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文档简介
1、超高亮LED的驱动 摘要:在简要介绍超高亮LED的特点以及特性的基础上,详细介绍了LED的电阻限流、线性调节器和开关调节器等驱动方式,在此基础上介绍了超高亮LED的驱动芯片MLX10801的功能和应用并给出了当前主要超高亮LED驱动芯片的主要特点。关键词:发光二极管:超高亮:恒流驱动 0 引言 发光二极管(Light Emitting Diode,LED)发明于20世纪60年代,它是利用半导体材料中的电子和空穴相互结合并释放出能量,使得能量带(Energy Gat,)位阶改变,以发光显示其所释放出的能量。LED具
2、有体积小、寿命长、驱动电压低、耗电量低、反应速率快、耐震性佳等优点,被广泛应用于信号指示、数码显示等领域。随着技术的不断进步,超高亮LED的研制得到了成功,尤其是白光LED的研制成功,使得它越来越多地用在彩灯装饰、甚至照明领域。 l 超高亮LED的特点 与传统的照明灯相比,超高亮LED具有如下优点: 1)寿命长,可靠耐用,维护费用极为低廉LED可连续使用105h,比普通白炽灯泡长100倍; 2)高效率现在已经可以达到201mw预计到2005年将达到501mW1,LED)的光谱几乎全部集中
3、于可见光频段,其发光效率可达8090,LED比节能灯还要节能14; 3)色彩鲜艳,光色单纯 以12英寸的红色交通信号灯为例,它采用低光效的140W白炽灯作为光源,所产生的2000lm的白光经红色滤光片后,光损失90,只剩下2001m的红光,而在Lumileds Lighting公司采用18个红色LED光源设计的灯中,包括电路损失在内,仅耗电14W,即可产生同样的光效; 4)点亮速度快 汽车信号灯是LED光源应用的一个重要领域,由于LED响应速度快(ns级),在汽车上安装高位LED刹车灯,可以减少汽车追尾事故的发生。
4、0; 近年来高亮LED已经在汽车的近光灯中得到了应用,例如德国奥迪公司的奥迪A86.O,意大利Fioravanti公司在2003年日内瓦车展上推出的概念车Yak,美国福特公司不久前在底特律车展上推出的Model U都开始将高亮LED用于前照灯的设计中。 尽管超高亮LED具有许多优点,但目前仍存在下述缺点: 1)功率低市面上的单体LED功率一般在5W以下,还没有出现更大功率的LED,这是目前LED难以成为照明首选的最大瓶颈; 2)需要严格控制温度 LED是一种半导体
5、材料,与普通二极管一样具有PN结,由于高亮二极管的功率相对比较大,所以与功率半导体器件相同,需要考虑散热问题,结温过高会直接影响LED的寿命,并且会增大LED的光衰,情况严重的会将LED烧坏; 3)价格高除了功率低,价格是LED难以成为照明的主要因素,虽然LED目前已被大多数人认识,也被多数人看好,但其高昂的价格难以被消费者接受,目前单体黄色LED大约O6元个,绿色与蓝色单体LED在18元个左右,白色LED的价格达到了2.25.5元个左右;如果将几十个单体LED组合,其成本将大大增加,如把一个LED安装在草坪灯里,其单价就相当于一般草坪灯的几倍,LED要成为
6、未来照明的主流光源,就一定要朝着大流明方向发展,成本才有可能降低,市场才有可能突破。 2 超高亮LED的特性 HPWA-xH00是Lumileds Lighting公司的一种超高亮LED,本文以它为例分析超高亮LED的特性。图1为正向压降(VF)和正向电流的(IF)关系曲线,由曲线可知,当正向电压超过某个阈值(约2V),即通常所说的导通电压之后,可近似认为,IF与VF成正比。表1是当前主要超高亮LED的电气特性。由表1可知,当前超高亮LED的最高IF可达1A,而VF通常为34V。 由于LED的光特性通常都描述为电流的函数
7、,而不是电压的函数,光通量(V)与IF的关系曲线如图2所示,因此,采用恒流源驱动可以更好地控制亮度。此外,由表1可知LED的正向压降变化范围比较大(最大可达1V以上),而由图1中的VF-IF曲线可知,VF的微小变化会引起较大的,IF变化,从而引起亮度的较大变化。所以,采用恒压源驱动不能保证LED亮度的一致性,并且影响LED的可靠性、寿命和光衰。因此,超高亮LED通常采用恒流源驱动。 图3是HPWA-xH00 LED的温度与光通量(V)关系曲线,由图3可知光通量与温度成反比,85时的光通量是25时的一半,而一40时光输出是25时的18倍。温度的变化对LFD的
8、波长也有一定的影响,因此,良好的散热是LED保持恒定亮度的保证。 3 超高亮LED的驱动电路 由于受到LED功率水平的限制,通常需同时驱动多个LED以满足亮度需求,因此,需要专门的驱动电路来点亮LED。下面简要介绍LED驱动的主要电路。31 阻限流电路 如图4所示,电阻限流驱动电路是最简单的驱动电路,限流电阻按式(1)计算。 式中:Vin为电路的输入电压: VF为IED的正向电流;
9、; VF为LED在正向电流为,IF时的压降; VD为防反二极管的压降(可选); y为每串LED的数目; x为并联LED的串数。 由图1可得LED的线性化数学模型为 式中:Vo为单个LED的开通压降; Rs为单个LED的线性化等效串联电阻。
10、 则式(1)限流电阻的计算可写为 当电阻选定后,电阻限流电路的IF与VF的关系为 由式(4)可知电阻限流电路简单,但是,在输入电压波动时,通过LED的电流也会跟随变化,因此调节性能差。另外,由于电阻R的接人损失的功率为xRIF,因此效率低。32线性调节器 线性调节器的核心是利用工作于线性区的功率三极管或MOSFFET作为一动态可调电阻来控制负载。线性调节器有并联型和串联型两种。
11、0; 图5(a)所示为并联型线性调节器又称为分流调节器(图中仅画出了一个LED,实际上负载可以是多个LED串联,下同),它与LED并联,当输入电压增大或者LED)减少时,通过分流调节器的电流将会增大,这将会增大限流电阻上的压降,以使通过LED的电流保持恒定。 由于分流调节器需要串联一个电阻,所以效率不高,并且在输入电压变化范围比较宽的情况下很难做到恒定的调节。 图5(b)所示为串联型调节器,当输入电压增大时,调节动态电阻增大,以保持LED上的电压(电流)恒定。 由于功率三极管或MOSF
12、ET管都有一个饱和导通电压,因此,输入的最小电压必须大于该饱和电压与负载电压之和,电路才能正确地工作。33开关调节器 上述驱动技术不但受输入电压范围的限制,而且效率低。在用于低功率的普通LED驱动时,由于电流只有几个mA,因此损耗不明显,当用作电流有几百mA甚至更高的高亮LED的驱动时,功率电路的损耗就成了比较严重的问题。开关电源是目前能量变换中效率最高的,可以达到90以上。Buek、Boost和Buck-Boost等功率变换器都可以用于LED的驱动,只是为了满足LED的恒流驱动,采用检测输出电流而不是检测输出电压进行反馈控制。
13、60; 图6(a)为采用Buck变换器的LED驱动电路,与传统的Buek变换器不同,开关管S移到电感L的后面,使得S源极接地,从而方便了S的驱动,LED与L串联,而续流二极管D与该串联电路反并联,该驱动电路不但简单而且不需要输出滤波电容,降低了成本。但是,Buck变换器是降压变换器,不适用于输入电压低或者多个LED串联的场合。 图6(b)为采用Boost变换器的LED驱动电路,通过电感储能将输出电压泵至比输入电压更高的期望值,实现在低输入电压下对LED的驱动。 图6(c)为采用BuckBoost变换器的LED驱动电路。与
14、Buek电路相似,该电路S的源极可以直接接地,从而方便了S的驱动。Boost和 Buck-Boosl变换器虽然比Buck变换器多一个电容,但是,它们都可以提升输出电压的绝对值,因此,在输入电压低,并且需要驱动多个LED时应用较多。 4 超高亮LED的驱动控制芯片介绍 根据高亮LED大功率恒流驱动的特点,很多公司都推出了高亮LED的专用驱动控制芯片,例如:Melexis、lnfinton(英飞凌)、Lienear Technology(凌特)、Supenex Inc、Analog。Devices(ADI)等。41 MLxl0801芯片介绍
15、; MLXl0801是Melexi8公刊的一款针对汽车应用的LED驱动芯片,该芯片还可以用于继电器等线圈的驱动,以及用作电子熔断器。MLx10801芯片的原理框图如图7所示,它集成了功率MOSFET,最大驱动电流为350mA。用作LED驱动时,它具有如下特点: 外邵应用电路简单; 内部外部温度检测保护; 高效率的开关电源驱动; 可以通过PWM输入控制亮度; LED的参数可以调节并可以存储到片内NV存储器中
16、。 MLX10801虽然仅有8个管脚,但功能强大,表2为MLXl0801的管脚功能介绍。 图8为MlJXl0801的典型应用电路,LED、L、D2、Rsense和MLXl0801内集成的MOSFET组成一个典型的Buck型LED驱动电路。图8中的LED可以根据亮度需要采用多个LEI)串联。MLXl0801通过检测Rsense上的电压来检测通过LED的峰值电流,将该电流值与设定的基准值比较,通过控制脚DRV0UT的脉宽,来控制LED电流的大小。CONTR可以用作外部的开关控制,或者输入PWM信号来控制LED闪烁。当不需要控
17、制时,可以将该管脚通过电阻R与脚VS相连。DSENSE用于连接外部的热敏电阻检测LED温度,保护IED。虽然MLXl0801芯片内部具有内置热敏电阻,但是,为了保证芯片与LED相距较远时仍能够正确检测到温度,MIX10801仍然设置了脚DSENSE来实现远距离温度的检测。脚CALIB用来与控制器通讯,用于接受控制器设定LED的电流、允许最高温度、采用内部温度检测还是外部温度检测、是否防抖、软启动时间等参数。 4.2 大功率LED驱动芯片的比较 表3所列为当前主要大功率IED驱动控制芯片性能比较,在应用大功率IED驱动控制芯片时,可以依据不同的应用场合进行选择: 1)当需要较高
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