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文档简介

1、IGBT模块的材料参数目前 , 功率器件和模块均采用引线键合的互连工艺和平面封装结构。图 1 为普通 IGBT 模块的解剖图。图 1 IGBT 模块结构示意图从上图本文可以看出,IGBT 模块共由 7层结构构成 , 大致可以分成三部分 : 芯片 ,DBC和基板。 每部分之间由焊锡连接而成。 本文知道 IGBT 是在晶闸管的基础上发展而来 , 但与传统的晶闸管相比 ,IGBT 模块省去了内部的阴极和阳极金属层 , 分别由芯片表面引出的焊线及 DBC上层铜板代替。除此之外 , 原先的镍金属缓冲层也被去掉了 , 其代价是单个 IGBT 芯片的容量减少。为了弥补这一缺陷 , 本文需要在 DBC板上安置

2、更多的 IGBT 芯片 8 。IGBT模块是由不同的材料层构成 , 如金属 , 陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模块内部用来改善器件相关热性能的硅胶。他们的热膨胀系数以及热导率存在很大的差异 , 在器件的工作过程中会出现意想不到的问题。物理上 , 热导率代表了物体导热性能的大小。在 IGBT 模块中 , 涉及到的材料 , 其热导率绘成柱形图如下：图 2 材料导热系数柱形图热膨胀系数 (coefficient of thermal expansion, CTE)是指物体在单位温度下体积的变化 , 其国际单位为 K-1 。对于 IGBT 这种具有堆叠结构的功率器件 , 它在正常工作下温度很高 , 因

3、此不同的材料也会因热胀冷缩原理产生不同程度的形变 , 进而影响器件的可靠性。图 3 绘出出了模块内几种材料的热膨胀系数。图 3 材料的热膨胀系数有机材料的引入可以使接合线不被腐蚀 , 还有较高的击穿场强 , 然而 ,它在模块内部形成的有机薄膜会产生较大的寄生电容 , 进而影响器件的部分性能。除了材料的选择 , 事实上 ,IGBT 模块内部每层材料的厚度也有其规范。传统的 IGBT 模块里 , 陶瓷的主要成分为 Al 2 O3 , 基板采用铜材料 ; 在高压IGBT模块里 ,DBC内的陶瓷被 AlN 所取代 ; 后期 , 高压 IGBT模块又有所改进 , 主要变化在于使用碳化硅铝取代原先的铜基板。表 1 不同 IGBT 模块各层材料的厚度单位 :mmAl O 陶AlN 陶瓷 ,CuAlN 陶瓷 ,AlSiC23瓷 , Cu基板基板基板焊接层 a30.050.050.05铜板0.30.30.3陶瓷板0.3810.6351.0铜板0.30.30.3焊接层 b30.050.10.1基板355散热硅0.050.040.04胶当然 , 在特定的场合 , 所需的 IGBT 模块内部材料厚度也不尽相同。比方说 , 原先的 DBC陶瓷厚度为 0.63mm,但为了减少器件的热阻 ,

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