，提高了基区的输运系数值。 随着集电结反向电压的增加，集电结势垒向两边扩展，基区有效宽度减小，这种现象叫基区宽度调制效应。如果基区掺杂浓度比集电区低，基区的宽度又较小，则可能在集电结发生雪崩击穿之前，有效基区宽度减小到0，基区穿通。 基区大注入少子，会使基区电导率上升，电阻率不断下降，产生基区电导调制效应。 ：共发射极短路电流放大系数降到1时的频率。为提高特征频率，