数字电子技术基础（引论）哈尔滨学院

1、o半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件。器件。o存储容量、存取速度、价格和可靠性是衡量存储器存储容量、存取速度、价格和可靠性是衡量存储器性能的重要指标。性能的重要指标。o存取速度存取速度n存取时间是指完成一次存储器读存取时间是指完成一次存储器读/写操作所需要的时间。写操作所需要的时间。也称为读写时间。也称为读写时间。n读、写操作统称为读、写操作统称为“访问访问”。o半导体存储器从存、取功能上分为两大类。半导体存储器从存、取功能上分为两大类。n只读存储器（只读存储器（ROM）n随机存储器（随机存储器（RAM）o只读存储器特点只读存储器特点n

2、 ROM中存放的数据一般不能用简单的方法改写。中存放的数据一般不能用简单的方法改写。n 正常使用时主要进行读取操作。正常使用时主要进行读取操作。n 断电后内部信息不丢失。断电后内部信息不丢失。n 一般用于存放固定的数据或程序。一般用于存放固定的数据或程序。o 只读存储器的类型只读存储器的类型n掩模式掩模式ROM n一次可编程一次可编程ROM（PROM） n紫外线可擦除紫外线可擦除ROM（EPROM）n电可擦除电可擦除ROM（EEPROM）o 快闪存储器（快闪存储器（Flash Memory） 将输入的地址代码译成相应的控制信号，利用这将输入的地址代码译成相应的控制信号，利用这个控制信号从存储矩

3、阵中把指定的单元选出，并把其个控制信号从存储矩阵中把指定的单元选出，并把其中的数据送到输出缓冲器。中的数据送到输出缓冲器。 存储矩阵由许多存储单元排列而成，每一个存储存储矩阵由许多存储单元排列而成，每一个存储单元或一组存储单元有一个对应地址代码。单元或一组存储单元有一个对应地址代码。 提高存储器的带负载能力，提高存储器的带负载能力， 实现对输出状态的三态控制，以便于系统的总线实现对输出状态的三态控制，以便于系统的总线联接。联接。A1、A0地址线地址线W3 W2W1 W0字线字线D3 D2D1 D0位线位线（数据线）（数据线） 11D3 D2 D1 D0A1A0W0W1W2W31111&

4、44位位ROM地址译码器地址译码器存储体存储体0100AAmW0111AAmW0122AAmW0133 AAmW310310330301321321220203 mmmWWWDmmWWDmmmWWWDmmWWD存储内容存储内容地 址A1 A0字 线W0 W1 W2 W3存 储 内 容D3 D2 D1 D00 00 11 01 11 0 0 00 1 0 00 0 1 00 0 0 11 0 1 10 1 0 11 1 0 00 1 1 1对于给定的地址，相应一条字线输出高电平，与该字线相连接的或门输出为 1，未连接的或门输出为 0。11D3 D2 D1 D0A1A0W0W1W2W31111&a

5、mp;地 址A1 A0字 线W0 W1 W2 W3存 储 内 容D3 D2 D1 D00 00 11 01 11 0 0 00 1 0 00 0 1 00 0 0 11 0 1 10 1 0 11 1 0 00 1 1 1A1=0A0=0W0=1W1=0W2=0W3=0D3=1D1=1D0=1D2=0地 址A1 A0字 线W0 W1 W2 W3存 储 内 容D3 D2 D1 D00 00 11 01 11 0 0 00 1 0 00 0 1 00 0 0 11 0 1 10 1 0 11 1 0 00 1 1 111D3 D2 D1 D0A1A0W0W1W2W31111&A1=0A0=

6、1W0=0W1=1W2=0W3=0D3=0D1=0D0=1D2=1地 址A1 A0字 线W0 W1 W2 W3存 储 内 容D3 D2 D1 D00 00 11 01 11 0 0 00 1 0 00 0 1 00 0 0 11 0 1 10 1 0 11 1 0 00 1 1 111D3 D2 D1 D0A1A0W0W1W2W31111&A1=1A0=0W0=0W1=0W2=1W3=0D3=1D1=0D0=0D2=1地 址A1 A0字 线W0 W1 W2 W3存 储 内 容D3 D2 D1 D00 00 11 01 11 0 0 00 1 0 00 0 1 00 0 0 11 0 1

7、 10 1 0 11 1 0 00 1 1 111D3 D2 D1 D0A1A0W0W1W2W31111&A1=1A0=1W0=0W1=0W2=0W3=1D3=0D1=1D0=1D2=1oRAM 特点特点n可随时从任何制定地址读写数据，使用灵活；可随时从任何制定地址读写数据，使用灵活；n存在数据易失性的缺点，断电数据丢失。存在数据易失性的缺点，断电数据丢失。oRAM 分类分类n静态静态RAM （SRAM）n动态动态RAM （DRAM）o 位扩展方式位扩展方式n前提：字数够用，位数不够。前提：字数够用，位数不够。n方法：多片存储器地址线、控制线分别并联，方法：多片存储器地址线、控制线分别并联， 数据线并列。数据线并列。o 字扩展方式字扩展方式n前提：位数够用，字数不够。前提：位数够用，字数不够。n方法：多片存储器地址线根据实际情况部分并方法：多片存储器地址线根据实际情况部分并 联，部分地址线和控制线组合扩充，数联，部分地址线和控