场效电晶体之特性

1、第八章 場效電晶體之特性一、單選題( ) 1. JFET用作線性放大器時，汲極電源電壓為(A)(B)(C)零電壓(D)視P或N通道而定。( ) 2. 下列元件中，何者是靠單一種載子來傳送電流的？(A)FET(B)電晶體(C)稽納二極體(D)SCR。( ) 3. JFET之工作原理是控制(A)通道中載子的濃度(B)通道之導電係數(C)流過接面的電流(D)接面空乏區的厚度。( ) 4. FET的傳導載子是(A)電子(B)電洞(C)少數載子(D)視通道而定。( ) 5. 指出下列何者適合於電壓控制之可變電阻？(A)二極體(B)運算放大器(C)FET(D)以上皆非。( ) 6. 有一P通道JFET，若

2、，在時，為(A)0(B)1(C)2(D)3。( ) 7. 有一P通道JFET，若，在時，若時，為(A)2.6(B)1.8(C)1.2(D)0.72。( ) 8. 要使P通道增強型的MOSFET導通，其閘極偏壓應為(A)正電壓(B)負電壓(C)正、負電壓均可(D)零。( ) 9. 下列哪一項條件將使空乏型N通道MOSFET不導通？(A)(B)(C)(D)。( )10. 某一N通道空乏型MOSFET的，試計算在的值為(A)0(B)0.15(C)3.675(D)6。( )11. 某一N通道增強型MOSFET的臨界電壓，試計算在的互導值為（）(A)4.2(B)3(C)2.1(D)1.8。( )12.

3、增強型P基底MOSFET，若處於截止狀態，其閘極為何種偏壓？(A)正電壓(B)高正電壓(C)正、負電壓均可(D)零。( )13. 有關FET的特性敘述，與電晶體相較，下列何者正確？(A)雜音較多(B)輸入阻抗較高(C)高頻響應較好(D)增益頻寬乘積通常比電晶體為佳。( )14. 下列哪一種FET在閘極未加電壓時沒有通道？(A)空乏型MOSFET(B)增強型MOSFET(C)N通道空乏型MOSFET(D)JFET。( )15. 有一個P通道增強型MOSFET，其臨界電壓，假使其閘極接地而源極接至，欲使此元件操作在飽和區，則汲極之最高電壓為何？(A)7(B)5(C)3(D)2V。( )16. 當場

4、效電晶體（JFET）被拿來當放大器的第一級時，是利用它的何種優點？(A)電流增益大(B)輸入阻抗大(C)輸出阻抗大(D)輸入阻抗小。( )17. 下列哪一項不是場效電晶體的特點？(A)輸入阻抗極高(B)雜訊低(C)熱穩定度低(D)單極性載子傳輸。( )18. 下列何者為FET場效電晶體之特性？(A)雙極性元件(B)低輸入阻抗(C)高雜訊(D)所占空間小，適合作超大型積體電路。( )19. 若下圖的且，則應為(A)1.82(B)2.5(C)3.5(D)4.5。( )20. 如圖所示為恆流源電路，其中汲、源極飽和電流，則輸出電壓為(A)5(B)6(C)7(D)8V。( )21. 圖的電路為N通道空乏型MOSFET的偏壓電路，設MOSFET的，則直流偏壓值為(A)，(B)，(C)，(D)，。( )22. 如圖所示，=10V，則為(A)(B)(C)(D)V。二、計算題 1. 一個，的FET，當其工作於時，試求其互導。 2. 一N通道JFET的夾止電壓，汲極飽和電流，若此JFET的汲極電流，試求其閘極與